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嵌入式系统讲义 第 4 章 S3C2410X 系统结构

嵌入式系统讲义 第 4 章 S3C2410X 系统结构. 周国运 2007.3. 第三章习题解答 1 、 ARM 指令中的第二操作数“ operand2” 有哪些具体形式？ 解：有三种：寄存器、寄存器移位、 8 位位图立即数。. 2 、 对于 ARM 的变址寻址方式，有基地址和偏移地址两部分组成。（ 1 ）基地址可以是哪些寄存器？（ 2 ）偏移地址可以有哪些形式？（ 3 ）总地址的计算方法有哪些？怎么表示？（ 4 ）变址寻址应用于哪些指令？ 解：（ 1 ）基地址可以是通用寄存器 R0---R15 中的任意一个。

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嵌入式系统讲义 第 4 章 S3C2410X 系统结构

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  1. 嵌入式系统讲义第4章 S3C2410X系统结构 周国运 2007.3

  2. 第三章习题解答 1、 ARM指令中的第二操作数“operand2”有哪些具体形式？ 解：有三种：寄存器、寄存器移位、8位位图立即数。

  3. 2、 对于ARM的变址寻址方式，有基地址和偏移地址两部分组成。（1）基地址可以是哪些寄存器？（2）偏移地址可以有哪些形式？（3）总地址的计算方法有哪些？怎么表示？（4）变址寻址应用于哪些指令？2、 对于ARM的变址寻址方式，有基地址和偏移地址两部分组成。（1）基地址可以是哪些寄存器？（2）偏移地址可以有哪些形式？（3）总地址的计算方法有哪些？怎么表示？（4）变址寻址应用于哪些指令？ 解：（1）基地址可以是通用寄存器R0---R15中的任意一个。 （2）偏移地址可以有三种形式：12位立即数、寄存器、寄存器移位。 （3）总地址的计算方法。有三种：前索引偏移、后索引偏移、程序相对偏移。 即偏移地址的计算方法 • 前索引偏移：即先使用偏移，后传送数据。不定修改基地址。 如：LDR Rd，[Rn,#m]； STR Rd，[Rn,#m]!(修改基地址) • 后索引偏移：即先传送数据，后先使用偏移，修改基地址。 如：LDR Rd，[Rn]，#m • 相对偏移：寻址地址在PC中，以当前指令为基地址，±4KB内。 如：LDR Rd，lable ；lable为程序标号 （4） 有4条指令： LDR、STR、LDM、STM

  4. 3、 存储器从0x400000开始的100个单元中存放着ASCII码，编写程序，将其所有的小写字母转换成大写字母，对其它的ASCII码不做变换。3、 存储器从0x400000开始的100个单元中存放着ASCII码，编写程序，将其所有的小写字母转换成大写字母，对其它的ASCII码不做变换。 解： MOV R0，#0x400000 MOV R1，#0 LP LDRB R2，[R0,R1] CMP R2，#0x61 BLO NEXT CMP R2，#0x7B ;0x61---0x7A为小写字母的ASC SUBLO R2， R2，#0x20 STRBLO R2，[R0,R1] NEXT ADD R1， R1，#1 CMP R1，#100 BNE LP

  5. 4、 编写程序，比较存储器中0x400000和0x400004两无符号字数据的大小，并且将比较结果存于0x400008的字中，若两数相等其结果记为0，若前者大于后者其结果记为1，若前者小于后者其结果记为-1。4、 编写程序，比较存储器中0x400000和0x400004两无符号字数据的大小，并且将比较结果存于0x400008的字中，若两数相等其结果记为0，若前者大于后者其结果记为1，若前者小于后者其结果记为-1。 解： MOV R0，#0x400000 LDR R1，[R0] ；取第1个数 LDR R2，[R0，#4]；取第2个数 CMP R1，R2 ；两个数相比较 MOVHI R1，#1 ；R1大 MOVLO R1，# -1 ；R1小 MOVEQ R1，#0；两个数相等 STR R1，[R0，#8]

  6. 7、 编写一程序，存储器中从0x400200开始有一个64位数。（1）将取反，再存回原处；（2）求其补码，存放到0x400208处 。 解： LDR R0，=0x400200 LDR R2，=0xFFFFFFFF LDR R1，[R0] ；取低32位数 EOR R1，R1，R2 ；取反 STR R1，[R0] ；存低32位反码 ADDS R1，R1，#1 ；又加1为求补 STR R1，[R0，#8] ；存低32位补码 LDR R1，[R0，#4] ；取高32位数 EOR R1，R1，R2 ；取反 STR R1，[R0，#4] ；存高32位反码 ADC R1，R1，#0 ；高32位求补 STR R1，[R0，#12] ；存高32位补码

  7. 8、 编写一简单ARM汇编程序段，实现1+2+…+100的运算。8、 编写一简单ARM汇编程序段，实现1+2+…+100的运算。 解： MOV R2，#100 MOV R1，#0 LOOP ADD R1，R1，R2 ；R1中为累加和 SUBS R2，R2，#1 ；R2控制循环 BNE LOOP

  8. 习 题 本章作业：2、3、5、7、10、12、15 1、S3C2410X主要特性有哪些？ 2、S3C2410X的结构分为几个部分？每一部分主要由哪些部件构成？ 3、S3C2410X的存储器由哪几部分构成，每一部分有什么特点？存储器主要有哪些控制寄存器？ 4、S3C2410X的Flash有哪些特点？ 5、S3C2410X的DMA有哪些特点？其工作过程是怎样的？每个通道配置有哪些寄存器？ 6、S3C2410X的A/D转换器有哪些特点？有哪些相关的寄存器？ 7、编写一程序，用查询的方式，对S3C2410X的A/D转换器的第0通道连续进行100次A/D转换，然后将其结果求平均值。注意：A/D转换器有独立的模拟信号输入引脚AIN0---AIN9。

  9. 8、S3C2410X的中断系统有哪些特点？相关的寄存器有哪些？8、S3C2410X的中断系统有哪些特点？相关的寄存器有哪些？ 9、S3C2410X的中断控制器的工作过程是怎样的？对于IRQ，整个中断过程是怎样的（中断控制器处理，向CPU请求，转到中断入口，转去获得中断服务程序的首地址，执行中断服务程序）？ 10、编写一程序，使用外部中断EINT0，用中断方式对端口C做数据输入。（注意对中断系统和相关引脚进行初始化） 提示：C语言指向特定地址的方法： （1）#define rGPCDAT (*(volatile unsigned *)0x56000024) （2）int *rGPCDAT=0x56000024; （3）int *rGPCDAT; rGPCDAT=0x56000024; 用第一种方法为好。 11、S3C2410X的定时器系统有哪些特点？由哪几部分构成？相关的寄存器有哪些？是如何工作的？

  10. v 0 t0 2*t0 t 12、编写一程序，使用timer0产生并输出频率为10KHz、占空比为1/2的方波。设fpclk=50MHz。（注意对timer0和相关引脚初始化） 13、编写一程序，利用S3C2410X的PWM功能对一直流电机进行调速，要求使用timer1产生并输出频率为10KHz、占空比可变的方波进行控制，电机的转速变化如下图所示。设fpclk=50MHz。（注意对timer0和相关引脚初始化） 14、S3C2410X的串行接口UART有哪些特点？由哪几部分构成？相关的寄存器有哪些？是如何工作的？

  11. 15、编写一程序，使用S3C2410X的UART2进行串行数据收发，要求用脉冲请求中断的方式、使用收/发FIFO，8个数据位、1个停止位、不校验，波特率为125kb/s。设Pclk为50MHz。（提示：主程序对UART2初始化、引脚配置、中断初始化等，并进行一次发送；中断服务程序进行收发，并且清除中断请求标志和中断服务标志）15、编写一程序，使用S3C2410X的UART2进行串行数据收发，要求用脉冲请求中断的方式、使用收/发FIFO，8个数据位、1个停止位、不校验，波特率为125kb/s。设Pclk为50MHz。（提示：主程序对UART2初始化、引脚配置、中断初始化等，并进行一次发送；中断服务程序进行收发，并且清除中断请求标志和中断服务标志） 16、S3C2410X的SPI接口有哪些特点？由哪几部分构成？相关的寄存器有哪些？是如何工作的？ 17、编写一程序，使用S3C2410X的UART2进行串行数据收发，要求用脉冲请求中断的方式、使用收/发FIFO，8个数据位、1个停止位、不校验，波特率为125kb/s。设Pclk为50MHz。（提示：主程序对UART2初始化、引脚配置、中断初始化等，并进行一次发送；中断服务程序进行收发，并且清除中断请求标志和中断服务标志）

  12. 18、 把S3C2410的SPI0设为主设备，同时把SPI1设为从设备，将二者的MOSI、MISO交叉相连，二者的SCL对连， 用GPG0引脚控制nSS1。编写程序， SPI0用中断方式、 SPI1用查询方式，采用格式B、1Mb/s的波特率，SPI0发送数据、SPI1接收数据，发送、接收100个字节的数据。设系统Pclk=50MHz。

  13. 第4章 S3C2410X系统结构 主要内容 4.1 S3C2410X概述 4.2 存储器配置 4.3 DMA 4.4 ADC和触摸屏接口 4.5 中断控制器 4.6 I/O端口 4.7 PWM 4.8 UART接口 4.9 SPI接口 4.10 IIC接口 4.11 RTC 4.12时钟和电源管理 4.13看门狗 4.14 其它接口

  14. 4.14 其它接口 1、 USB接口 2、 LCD控制器 3、 SD接口 4、 IIS接口

  15. 4.1 S3C2410X概述 主要内容 • 主要特性 • 系统结构 • 引脚信号

  16. 4.1 S3C2410X概述 S3C2410X是韩国三星公司推出的16/32位RISC微控制器，其CPU采用的是ARM920T内核，加上丰富的片内外设，为手持设备和其它应用，提供了低价格、低功耗、高性能微控制器的解决方案。 一、主要特性 • 具有16KB指令Cache、 16KB数据Cache和存储器管理单元MMU。 • 外部存储器控制器，可扩展8组，每组128MB，总容量达1GB；支持从Nand flash存储器启动。

  17. 55个中断源，可以设定1个为快速中断，有24个外部中断，并且触发方式可以设定。55个中断源，可以设定1个为快速中断，有24个外部中断，并且触发方式可以设定。 • 4通道的DMA，并且有外部请求引脚。 • 3个通道的UART，带有16字节的TX/RX FIFO，支持IrDA1.0功能。 • 具有2通道的SPI、1个通道的IIC串行总线接口和1个通道的IIS音频总线接口。 • 有2个USB主机总线的端口，1个USB设备总线的端口。 • 有4个具有PWM功能的16位定时器和1个16位内部定时器。 • 8通道的10位A/D转换器，最高速率可达500kB/s；提供有触摸屏接口。 • 具有117个通用I/O口和24通道的外部中断源。

  18. 兼容MMC的SD卡接口。 • 具有电源管理功能，可以使系统以普通方式、慢速方式、空闲方式和掉电方式工作。 • 看门狗定时器。 • 具有日历功能的RTC。 • 有LCD控制器，支持4K色的STN和256K色的TFT，配置有DMA通道。 • 具有PLL功能的时钟发生器，时钟频率高达203MHz。 • 双电源系统：1.8/2.0V内核供电，3.3V存储器和I/O供电。

  19. 二、系统结构 主要由两大部分构成： ARM920T内核 片内外设。

  20. 1、ARM920T内核 由三部分：ARM9内核ARM9TDMI、32KB的Cache、MMU。

  21. 2、片内外设 分为高速外设和低速外设，分别用AHB总线和APB总线。

  22. 三、引脚信号 S3C微控制器是272-FBGA封装。 其信号可以分成 addr0---addr26、 Data0---data31、 GPA0---GPA22 GPB10、GPC15、 GPD15、GPE15、 GPF7、GPG15、 GPH10、EINT23、 nGCS0—nGCS7、 AIN7、IIC、SPI、 OM0---OM3 等，大部分都是复用的

  23. 4.2 S3C2410X的存储器 主要内容 • 存储器配置 • 存储器概述 • 控制寄存器 • Flash及控制器 • Flash控制器概述 • 控制器主要特性 • 控制器的寄存器 • 控制器的工作原理

  24. 4.2 存储器配置 4.2.1 S3C2410X的存储器配置 一、概 述 S3C2410X的存储器管理器提供访问外部存储器的所有控制信号：26位地址信号、32位数据信号、8个片选信号、以及读/写控制信号等。 S3C2410X的存储空间分成8组，最大容量是1GB，bank0---bank5为固定128MB，bank6和bank7的容量可编程改变，可以是2、4、8、16、32、64、128MB，并且bank7的开始地址与bank6的结束地址相连接，但是二者的容量必须相等。 bank0可以作为引导ROM，其数据线宽只能是16位和32位，复位时由OM0、OM1引脚确定；其它存储器的数据线宽可以是8位、16位和32位。 S3C2410X的存储器格式，可以编程设置为大端格式，也可以设置为小端格式。

  25. 注意：补充引脚信号

  26. 第9次到 此此 二、存储器的控制寄存器 内存控制器为访问外部存储空间提供存储器控制信号， S3C2410X存储器控制器共有13个寄存器。

  27. 1、总线宽度和等待控制寄存器 STn：控制存储器组n的UB/LB引脚输出信号。 1：使UB/LB与nBE[3：0]相连； 0：使UB/LB与nWBE[3：0]相连 WSn：使用/禁用存储器组n的WAIT状态 1：使能WAIT；0：禁止WAIT DWn：控制存储器组n的数据线宽 00：8位；01：16位；10：32位；11：保留

  28. 2、BANKn---存储器组控制寄存器（n=0--5） Tacs：设置nGCSn有效前地址的建立时间 00：0个；01：1个；10：2个；11：4个时钟周期 Tcos：设置nOE有效前片选信号的建立时间 00：0个；01：1个；10：2个；11：4个时钟周期 Tacc：访问周期 000：1个；001：2个；010：3个；011：4个时钟 100：6个：101：8个；110：10个；111：14个

  29. Tcoh：nOE无效后片选信号的保持时间 00：0个；01：1个；10：2个；11：4个时钟 Tcah： nGCSn无效后地址信号的保持时间 00：0个；01：1个；10：2个；11：4个时钟 Tacp：页模式的访问周期 00：2个；01：3个；10：4个；11：6个时钟 PMC：页模式的配置，每次读写的数据数 00：1个；01：4个；10：8个；11：16个 注：00为通常模式。 注：紫色为实验箱上的配置，其值为0x0700

  30. 3、BANK6/7---存储器组6/7控制寄存器 MT：设置存储器类型 00：ROM或者SRAM，[3：0]为Tacp和PMC； 11：SDRAM， [3：0]为Trcd和SCAN；01、10：保留 Trcd：由行地址信号切换到列地址信号的延时时钟数 00：2个时钟；01：3个时钟；10：4个时钟 SCAN：列地址位数 00：8位； 01：9位； 10：10位

  31. 4、REFRESH---刷新控制寄存器 REFEN：刷新控制。 1：使能刷新；0：禁止刷新 TREFMD：刷新方式。 1：自刷新 0：自动刷新 Trp：设置SDRAM行刷新时间（时钟数） 00：2个时钟；01：3个；10：3个；11：4个时钟 Tsrc：设置SDRAM行操作时间（时钟数） 00：4个时钟；01：5个；10：6个；11：7个时钟 注： SDRAM的行周期= Trp + Tsrc。 Refresh_count：刷新计数值

  32. Refresh_count：刷新计数器值 计算公式： 刷新周期=（211- Refresh_count+1）/HCLK 例子：设刷新周期=15.6µs，HCLK=60MHz 则 刷新计数器值=211+1-60×15.6=1113 1113=0x459=0b10001011001

  33. 5、BANKSIZE---BANK6/7组大小控制寄存器 高24位未用。 BURST_EN：ARM突发操作控制 0：禁止突发操作；1：可突发操作 SCKE_EN：SCKE使能控制SDRAM省电模式 0：关闭省电模式；1：使能省电模式 SCLK_EN：SCLK省电控制，使其只在SDRAM访问周期内使能SCLK 0：SCLK一直有效；1：SCLK只在访问期间有效 BK76MAP：控制BANK6/7的大小及映射

  34. BK76MAP：控制BANK6/7的大小及映射 100：2MB； 101：4MB； 110：8MB 111：16MB； 000：32MB； 001：64MB 010：128MB

  35. 6、MRSRB6/7---BANK6/7模式设置寄存器 WBL：突发写的长度。0：固定长度；1：保留 TM：测试模式。 00：模式寄存器集；其它保留 CL：列地址反应时间 000：1个时钟；010：2个时钟； 011：3个时钟；其它保留 BT：猝发类型 0：连续； 1：保留 BL：猝发时间000：1个时钟；其它保留

  36. 4.2.2 Nand Flash及其控制器 主要内容 1、Nand Flash控制器概述 2、控制器主要特性 3、控制器的寄存器 4、控制器的工作原理

  37. 4.2.2 Nand Flash及其控制器 Nor flash存储器：读速度高，而擦、写速度低，容量小，价格高。 Nand flash存储器：读速度不如Nor flash，而擦、写速度高，容量大，价格低。有取代磁盘的趋势。 因此，现在不少用户从Nand flash启动和引导系统，而在SDRAM上执 行主程序代码。 一、Nand Flash控制器概述 S3C2410X微控制器从Nand flash的引导功能：其内部有一个叫做“起步石（Steppingstone）”的 SRAM缓冲器，系统 启动时，Nand flash存储器的前面4KByte字节将被自动载入到起步石中，然后系统自动执行这些载入的引导代码。引导代 码执行完毕后，自动跳转到SDRAM执行。 Nand flash操作的校验功能：使用S3C2410X内部硬件ECC功能可以对Nand flash的数据进行有效性的检测。

  38. 二、 Nand Flash控制器主要特性 • Nand Flash模式：支持读/擦/编程Nand flash存储器。 • 自动导入模式：复位后，引导代码被送入Steppingstone，传送后，引导代码在 Steppingstone中执行。 • 具有硬件ECC（纠错码）功能：硬件产生纠错代码。 • 内部4KB的SRAM缓冲器Steppingstone，在Nand flash引导后可以作为其他用途使用。

  39. 主要由6部分组成 引脚信号： CLE：命令锁存 R/nB ：就绪/忙 Nand Flash控制器功能框图

  40. 三、Nand Flash 控制器的寄存器

  41. 1、NFCON---Flash配置寄存器 NFEN：NF控制器使能控制 0：禁止使用； 1：允许使用 IECC：初始化ECC编码/解码器控制位 0：不初始化ECC； 1：初始化ECC NFCE：NF片选信号nFCE控制位持续时间设置 0： nFCE为低有效； 0： nFCE为高无效 TACLE：CLE/ALE持续时间设置值（0---7） 持续时间＝HCLK * (TACLS + 1) CLE/ALE ：命令/地址锁存允许

  42. TWRPH0：写信号持续时间设置值（0～7） 持续时间＝HCLK * (TWRPH0＋1) TWRPH1：写信号无效后CLE/ALE保持时间设置值（0～7） 持续时间＝HCLK * (TWRPH1＋1) 2、NFCMD---Flash命令寄存器

  43. 3、NFADDR---Flash地址寄存器 高24位未用，低8位为读入或者写出的数据 高24位未用，低8位为Flash存储器地址值 4、NFDATA---Flash数据寄存器

  44. 5、NFSTAT---Flash状态寄存器 RnB：Nand Flash存储器状态位 0：存储器忙； 1：存储器准备好 6、NFECC---Flash错误校正码寄存器

  45. 四、Nand Flash 控制器的工作原理 1、自动导入启动代码步骤 • 完成复位。 • 如果自动导入模式使能，Nand flash存储器的前面4K字节被自动拷贝到Steppingstone 内部缓冲器中。 • Steppingstone被映射到nGCS0对应的BANK0存储空间。 • CPU在Steppingstone的4-KB内部缓冲器中开始执行引导代码。 注意： 在自动导入模式下，不进行ECC检测。因此，Nand flash的前4KB应确保不能有位错误（一 般Nandflash厂家都确保）。

  46. 2、Nand FLASH模式配置 • 通过NFCONF寄存器配置Nand flash； • 写Nand flash命令到NFCMD寄存器； • 写Nand flash地址到NFADDR寄存器； • 在读写数据时，通过NFSTAT寄存器来获得Nand flash的状态信息。应该在读操作前或写入 之后检查R/nB信号（准备好/忙信号）。 • 在读写操作后要查询校验错误代码，对错误进行纠正。

  47. 3、系统引导和 Nand FLASH 配置 • OM[1:0] = 00b：使能Nand flash控制器自动导入模式； OM[3：0]为芯片引脚，设置引导模式、存储器bank0的数据宽度、时钟模式等。 OM[1:0] = 01b、10b： bank0数据宽度为16位、32位 OM[1:0]=11b：测试模式 • Nand flash的存储页面大小应该为512字节。 • NCON ：Nand flash 寻址步骤数选择 0：3步寻址； 1：4步寻址

  48. 4、Nand Flash操作的校验问题 S3C2410A在写/读操作时，每512字节数据自动产生3字节的ECC奇偶代码(24位)。 24位 ECC 奇偶代码＝18位行奇偶 ＋ 6位列奇偶 ECC产生模块执行以下步骤： • 当MCU写数据到Nand时，ECC产生模块生成ECC代码。 • 当MCU从Nand读数据时，ECC产生模块生成ECC代码同时用户程序将它与先前写入时产 生的ECC代码比较。

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