电 子 技 术

1. 电 子 技 术 前 进

2. 绪 论 模 拟 部 分 数 字 部 分 退 出 电 子 技 术 （点击进入有关部分）

3. 电子技术发展简史 电子技术的应用 电子技术课程安排 退 出 绪 论 前 进 返 回

4. I. 电子技术发展史 电子技术的出现和应用，使人类进入了高新技术时代。电子技术诞生的历史虽短，但深入的领域却是最深最广，它不仅是现代化社会的重要标志，而且成为人类探索宇宙宏观世界和微观世界的物质技术基础。电子技术是在通信技术发展的基础上诞生的。随着新型电子材料的发现，电子器件发生了深刻变革。自1906年第一支电子器件发明以来，世界电子技术经历了电子管、晶体管和集成电路等重要发展阶段。 前 进 返 回

5. I. 电子技术发展史 电子技术的出现和应用，使人类进入了高新技术时代。电子技术诞生的历史虽短，但深入的领域却是最深最广，它不仅是现代化社会的重要标志，而且成为人类探索宇宙宏观世界和微观世界的物质技术基础。电子技术是在通信技术发展的基础上诞生的。随着新型电子材料的发现，电子器件发生了深刻变革。1906年第一支电子器件发明以来，世界电子技术经历了电子管、晶体管和集成电路等重要发展阶段。

6. 一. 通信技术的发展 1.原始通信方式——人力、烽火台等 2.横木通信机——1791年（法）C.Chappe 3.有线电报——1837年（美）S . B . Morse 4.有线电话——1875年（苏）A. G. Bell 5.无线电收发报机——1895年（意）G.Marconi 通信业务蓬勃发展——电子器件产生之后。

7. 电 子 管 晶 体 管 集 成 电 路 二. 电子器件的产生 • 电子器件是按照“电子管——晶体管——集成电路”的顺序，逐步发展起来的。

8. 二. 电子器件的产生 1. 真空电子管的发明： 真空二极管——1904年（美）Fleming 真空三极管——1906年（美）Leede Forest 2.晶体管的产生 晶体管Transistor——1947（美） Shockley、 Bardeen、Brattain 3.集成电路的出现 集成电路IC(integrate circuit)——1959 （美） Kilby、Noyis 集成电路的出现，标志着人类进入了微电子时代。

9. II .电子技术的应用 • 自电子器件出现至今，电子技术已经应用到了社会的各个领域。 前 进 返 回

10. 1875年（苏） 1901年（美） 1902年（美） 1906年（美） 1925年（美、英） 1923年（瑞） Internet互联网 VCD 1961年（美） 1946年（美） 1934年（俄） 1990年（美） 1992年（中） 1983年（美） II .电子技术的应用

11. 器件：二极管 、 三极管 、 场效应管 放大器： 基本放大器 、 反馈放大器 差动放大器 、 功率放大器 模拟部分 集成电路：集成运算放大器 电源：交流电源（振荡器）、 直流电源（稳压电源） 无线电：无线电知识 、 收音机 逻辑代数 无线电：无线电知识 、 收音机 逻辑门电路： 基本门 、 复合门 数字部分 组合逻辑电路 ： 编码器 、 译码器、选择器 比较器 、 加法器 脉冲： 脉冲变换 、 脉冲产生 III. 课程安排 一. 内容划分 返 回 前 进

12. 二. 时间安排 学习时间——1学年 上半年：模拟部分 下半年： 数字部分 三.学习注意事项 电路图多、内容分散、误差较大 课程特点 计算简单、实用性强 掌握电路的构成原则、记住几个典型电路 学习方法 及时总结及练习、掌握近似原则、与实验有机结合

13. 第一章 半导体器件 第二章 基本放大电路 第三章 放大电路的频率特性 第四章 集成运算放大器 第五章 负反馈放大器 第六章 信号运算电路 第七章 波形发生电路 第八章 功率放大电路 第九章 直流电源 退 出 第一编 模拟部分 前 进 返 回

14. 第一章 半导体器件 本章主要内容： 半导体材料、由半导体构成的PN 结、二极管结构特性、三极管结构特性及 场效应管结构特性。 前 进 返 回

15. 1 .1 半导体（Semiconductor）导电特性 根据导电性质把物质分为导体、绝 缘体、半导体三大类。 而半导体又分为本征半导体、杂质 （掺杂）半导体两种。

16. 1 .1 .1 本征半导体 纯净的、不含杂质的半导体。常用的半导体材 料有两种：硅（Si）、锗（Ge）。 硅Si （锗Ge）的原子结构如下： 这种结构的原子利用共价键构成了本征半导体结构。

17. 这种稳定的结构使得本征半导体常温下不能导电，呈现绝缘体性质。这种稳定的结构使得本征半导体常温下不能导电，呈现绝缘体性质。 但在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发） ，呈现导体的性质。

18. 这种稳定的结构使得本征半导体常温下不能导电，呈现绝缘体性质。这种稳定的结构使得本征半导体常温下不能导电，呈现绝缘体性质。 但在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发） ，呈现导体的性质。

19. 在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发）。在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发）。 空穴也可移动（邻近电子的依次填充）。

20. 在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发）。在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发）。 空穴也可移动（邻近电子的依次填充）。

21. 在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发）。在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发）。 空穴也可移动（邻近电子的依次填充）。

22. 半导体内部存在两种载流子（可导 电的自由电荷）：电子（负电荷）、空 穴（正电荷）。 在本征半导体中，本征激发产生了 电子—空穴对，同时存在电子—空穴对 的复合。 电子浓度 = 空穴浓度 ni =pi

23. 1 .1 .2 杂质半导体 在本征半导体中掺入少量的其他特定元素（称为杂质）而形成的半导体。 常用的杂质材料有5价元素磷P和3价元素硼B。 根据掺入杂质的不同，杂质半导体又分为N型半导体和P型半导体。

24. 掺如非金属杂质磷 P的半导体。每掺入一个磷原子就相当于向半导体内部注入一个自由电子。 一 . N型半导体（电子型半导体） N型半导体内部存在大量的电子和少量的空穴，电子属于多数载流子（简称多子），空穴属于少数载流子（简称少子）。 n≥p N型半导体主要靠电子导电。

25. 掺如非金属杂质硼 B 的半导体。每掺入一个硼原子就相当于向半导体内部注入一个空穴。 二 . P型半导体（空穴型半导体） P型半导体内部存在大量的空穴和少量的电子，空穴属于多数载流子（简称多子），电子属于少数载流子（简称少子）。 p ≥ n P型半导体主要靠空穴导电。

26. 杂质半导体的简化表示法 杂质半导体导电性能主要由多数载流子决定，总体是电中性的，通常只画出其中的杂质离子和等量的多数载流子。

27. 1 .2 半导体二极管（Diode） 二极管的主要结构是PN结。

28. 将一块P型半导体和一块N型半导体有机结合在一起，其结合部就叫PN结（该区域具有特殊性质）。 1 .2 .1 PN结（ PN Junction ）

29. 一. PN结的形成 多子扩散（在PN结合部形成内电场EI）。 内电场阻碍多子扩散、利于少子漂移。 当扩散与漂移相对平衡，形成PN结。 PN结别名：耗尽层、势垒区、电位壁垒、阻挡层、内电场、空间电荷区等。

30. 二. PN结性质——单向导电性

31. 0.7V（Si管） 正偏电压U= 0.2V（Ge管 二. PN结性质——单向导电性 1. 正向导通 PN结外加正向电压（正向偏置）——P接 +、N接 - ，形成较大正向电流（正向电阻较小）。如3mA。 2.反向截止 PN结外加反向电压（反向偏置）——P接 -、N接 +，形成较小反向电流（反向电阻较大）。如10μA。 当电压超过某个值（约零点几伏），全部少子参与导电，形成“反向饱和电流IS”。 反偏电压最高可达几千伏。

32. 1 .2 .2 二极管 用外壳将PN结封闭，引出2根极线，就构成了二极管 。 一．二极管伏安特性 正向电流较大（正向电阻较小），反向电流较小（反向电阻较大）。 门限电压（死区电压）Vγ(Si管约为0.5V、Ge管约为0.1V)，反向击穿电压VBR（可高达几千伏） 二极管电压电流方程：

33. 二．二极管主要参数 1. 最大整流电流IF 2. 最高反向工作电压UR 3. 反向电流IR 4. 最高工作频率fM

34. 1 .3 三极管（Transistor） 由三块半导体构成，分为NPN型和PNP型两种。三极管含有3极、2结、3区。其中发射区高掺杂，基区较薄且低掺杂，集电区一般掺杂。 1 .3 .1 三极管结构及符号

35. 1 .3 三极管（Transistor） 1 .3 .2 三极管的三种接法（三种组态） 三极管在放大电路中有三种接法：共发射极、共基极、共集电极。

36. 1 .3 三极管（Transistor） 1 .3 .3 三极管内部载流子传输 为保证三极管具有放大作用（直流能量转换为交流能量），三极管电路中必须要有直流电源，并且直流电源的接法必须保证三极管的发射结正偏、集电结反偏 。 下面以共发射极NPN管为例分析三极管内部载流子的运动规律，从而得到三极管的放大作用。

37. 1 .3 .3 三极管内部载流子传输 一.发射区向基区 发射载流子(电子)

38. I I EN BN 1 .3 .3 三极管内部载流子传输 一.发射区向基区 发射载流子(电子) 二.电子在基区的 疏运输运和复合

39. I I CN BN I B I I E C I CBO 1 .3 .3 三极管内部载流子传输 一.发射区向基区 发射载流子(电子) 二.电子在基区的 疏运输运和复合 三.集电区收集电子

40. 1 .3 .4 三极管各极电流关系 一. 各极电流关系 IE=IEN+IBN≈IEN IB=IBN－ICBO IC=ICN+ICBO IE=IC+IB 二. 电流控制作用 β=ICN/IBN≈IC/IB IC=βIB+(1+ β)ICBO=βIB+ICEO≈βIC α=ICN/IEN≈IC/IE IC= αIE+ICBO≈ αIE

41. 1 .3 .5 共射NPN三极管伏安特性曲线 一. 输入特性曲线 IB=f ( UBE ，UCE) 实际测试时如下进行： IB=f ( UBE )|UCE UCE ＞5V的特性曲线基本重合为一条，手册可给出该条曲线。

42. 1 .3 .5 共射NPN三极管伏安特性曲线 二. 输出特性曲线 IC=f ( IB ，UCE) 实际测试时如此进行： IC=f ( UCE )|IB

43. 1 .3 .5 共射NPN三极管伏安特性曲线 二. 输出特性曲线 发射结正偏、集电结反偏时，三极管工作在放大区(处于放大状态)，有放大作用：IC =βIB+ICEO IC=f ( IB ，UCE) 实际测试时如下进行： IC=f ( UCE )|IB 两结均反偏时，三极管工作在截至区(处于截止状态) ，无放大作用。IE=IC=ICEO≈0 发射结正偏、集电结正偏时，三极管工作在饱和区(处于饱和状态) ，无放大作用。IE=IC（较大）

44. 1 .3 .6 三极管主要参数 一. 电流放大系数 1. 共发射极电流放大系数 直流β≈IC/IB交流β≈ΔIC/ΔIB均用β表示。 2. 共基极电流放大系数 直流α≈IC/IE交流α≈ΔIC/ΔIE均用α表示。 β=α/(1－α) α=β/(1+β) 二. 反向饱和电流 1.集电极—基极间反向饱和电流ICBO 2.集电极—发射极间穿透电流ICEO ICEO =(1+β)ICBO

45. 1 .3 .6 三极管主要参数 一. 电流放大系数 β≈IC/IB α≈IC/IE β=α/(1－α) α=β/(1+β) 二. 反向饱和电流 ICBO ICEOICEO =(1+β)ICBO 三. 极限参数 1. 集电极最大允许电流ICM 2. 集电极最大允许功耗PCM 3. 反向击穿电压U(BR)CEO、U(BR)CBO

46. 三极管的安全工作区

47. 1 .4 场效应管（Field Effect Transistor） 场效应管是单极性管子，其输入PN结处于反偏或绝缘状态，具有很高的输入电阻（这一点与三极管相反），同时，还具有噪声低、热稳定性好、抗辐射性强、便于集成等优点。 场效应管是电压控制器件，既利用栅源电压控制漏极电流（iD = gmuGS）——这一点与三级管（电流控制器件, 基极电流控制集电极电流,iC = βiB）不同，而栅极电流iD为0（因为输入电阻很大）。 场效应管分为两大类:结型场效应管（JFET——Junction Field Effect Transistor）、绝缘栅型场效应管（IGFET——Insulated Gate Field Effect Transistor）。

48. 1 .4 .1 结型场效应管 一. 结构及符号 N沟道管靠（单一载流子）电子导电，P沟道管靠（单一载流子）空穴导电。场效应管的栅极G、源极S和漏极D与三级管的基极b、发射极e和集电极c相对应。

49. 1 .4 .1 结型场效应管 二.工作原理（栅源电压UGS对漏极电流ID的控制作用） 以N沟道管为例。漏源之间的PN结必须反偏。 N沟道结型场效应管加上反偏的栅源电压UGS (UGS＜0) ，在漏源之间加上漏源电压UDS(UDS＞0)，便形成漏极电流ID。而且UGS可控制ID。

50. 1 .4 .1 结型场效应管 二.工作原理（栅源电压UGS对漏极电流ID的控制作用） 1.当VGS=0时，沟道最宽，沟道电阻最小，加上VDS可形成最大的ID； 2.当VGS＜0时，沟道逐渐变窄，沟道电阻逐渐变大，ID逐渐减小； 3.当VGS=VP (夹断电压)时，沟道夹断，沟道电阻为无限大，ID=0。 所以，栅源电压VGS对漏极电流ID有控制作用。