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总复习. 第一部分:要求掌握的内容. 具体见书。. 第二部分:题型介绍及答题要求. 一、填空 例 1 : 串级控制系统有 个被控变量,有 回路和 回路;其中 回路具有较强迅速的抗扰动能力,其控制器正反作用选择是和 特性有关。. 例 2 : 被控变量是指 ______________________ ,操纵变量是指 _________________________ ,偏差是指 _________________ ,被控对象是指 _____________________________________ 。. 二、选择 例 1 : 可编程控制器简称为 。
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总复习 第一部分:要求掌握的内容 具体见书。
第二部分:题型介绍及答题要求 一、填空 例1:串级控制系统有个被控变量,有回路和回路;其中回路具有较强迅速的抗扰动能力,其控制器正反作用选择是和特性有关。
例2:被控变量是指______________________ ,操纵变量是指_________________________,偏差是指_________________,被控对象是指_____________________________________。
二、选择 例1:可编程控制器简称为。 (1)CIMS (2)CIPS (3)PLC (4)DCS 例2:广义对象不包括_________ 。 (1)控制器 (2)执行器 (3)变送器 (4)对象本身
三、判断题(对“√”,错“×”) 例1、答案___ 积分控制能够消除余差。 例2、答案___ 微分控制对纯滞后有效。 例3、答案___ 现场总线是开放式、数字化、多点通信的底层控制网络。
四、解答题 形式见补充习题。
例1:某台DDZ-Ⅲ型比例积分控制器,其比例度为200%,积分时间为2分。稳态时,输出为5mA。某一瞬间输入突然变化了0.2mA,试问经过5分钟后输出将由5mA变化到多少?例1:某台DDZ-Ⅲ型比例积分控制器,其比例度为200%,积分时间为2分。稳态时,输出为5mA。某一瞬间输入突然变化了0.2mA,试问经过5分钟后输出将由5mA变化到多少? 解:根据题意已知 根据题意及公式 可得:
将已知条件: 代入: 可得: 所以:
例2:某台PID控制器偏差为1mA时,输出表达式为例2:某台PID控制器偏差为1mA时,输出表达式为 (t单位为分钟)。试问: (1)这是什么控制规律? (2)求出控制器各个控制参数。 (3)画出其开环输出特性图。
例3: 实验室某夹套反应釜通过可控硅电压调整器(ZK)和电加热器控制夹套反应釜内容器的温度,如图a。
(1)指出本例中被控对象、被控变量、操纵变量以及扰动。(1)指出本例中被控对象、被控变量、操纵变量以及扰动。 (2)如果夹套进水量在t=0时产生一个阶跃信号,夹套反应釜的温度对象近似为一阶滞后环节,其变化情况如图b。试采用阶跃扰动法估算K、T、τ,并写出数学方程式。 (3)请画出该夹套反应釜内温度控制系统的带检测控制点的流程图以及方块图,并简要说明克服扰动影响的控制过程。
(4)如果该温度控制系统原先稳定在40℃处。在某个阶跃扰动下的过渡过程曲线如图c,试求出最大偏差、余差、衰减比、回复时间。(4)如果该温度控制系统原先稳定在40℃处。在某个阶跃扰动下的过渡过程曲线如图c,试求出最大偏差、余差、衰减比、回复时间。 (5)针对图c,如果要求将衰减比整定为4:1,且要求消除余差,请说出你选用的控制规律以及整定方法。
解: • (1)被控对象:夹套反应釜 • 被控变量:内容器的温度 • 操纵变量:可控硅电压 • 扰动: 内容器进水量q1
(2) 由作图可得 (作图法会有偏差,所以不绝对), (也是作图得到) 数学方程式为:
TC (3)夹套反应釜内温度控制系统的带检测控制点的流程图如下: 方块图如下:
当某一扰动使得加套反应釜的温度升高时,通过检测变送TT环节将测量值送回输入端,并与设定值进行比较获得偏差e,控制器按照一定的规律得到输出u,用以调节可控硅的电压值,使得加套反应釜的温度降低。(描述不绝对,只要答出负反馈的消除过程即可)。当某一扰动使得加套反应釜的温度升高时,通过检测变送TT环节将测量值送回输入端,并与设定值进行比较获得偏差e,控制器按照一定的规律得到输出u,用以调节可控硅的电压值,使得加套反应釜的温度降低。(描述不绝对,只要答出负反馈的消除过程即可)。
(4) (该值不绝对,因为取值可为稳态值的2%~5%) (5)采用衰减曲线法来整定参数。采用PI控制规律。加入积分作用后,可增大衰减比,如果不够大,可适当增大。(整定规律和具体方法不绝对,可有多种方法)