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共汲極放大器

共源極放大器. 9-1. MOSFET 數位開關. 9-6. 共汲極放大器. 9-2. 故障檢修. 9-7. 共閘極放大器. 9-3. D 類放大器. 9-4. MOSFET 類比開關. 9-5. 9-1  共源極放大器. 和第 6 章 BJT 共射極放大器相比較。 FET 明顯優於 BJT 的是 FET 的輸入阻抗非常高。 缺點是有較高的失真與較低的增益。. FET 交流模型 (FET AC Model). 圖 9-1. 電壓增益. 圖 9-2  外接交流汲極電阻時的

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共汲極放大器

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  1. 共源極放大器 9-1 MOSFET 數位開關 9-6 共汲極放大器 9-2 故障檢修 9-7 共閘極放大器 9-3 D類放大器 9-4 MOSFET 類比開關 9-5

  2. 9-1 共源極放大器 • 和第6章BJT共射極放大器相比較。 • FET 明顯優於 BJT 的是 FET 的輸入阻抗非常高。 • 缺點是有較高的失真與較低的增益。

  3. FET交流模型 (FET AC Model) 圖9-1

  4. 電壓增益 圖9-2 外接交流汲極電阻時的 簡化FET等效電路。

  5. 例題 9-1 • 某FET的gm=4 mS。如果外接交流汲極阻抗是1.5 k,則理想狀況下的電壓增益為多少?

  6. 例題 9-1 • 解

  7. JFET放大器工作原理 (JFET Amplifier Operation) 圖9-3JFET共源極放大器。

  8. 圖解說明 (A Graphical Picture) 圖9-4JFET 特性曲線。

  9. 直流分析 (DC Analysis) • 圖解法的方式就是在同一張圖上畫出負載線 圖9-5JFET 共源極放大器。 圖9-6圖9-5 放大器的 直流等效電路。

  10. 例題 9-2 • 計算圖 9-6 中 JFET 放大器Q-點的ID與VGS。這個特定 JFET 的典型IDSS值為4.3 mA,VGS(off)為 -7.7V。

  11. 例題 9-2 • 解 • 畫出互導曲線。終點位於IDSS與VGS(off)。從圖 8-12 的一般曲線中可以很快畫出兩點為 • 及 • 在這個特定的 JFET,此兩點的位置如圖 9-7(a) 所示。第八章曾提過負載線起始於原點,終止於 ID= IDSS與VGS= IDSSRS。把負載線加到圖形中,找出交會點 (Q-點) 的ID與VGS,如圖 9-7(b) 所示。如圖所示,ID = 2.2 mA與VGS=-2.4V。

  12. 例題 9-2 • 解 圖9-7(a) 畫出互導曲線 (b) 加上負載線。

  13. 數學方法(Mathematical Approach) • 方程式擴展成二次方程式後再求解。

  14. 例題 9-3 • 利用數學方法找出圖 9-6 之 JFET 放大器在 Q-點的ID與VGS。此 JFET 的IDSS為 4.3 mA, VGS(off)為-7.7V。

  15. 例題 9-3 • 解 • 以下列六個步驟,使用TI-89計算ID。 • 步驟1:在使用畫面上選擇Numeric Solver圖示。 • 步驟2:按下ENTER來顯示Numeric Solver畫面。

  16. 例題 9-3 • 解 • 步驟3:輸入公式。每一個變數的文字都必須用 字母開頭。

  17. 例題 9-3 • 解 • 步驟4:按下ENTER來顯示變數。

  18. 例題 9-3 • 解 • 步驟5:除了id之外,輸入每個變數的值。

  19. 例題 9-3 • 解 • 步驟6:移動游標至id並且按下F2來求解。 答案是 .0021037......(2.104 mA)。 • 計算 VGS

  20. 交流等效電路 (AC Equivalent Circuit) 圖9-8圖9-5中放大器的交流等效電路。

  21. 電壓增益(Voltage Gain) 或 其中 且Vin= Vgs。

  22. 例題 9-4 • 圖 9-9 中,未加負載之放大器的總輸出電壓為何?其中IDSS為 4.3mA,VGS(off)為-2.7V。 圖9-9

  23. 例題 9-4 • 解 • 利用例題 9-2 的圖解法或例題 9-3 中使用圖形計算器的數學方法找出ID。計算器的結果為 • 利用此數值,計算VD。 • 接著計算gm如下:

  24. 例題 9-4 • 解 • 最後,找出交流輸出電壓。

  25. 交流負載對電壓增益的影響 (Effect of an AC Load on Voltage Gain) 圖9-10JFET放大器與其交流等效電路。

  26. 例題 9-5 • 如果將4.7 k的負載電阻交流耦合到例題9-4放大器的輸出端,則輸出電壓的有效值為多少?

  27. 例題 9-5 • 解 • 交流汲極阻抗為 • Vout的計算結果為 • 例題9-4中沒有負載的交流輸出電壓為700 mV。

  28. 反向作用與輸入抗阻 • 反相作用 (Phase Inversion) • 汲極端的輸出電壓與閘極端的輸入電壓呈180°反相。 • 輸入阻抗 (Input Resistance) • 由於VGS/IGSS通常大於RG, 輸入抗阻值非常接近於RG的值。

  29. 例題 9-6 • 圖9-11中由信號源所看見的輸入阻抗為多少?VGS=10 V時, IGSS=30 nA。 圖9-11

  30. 例題 9-6 • 解 • JFET 閘極端的輸入阻抗為 • 信號源所看見的輸入阻抗是 • 對實用目的來說, RIN可以假設與RG相同。

  31. D-MOSFET放大器工作原理 (D-MOSFET Amplifier Operation) 圖9-12D-MOSFET零偏壓共源極放大器。

  32. 圖解D-MOSFET放大器工作原理 圖9-13 以轉換特性曲線顯示的 D-MOSFET 空乏-增強模式。

  33. E-MOSFET放大器工作原理 (E-MOSFET Amplifier Operation) 圖9-14 分壓器偏壓方式的E-MOSFET共源極放大器。

  34. 圖解E-MOSFET放大器工作原理 圖9-15 以轉換特性曲線說明的n通道E-MOSFET的工作原理。

  35. 例題 9-7 • 圖9-16是某n 通道JFET、D-MOSFET、及E-MOSFET的轉換特性曲線。在每個曲線的Q-點上Vgs以 ±1V的幅度變化,試求Id的峰對峰值變化。 圖9-16

  36. 例題 9-7 • 解 • (a)JFET的Q-點在VGS=-2V及ID=2.5 mA處。圖9-16 (a) 的座標圖形中,在VGS=-1V時, ID=3.4mA;在VGS=-3 V時, ID=1.8 mA。所以汲極電流峰對峰值是1.6 mA。 • (b)D-MOSFET的Q-點在VGS=0 V及ID= IDSS=4 mA處。圖9-16 (b) 的座標圖形中,在VGS=-1 V時, ID=2.5 mA;在VGS=+1 V時ID=5.3 mA。所以汲極電流峰對峰值是2.8 mA。

  37. 例題 9-7 • 解 • (c)E-MOSFET的Q-點在VGS=+8 V及ID=2.5 mA 處。圖9-16 (c) 的座標圖形中,在VGS=+9 V時, ID=3.9 mA;在VGS= +7V時, ID=1.7 mA。所以汲極電流峰對峰值是2.2 mA。

  38. E-MOSFET之ID與Rin • 求解ID • 此電壓增益公式對JFET和D-MOSFET電路均相同。其交流輸入阻抗為 其中RIN(gate) = VGS /IGSS。

  39. 例題 9-8 • 圖9-17所示為使用E-MOSFET的共源極放大器。試求VGS、 ID、 VDS及交流輸出電壓。假設此元件VGS=4 V時 ID(ON)=200 mA, VGS(th)=2 V、gm=23 mS及Vin=25 mV。 圖9-17

  40. 例題 9-8 • 解 • 當VGS=4 V時, • 所以,

  41. 例題 9-8 • 解 • 交流輸出電壓為

  42. 9-2 共汲極放大器 • 類似 BJT的共集極放大器 • 源極電壓幾乎與輸入端的閘極電壓相同 • 相位也相同 • 共汲極放大器也稱為「源極隨耦器」

  43. 電壓增益 (Voltage Gain) 圖9-18JFET 共汲極放大器 (源極隨耦器) 。

  44. 電壓增益 (Voltage Gain) • 電壓增益永遠略小於1。如果 , 可以得到很好的近似結果 圖9-19 共汲極放大器的 負載電阻與Rs並聯後的電 壓值。

  45. 輸入阻抗 (Input Resistance) • 其中RIN(gate) = VGS/ IGSS

  46. 例題 9-9 • 運用圖9-21特性資料表,求出圖9-20的放大器電壓增益。同時也求出輸入阻抗。請使用特性資料表上各相關數據的最小值。因為是 p通道元件,所以VDD為負值。 圖9-20

  47. 例題 9-9 圖9-21p通道JFET 2N5460-2N5465的部分特性資料表。

  48. 例題 9-9 圖9-21(續)p通道JFET 2N5460-2N5465的部分特性資料表。

  49. 例題 9-9 • 解 • 既然 , 。查閱圖9-21的部分特性資料表gm=yfs=1000S(最小值) 。電壓增益等於 • 查閱特性資料表, VGS=20 V時IGSS=5 nA (最大值) 。所以,

  50. 9-3 共閘極放大器 • 類似 BJT 的共基極放大器 • 具有低輸入阻抗

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