mikroelektronika 4 n.
Download
Skip this Video
Loading SlideShow in 5 Seconds..
MIKROELEKTRONIKA 4. PowerPoint Presentation
Download Presentation
MIKROELEKTRONIKA 4.

Loading in 2 Seconds...

play fullscreen
1 / 19

MIKROELEKTRONIKA 4. - PowerPoint PPT Presentation


  • 131 Views
  • Uploaded on

MIKROELEKTRONIKA 4. 1. Nemlineáris elektromos jelenségek, eszközök 2. Félvezetők optikája, nemegyensúlyi folyamatok, fotovezetés, lumineszcencia, eszközök. Negatív differenciális ellenállás kialakulása (σ d =dI/dV):. Lineáris eset : J= σ E = eµnE,

loader
I am the owner, or an agent authorized to act on behalf of the owner, of the copyrighted work described.
capcha
Download Presentation

MIKROELEKTRONIKA 4.


An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Presentation Transcript
  1. MIKROELEKTRONIKA 4. 1. Nemlineáris elektromos jelenségek, eszközök 2. Félvezetők optikája, nemegyensúlyi folyamatok, fotovezetés, lumineszcencia, eszközök

  2. Negatív differenciális ellenállás kialakulása (σd=dI/dV): Lineáris eset : J= σE = eµnE, az elektron termodinamikai egyensúlyban van a ráccsal, az elektromos tér elhanyagolhatóan hat a teljes energiára I E elektromos térben azlszabadúthosszon az elektron eEl energiára tesz szert, amelyet akusztikai fononnak ad át vagy kap ütközések következtében. Viszonylagos energiavesztés: =E/kT. Még nagyobb sebesség –bekapcsolódnak az optikai fononok is, a folyamat telítődik. Az ütközés rugalmas, ha eEl / E  1, ekkor vv0, azaz a pótsebesség kisebb az egyensúlyinál. Ha összemérhető vagy nagyobb – nemlineáris effektus V I, A/cm2 1000 100 10 Ge, 300K 100 1000 V/cm

  3. Mechanizmusok: Ütközési (Avalanche) ionizáció, (E≈ 5 V/cm – az adalékok ionizációja) E Elektrostatikus ionizáció , a potenciális gát csökkenése: Tunelezés : Háromszögű gát áthaladásának valószínűsége: U E 107 V/cm Ed Ec 105 V/cm rm Ev

  4. Alagútdióda működése:

  5. OVONIC switch Statikus (a) és impulzus karakterisztikák (b) bistabil OVONIC kapcsolóban Statikus (a) és impulzus karakterisztikák (b) monostabil OVONIC kapcsolóban

  6. Zener dióda (stabilitron) C. Zener – az átütés tunelezési mechanizmusa. 5,6 V letörési feszültség, egy másik diódával kompenzált diódában 6,2 V. –akár referencia! Áram, feszültség, hőmérséklet stabilizálás.

  7. Metallization cell memory switch M.Mitkova.

  8. Félvezetők optikája Optikai elnyelés: Bouguer törvénye • Két fontos feltétel: • foton-elektron kölcsönhatásnál marad a teljes energia • E1= E+h • 2. foton-elektron kölcsönhatásnál marad az elektron kvaziimpulzusa • p1=p+hk/2, k – hullámvektor • E=p2/2m*, p=kh/2π I0 IR I1 x I Tehát ha 0, k  0, dielektrikum, az anyag áttetsző, 1+( 1+( n4Eg=77

  9. Lehető elektronátmenetek a félvezetőkben: E Ec Ev Direkt megengedett átmenetek

  10. Nemegyensúlyi folyamatok, fotovezetés Fotovezetés spektruma. Fotovezetés: f =e(n0+n)n +(p0+p)p p-n átmenet, napelem f stac = e  α n I / h L Hozam: G=Ifoto/Ifoton Ifoto=e(Iopt/h)(nV/L)

  11. Fotorezisztorok kvantum hatásfoka

  12. Lumineszcencia, eszközök Hatásfok :=pr / pr+ pnr E Foto- Röntgen- Elektro- Termo- Chemo- nr r Indikátorok, Képernyők, Kimenet: LED, laser, MQWL.

  13. LED és LD

  14. LED

  15. OLED Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium (AlQ3)