1 / 12

Алексеева Л.Г., аспирант каф. МНЭ

Исследование эффектов памяти и обратимого переключения в тонкопленочных системах металл/полупроводник/металл . Н4.1. Наноустройства и микросистемная техника . Алексеева Л.Г., аспирант каф. МНЭ. Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет

liona
Download Presentation

Алексеева Л.Г., аспирант каф. МНЭ

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Исследование эффектов памяти и обратимого переключения в тонкопленочных системах металл/полупроводник/металл Н4.1. Наноустройства и микросистемная техника Алексеева Л.Г., аспирант каф. МНЭ Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет им. Ульянова (Ленина) «ЛЭТИ» 17 мая, Санкт-Петербург, Россия

  2. Область исследования, проблематика Разработка, создание и диагностика тестовых МП(Д)М-структур с эффектом резистивного переключения с возможным получением на их основе чипов памяти. • Почему это интересно: • простая структура с двумя контактами, • энергонезависимое сохранение состояния системы, • быстродействие, • способность к многоуровневым состояниям. Но до сих пор остаются не решенными проблемы, касающиеся времени хранения, мощности, затрачиваемой на переключение, стабильности параметров, и главное, механизмов переключения и памяти.

  3. Memristor-переменный резистор с двумя контактами, и сопротивлением, зависящим от количества заряда q, прошедшего между контактами. • “memristorpinched hysteresis loop fingerprint”

  4. Основные цели и задачи: комплексные исследования

  5. Доступное оборудование

  6. верхний электрод Pt PbOх Si - подложка SiO2 подслой Ti нижний электрод Pt Предмет исследований АСМ-изображение поверхности пленок PbOx,отожженных при 580 ◦С Размер: 15 х 15 мкм 6

  7. Революционная технология хранения информации при одинаковой стоимости накопителя 7

  8. Оценка стоимости байта информации • Оборудование и материалы:150,000 тыс. руб. • Остальные затраты: 30,000 тыс. руб. • С учетом срока окупаемости 5 лет 8

  9. План реализации

  10. Планируемые результаты • Определение физических механизмов переключения. • Время переключения не более 10 нс, неограниченное время хранения информации. • Технологические параметры, обеспечивающие стабильную работу образцов. • Технология изготовления продукта, охраняемая в режиме секрета производства (ноу-хау) с возможной патентной защитой общих технологических параметров. В качестве конечной цели проекта выступает лицензионное соглашение по передаче секрета производства с оказанием инженерно-консультационных услуг, включая организацию лицензионного производства, пуско-наладочные работы и подготовку кадров . 10

  11. Перспективы развития проекта 11

  12. Спасибо за внимание! • Алексеева Л.Г., аспирант каф. МНЭ • Email: alekseevalgen@gmail.com

More Related