1 / 18

Hasina F. Huq , Bashirul Polash , Oscar Machado and Nora Espinoza (2010 ).

دانشکده برق ، رایانه و فن آوری اطلاعات دانشگاه آزاد اسلامی واحد قزوین موضوع : ارائه مقاله دانشجو: فرامرز آقائی استاد: دکتر شاه حسینی زمستان 92. موضوع ارائه مقاله :. Hasina F. Huq , Bashirul Polash , Oscar Machado and Nora Espinoza (2010 ).

patia
Download Presentation

Hasina F. Huq , Bashirul Polash , Oscar Machado and Nora Espinoza (2010 ).

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. دانشکده برق ، رایانه و فن آوری اطلاعاتدانشگاه آزاد اسلامی واحد قزوینموضوع : ارائه مقالهدانشجو: فرامرز آقائیاستاد: دکتر شاه حسینیزمستان 92

  2. موضوع ارائه مقاله: HasinaF. Huq, BashirulPolash, Oscar Machado and Nora Espinoza (2010). Study of Carbon NanoTubeField Effect Transistors for NEMS, Carbon Nanotubes, Jose Mauricio Marulanda (Ed.), ISBN: 978-953-307-054-4, InTech, مقدمه CNTFET , NEMS ساختار CNTFETS مدل سازی CNTFETS نتایج شبیه سازی 5.1مشخصات I-V 5.2رفتار انتقالی تجزیه و تحلیل نتایج نتیجه گیری مراجع 1/16

  3. 1. مقدمه • .CNTFETها به دلیل ساختار کربنی محکم خود می توانند برای کاربردهای NEMS مفید باشند. • اتصال فلز-نانولوله در CNTFETها یک سد شاتکی تلقی می شود و با استفاده از یک مدل بالستیک تحلیل می شود(Natori et al., 2005). • در اتصال محل سورس درین مکانیزم خوبی برای عملکرد بهتر NEMS مورد نیاز است. جایگزینی فلز-CNT (SB) اتصال با آلایش بالای CNT اتصال سورس درین (حالت اهمی) می تواند عملکرد NEMS را بهبود ببخشد. Natori K., Kimura Y. and Shimizu T., (2005) “Characteristics of a carbon nanotubefieldeffect transistor analyzed as a ballistic nanowire field-effect transistor,” Journal of Applied Physics 97,. 2/16

  4. 2. CNTFET , NEMS • CNTها اتم های کربن در اندازه نانو هستند و لوله هایی به ساختار نانو و با شکل استوانه با ورق گرافن پیچیده شده ساخته می شوند. دوتا ساختار لوله ای اصلی وجود دارد: SWNT نانو لوله تک دیواره و MWNT نانو لوله چند دیواره (Reich et al., 2004) • برخی از ویژگی های CNTFETها : • هدایت انتقالی بالا، این ویژگی تعیین عملکرد هر FET است. با توجه به اینکه نتیجه هدایت انتقالی گین بیشتر یا تقویت کنندگی بیشتر است. • ولتاژ آستانه بهتر • شیب زیر آستانه خوب، این ویژگی برای کاربردهای قدرت کم بسیار مهم است. • تحرک بالا • انتقال بالستیک، خصوصیت این نتیجه در ادوات سرعت بالا است. • چگالی جریان بالا • نرخ جریان قطع و وصل بالا 3/16 Reich S., Thomsen C., Maultzsch J., (2004) ‘Carbon NanotubesBasicConcepts and Physical Propertie’s Wiley-VCH, Weinheim,

  5. 3. ساختار CNTFETS 4/16

  6. 4. مدل سازیCNTFETها (5) 5/16

  7. رسانایی بین سورس و درین منجر به تعریف رابطه جریان و ولتاژ می‌شود:I=GV (6) (7) (8) 6/16

  8. 5. نتایج شبیه سازی 7/16 Fig. 2. I-V charecteristics of CNTFET at a diameter of 0.1nm

  9. 8/16 Fig. 3. I-V charecteristics of CNTFET at a diameter of 10 nm

  10. 9/16 Fig. 4. Transconductance behavior of CNTFET ( VD= 0.5V)

  11. 10/16 Fig. 5. Transconductance behavior of CNTFET ( VD= 0.8V)

  12. 6. تجزیه و تحلیل نتایج 11/16 Fig. 6. (a): Energy Density of state (DOS); (b): Energy gap of different types of nanotubes

  13. 12/16

  14. Fig. 7. (a): Output characteristics indicate MOSFET like behavior; (b): Average velocity vs. Gate voltage 13/16

  15. 14/16 Fig. 8. (a): Mobile charge vs. Gate voltage; (b): Mobile charge vs. Drain voltage

  16. Fig. 9. (a): QC/Insulator Capacitance vs. Gate voltage; (b): Tranceconductance behavior as a function of Gate voltage 15/16

  17. Fig. 10. (a): Channel conductance is saturated after certain gate voltage; (b): Transfer characteristics of the CNTFET shows on current for small bias voltage 16/16

  18. THEEND

More Related