1 / 13

Современное состояние и перспективы HIT технологии производства солнечных элементов

Современное состояние и перспективы HIT технологии производства солнечных элементов. Б.Л.Эйдельман ЗАО «Телеком-СТВ». Основы HIT технологии солнечных элементов. Достигнутые результаты по эффективности HIT солнечных элементов. Преимущества HIT технологии.

nash-mcfarland
Download Presentation

Современное состояние и перспективы HIT технологии производства солнечных элементов

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Современное состояние и перспективы HIT технологии производства солнечных элементов Б.Л.Эйдельман ЗАО «Телеком-СТВ»

  2. Основы HIT технологии солнечных элементов

  3. Достигнутые результаты по эффективности HIT солнечных элементов

  4. Преимущества HIT технологии • Высочайшая эффективность (потенциал увеличения кпд составляет свыше 25%) • Низкий температурный коэффициент снижения мощности (-0,27%/K против -0,45%/K для стандартной технологии) • Низкотемпературный технологический процесс(сниженный бой, сохранение чистоты кремния) • Высокая радиационная стойкость (отсутствие деградации)

  5. Решение компании Roth&Rau

  6. Экономические показатели • Оценка себестоимости производства HJT солнечных элементов для линии мощностью 80 МВт составляет 0,19$/Wp по состоянию на конец 2012 г без стоимости кремниевой пластины или 0,55 $/Wp c кремниевой пластиной (текущая мировая стоимость монокристаллических ФЭП с кпд 18-19%, определяемая «китайским» фактором, составляет 0,52$/Wp, мультикристаллических с кпд 16-17% - 0,43$/Wp)). • Укрупнение масштабов производства до 320 MWp/год снизит себестоимость до 0,16$/Wp

  7. Сопоставление себестоимости производства модулей с ФЭП по перспективным технологиям • A.Goodrich and other “A wafer-based monocrystalline siliconphotovoltaics road map”, Solar energy Materials&Solar Cells, v. 114 (2013), pp.110-135

  8. Перспективы снижения себестоимости

  9. Перспективы развития технологии HIT • Достижение кпд на уровне 25% уже в 2014-15 гг. (компания Panasonic в 2013 г показала24,7%) • Переход к технологии IBC-HIT с кпд выше 25% (по данным исследовательского центра компании Mayer Burger – это возможно уже в 2014 г., компания LG Electronics еще в 2012 г. получила кпд 23,4%) • Изменение металлизации с Ag на Cu и снижение себестоимости производства до уровня 0,09 $/Wp

  10. Технологический маршрут IBC-HIT(предложение ЗАО «Телеком-СТВ») 1. Формирование слоя туннельно-прозрачного i- a-Si на обеих сторонах пластины, формирование слоя просветления SiNx на лицевой поверхности и слоя р- a-Si на обратной стороне, формирование локальной маски на обратной стороне пластины; 2. Травление слоя р- a-Si по маске

  11. Технологический маршрут IBC-HIT 3. Нанесение n- a-Si на обратную сторону пластины 4. Взрывная фотолитография n- a-Si слоя 5. Формирование слоя ITO на обратной стороне пластины

  12. Технологический маршрут IBC-HIT 6. Нанесение локальной металлической маски шелкографией 7. Травление по металлической маске электрически активных слоев

  13. Почему для России следует выбрать HIT технологию • Экономико-политические аспекты • Базовые научно-технические аспекты • Природно-климатические аспекты • Экспортный потенциал

More Related