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半导体二极管基础

半导体二极管基础. By ： Snto. 半导体 的 定义 半导体（ semiconductor ），指常温下导电性能介于导体 (conductor) 与绝缘体 (insulator) 之间的材料 。 电阻率 介于金属和绝缘体 [1] 之间并有负的电阻温度系数的物质。 半导体 在 室温 时电阻率约在 10E -5 ～ 10E 7 欧母之间，温度升高时电阻率指数则减小 。. 半导体分类. 本征半导体. 定义： 不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。 如纯净的硅。. N 型 半导体. 在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了 N 型半导体。.

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半导体二极管基础

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  1. 半导体二极管基础 By：Snto

  2. 半导体的定义半导体（semiconductor），指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。电阻率介于金属和绝缘体[1]之间并有负的电阻温度系数的物质。半导体在室温时电阻率约在10E-5～10E7欧母之间，温度升高时电阻率指数则减小。半导体的定义半导体（semiconductor），指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。电阻率介于金属和绝缘体[1]之间并有负的电阻温度系数的物质。半导体在室温时电阻率约在10E-5～10E7欧母之间，温度升高时电阻率指数则减小。

  3. 半导体分类 本征半导体 定义：不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。如纯净的硅。 N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。 P型半导体 在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。

  4. 二极管结构 组成本体。Epoxy(SiO2) 黑胶 引线 焊片 主芯片，实现二极管的功能。Si 晶粒 焊片 芯片与引脚联接。Pb\Sn\Ag 方便客人焊接使用，散热。Cu 引线

  5. 二极管的外观与符号 二极管在电路图中用D表示，取Diode的第一个字母 • P，positive，正极，也叫阳极(+) • N，negative，负极，也叫阴极(-) 银色引脚 色环，极性标示，负极 黑胶本体

  6. 二极管的外观与符号 二极管在电路图中用D表示，取Diode的第一个字母 符号 银色引脚 色环，极性标示 黑胶本体 图1 二极管：包括整流、检波、开关等都是这个符号 图2 双向二极管：两个负极连在一起的二极管 图3 发光二极管 图4 变容二极管：电调和数调收音机用 图5和7 稳压二极管和瞬变二极管 图6为压敏二极

  7. 二极管分类 • 按结构分： 点接触型、面接触型、平面型 • 按封装分：贴片（SMD）、插件（DIP） • 按功能分：整流、检波、开关、稳压、触发、瞬态抑制二极管…… • 按电性参数：一般（普通）二极管、快恢复二极管、高速（高效率）二极管、超快速二极管、肖特基

  8. 二极管分类 按电性参数 • 一般（普通）二极管STD，VF≤1.0V，TRR>2000nS • 快恢复二极管FR, VF≤1.3V，TRR<500nS • 高速（高效率）二极管HER, VF≤1.3V，TRR<70nS • 超快速二极管SF, VF≤1.7V，TRR<35nS现在VR做到600V • 肖特基SKY, VF≤0.95V，现在VR做到200V • 开关二极管SW, TRR<4nS

  9. 二极管主要参数 • VF正向瞬态电压(正向压降) 单位：伏，V • VR反向直流电压(反向耐压) 单位：伏，V • IF正向直流电流 单位：安培，A • IO 正向平均电流 单位：安培，A • IR反向漏电流单位：微安，uA • Trr反向恢复时间单位：纳秒，nS • TA 环境温度单位：度，℃ • TC管壳温度单位：度，℃

  10. 二极管应用 交流电（AC）变为直流电（DC），一般在市电也就是我们常用的照明电中，如果把交流变为直流电，或者叫做低频整流，用的是普通整流二极管，如1N4007、RL207、1N5408……；对于高频电路中的整流，如常用的电脑开关电源，手机充电器等，根据各自的应用会用的是快恢复二极管（FR107、F1220CT…）、高速（高效率）二极管(UF1007、HER103…)、超快速二极管（SF26、SF38…、肖特基1N5819、SR540…）

  11. 电路(Rcc)

  12. 謝謝 Thank END

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