В.С
Download
1 / 17

?.? . ????????? - PowerPoint PPT Presentation


  • 109 Views
  • Uploaded on

В.С . Першенков. использование КОНВЕРСИОННОЙ МОДЕЛИ ДЛЯ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ЭФФЕКТА НИЗКОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ В БИПОЛЯРНЫХ ПРИБОРАХ. План выступления. Эффект низкой интенсивности в биполярных приборах Конверсионная модель встраивания поверхностных состояний Инверсная S – образная характеристика

loader
I am the owner, or an agent authorized to act on behalf of the owner, of the copyrighted work described.
capcha
Download Presentation

PowerPoint Slideshow about ' ?.? . ?????????' - may-mason


An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Presentation Transcript
6720399

В.С.Першенков

использование КОНВЕРСИОННОЙ МОДЕЛИ ДЛЯ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ЭФФЕКТА НИЗКОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ В БИПОЛЯРНЫХ ПРИБОРАХ


6720399
План выступления

  • Эффект низкой интенсивности в биполярных приборах

  • Конверсионная модель встраивания поверхностных состояний

  • Инверсная S –образная характеристика

  • Экстракция подстроечных параметров

  • Прогнозирование работоспообности биполярных приборов


6720399
Эффект низкой интенсивности в биполярных транзисторах

  • Влияние мощности дозы на радационно-индуцированную деградацию коэффициента усиления.

  • Деградация коэффициента усиления значительно возрастает с уменьшением интенсивности ионизирующего излучения.


6720399

Основное положение модели: эффект низкой интенсивности связан с аномальным накоплением поверхностных состояний


6720399

Энергетическая диаграмма границы раздела окисел-полупроводник (SiO2-Si), иллюстрирующая конверсию положительного заряда захваченных дырок Qot



6720399
Зависимость приращения плотности поверхностных состояний или приращения тока базы от интенсивности и времени облучения


6720399
Проблема плотности поверхностных состояний или приращения тока базы от интенсивности и времени облучения

Экстракция параметров модели


6720399
Послерадиационный отжиг плотности поверхностных состояний или приращения тока базы от интенсивности и времени облучения


6720399
Постоянная времени конверсии плотности поверхностных состояний или приращения тока базы от интенсивности и времени облученияглубоких ловушек


6720399
Экспериментальные данные плотности поверхностных состояний или приращения тока базы от интенсивности и времени облучения

EA = 0.48эВ, τГ0= 0.18·10-3 с

(NPN BC817)

EA = 0.38эВ, τГ0 = 4.5·10-3 с

(PNP BC807)


6720399
Специфика высокой интенсивности плотности поверхностных состояний или приращения тока базы от интенсивности и времени облучения


6720399
Глубокие ловушки плотности поверхностных состояний или приращения тока базы от интенсивности и времени облучения

Использование высокотемпературного облучения для экстракции концентрации глубоких ловушек


6720399

Прогнозирование работы сложных ИМС

Экстракция подстроечных параметров. Полное описание S–образной характеристики.

Вычисление деградации тока базы для транзистора из состава данной ИМС при заданных условий функционирования на орбите: интенсивность и суммарная доза (возможен поэтапный набор дозы в разных радиационных поясах).

Расчет постоянной времени конверсии для получения прогнозируемой деградации тока базы при интенсивности, соответствующей тестовым испытаниям.

Расчет температуры облучения, при которой необходимо проведение тестовых испытаний.


6720399
Прогнозирование температуры при высокоинтенсивных тестовых испытаниях

  • Экстракция Nг, τг, EA

  • Расчёт (ΔIб)орбита при интенсивности на орбите

  • Расчёт τг при тестовой интенсивности (ΔIб)орбита

  • Расчёт (Tобл)тест с использованием τг=τг0·exp(EA/kT)


6720399
Температура при тестовых испытанияхсложных микросхем


6720399

Спасибо испытаниях

за внимание


ad