RTG DIFRAKCE NA SEMIPOLÁRNÍCH EPITAXNÍCH VRSTVÁCH G
Download
1 / 13

- PowerPoint PPT Presentation


  • 96 Views
  • Uploaded on

RTG DIFRAKCE NA SEMIPOLÁRNÍCH EPITAXNÍCH VRSTVÁCH G a N. V áclav Holý Katedra fyziky kondenzovaných látek MFF UK, Ke Karlovu 5, hol y@mag.mff.cuni.cz. GaN – jeden z nejdůležitějších polovodičových materiálů Modré, zelené a bílé světelné diody. Struktura GaN:. Wurtzitová mřížka.

loader
I am the owner, or an agent authorized to act on behalf of the owner, of the copyrighted work described.
capcha
Download Presentation

PowerPoint Slideshow about '' - lilika


An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Presentation Transcript
Rtg difrakce na semipol rn ch epitaxn ch vrstv ch g a n

RTG DIFRAKCE NA SEMIPOLÁRNÍCH EPITAXNÍCH VRSTVÁCH GaN

Václav Holý

Katedra fyziky kondenzovaných látek MFF UK, Ke Karlovu 5,

holy@mag.mff.cuni.cz

Informace pro studenty


Rtg difrakce na semipol rn ch epitaxn ch vrstv ch g a n

GaN – jeden z nejdůležitějších polovodičových materiálů

Modré, zelené a bílé světelné diody

Informace pro studenty




Rtg difrakce na semipol rn ch epitaxn ch vrstv ch g a n

Struktura GaN: materiálů

Wurtzitová mřížka

Informace pro studenty


Rtg difrakce na semipol rn ch epitaxn ch vrstv ch g a n

Z materiálůakázaný pás šířky asi 3.1 eV

Depozice metodou CVD na různé substráty: Al2O3, SiC, Si(111)

Informace pro studenty


Rtg difrakce na semipol rn ch epitaxn ch vrstv ch g a n

(0001) basal c-plane materiálů

Informace pro studenty


Rtg difrakce na semipol rn ch epitaxn ch vrstv ch g a n

(11 materiálů20) a-plane

Informace pro studenty


Rtg difrakce na semipol rn ch epitaxn ch vrstv ch g a n

a- materiálůGaN:

basal stacking faults in (0001) planes, prismatic stacking faults in {1210} a-planes

Basal stacking faults:

fcc-like segment

See the review in M. A. Moram and M. E. Vickers, Rep. Prog. Phys. 72, 036502 (2009)

Informace pro studenty


Rtg difrakce na semipol rn ch epitaxn ch vrstv ch g a n

R. Liu, A. Bell, and F. A. materiálůPoncea, C. Q. Chen, J. W. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 86, 021908 (2005).

cross-section TEM with basal SFs

basal and prismatic SFs

HRTEM, basal SF, type I1

Informace pro studenty


Rtg difrakce na semipol rn ch epitaxn ch vrstv ch g a n

In most cases, the basal stacking faults in the (0001) plane are larger than the coherence width of primary radiation  the stacking faults give rise to streaks in reciprocal space along [0001].

The simulation of the intensity distribution along the streak is made by a Monte-Carlo method

Ideal hcp stacking:

Ideal fcc stacking:

I1 stacking fault:

We assumed geometric distribution of random distances between stacking faults

Informace pro studenty


Rtg difrakce na semipol rn ch epitaxn ch vrstv ch g a n

Cíle bakalářské práce: are larger than the coherence width of primary radiation

1. Simulace rtg difrakce na vrstvách a-GaN s vrstevnými chybami

2. Měření rtg difrakce na epitaxních vrstvách a-GaN (prof. Krost, Univ. Magdeburg, prof. Hommel, Univ. Bremen) v naší rtg laboratoři a na synchrotronech

Informace pro studenty


Rtg difrakce na semipol rn ch epitaxn ch vrstv ch g a n

Co požadujeme: are larger than the coherence width of primary radiation

Dobré znalosti přednášky Fyzika IV

Zručnost práce s počítačem

Základní znalost programování (Matlab)

Základní experimentální dovednosti, např. chytnout vzorek do pinzety tak, aby nespadl na zem 

Co nabízíme:

Slušné zacházení a přátelské prostředí (zeptejte se sami Vašich kolegů)

Zajímavou práci na zajímavém tématu na unikátních vzorcích

Cestování na synchrotrony (Hamburg, Grenoble, aj.) pokud budete mít zájem

M. Barchuk, V. Holý, B. Miljevic, B. Krause, T. Baumbach, J. Hertkorn, and F. Scholz, Journal of Appl. Phys. 108, 043521  (2010).

M. Barchuk, V. Holý, B. Miljević, B. Krause, and T. Baumbach, Appl. Phys. Lett. 98, 021912 (2011).

M. Barchuk, V. Holý, D. Kriegner, J. Stangl, S. Schwaiger, and F. Scholz, Phys. Rev. B 84, 094113 (2011).

Informace pro studenty


ad