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martin-ochoa

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Presentation Transcript

  1. IC製程介紹

  2. IC製程講義目錄 一:IC製程概述 二:晶圓的制造 三:前工序的主要工藝 四:后工序.組裝.封裝和測試 五:IC製程技術發展趨勢 六:IC製程几個小知識 a.CMOS.BI-POLAR.BI-CMOS工藝 b.IC 失效的分析

  3. IC制造過程概述 IC制造工藝概述 1.先將硅單晶切成大片 2.研磨﹑拋光 3.氧化﹑光刻﹑擴散﹑外延﹑蒸發﹑在單晶片上按照一定 的圖形和結构制造出電路﹒ 4.初測﹑畫片. 5.燒結(固定到管位)﹑壓焊(焊上引線) 6.封管﹑老化﹑總測﹑分檔﹑噴漆﹑打印1 ﹑2﹑3﹑4合 稱為前工序.4﹑5合稱為后工序.

  4. 前工序主要工藝 前工序主要工藝主要包括以下六個工藝 1.外延 2.本征氧化 3.光刻 4.淀積 5.摻雜(改性 ) 6.腐蝕 以上工藝主要為制造出集成電路中所需的各個晶体管﹑ 二級体﹑電阻﹑電容等元件.

  5. 后工序 1.組裝和封裝 主要任務   一﹕圓片切割与中測分類   二﹕芯片互連 2﹒測試(測試划分為﹕測試應用﹑工藝過程檢測. 一﹕應用測試基本有四种﹕ (1)﹕中測 (2)﹕成品測試 (3)﹕質量測試 (4)﹕可靠性測試 二:工藝過程檢測 (1)材料檢測 (2)工藝檢測

  6. IC基本制造工藝 IC的基本制造工藝主要包括以下三重:     1.CMOS集成工藝     2.BIPOLAR工藝     3.BI-CMOS工藝

  7. 基區擴散電阻結構示意圖 利用集成晶體管的基區擴散層做成,N型外延層接電路 的最高電位,或接至電阻器中兩端中電位較高的一端, 澈底接電路的最負端,這樣,R-R之間就形成了一個獨立 的電阻器.

  8. 利用長基區擴散電阻進行交叉走線 (上圖)頂視圖 (下圖)橫截面圖 利用基區擴散電阻﹑隱埋層電阻上的氧化層走線

  9. 發射區擴散層-隔离擴散層-隱埋層PN結電容結构發射區擴散層-隔离擴散層-隱埋層PN結電容結构 等效圖(實際上是兩個電容并聯)

  10. Failure analysis flow Receive test fail Failure history Check (FT/QCtest failed item Electrical problem no fail Verify reject@ Room temperature Is device Failure parmetric? Is device failure Function? fail yes Verify reject@ High temperature Curve trace (by HP4145) Determin fail mode (bitmap) fail Verify reject@ Low temperature determine temp/volt sensitivity pass no Fae check Application environment Sat/x-ray Package problem? Decap and Om/sem 1.probing 2.hot spot (emmi/liquid crystal Deprocesses and Om/sem/eds yes Made engineering decision Bake reject 150’c,24hrs