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RF 放大器設計 主動元件 偏壓 阻抗匹配 PCB 佈局 偏壓設計 溫度效應 增益， NF ， S 參數， ，工作點 偏壓穩定性 避免振盪 ： C E 、 R E 電晶體差異

3. 小信號放大器偏壓. RF 放大器設計 主動元件 偏壓 阻抗匹配 PCB 佈局 偏壓設計 溫度效應 增益， NF ， S 參數， ，工作點 偏壓穩定性 避免振盪 ： C E 、 R E 電晶體差異. R B /R E I C 、 A I 尺寸. R E 溫度 V BE. 溫度及 V BE 穩定性 I B << I R2 、 I R1. D 之選用 與電晶體同材質 V BE 穩定性. R F 負回授. 線性放大器 A 或 AB 類 不用電阻網路及負回授 增益 高溫度穩定性 主動偏壓網路. 4. S 參數與放大器.

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RF 放大器設計 主動元件 偏壓 阻抗匹配 PCB 佈局 偏壓設計 溫度效應 增益， NF ， S 參數， ，工作點 偏壓穩定性 避免振盪 ： C E 、 R E 電晶體差異

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Presentation Transcript

  1. 3. 小信號放大器偏壓 • RF放大器設計 • 主動元件 • 偏壓 • 阻抗匹配 • PCB佈局 • 偏壓設計 • 溫度效應 • 增益，NF，S參數，，工作點 • 偏壓穩定性 • 避免振盪 ：CE、RE • 電晶體差異

  2. RB/RE • IC、AI • 尺寸 • RE • 溫度 • VBE

  3. 溫度及VBE穩定性 • IB<< IR2、 IR1 • D之選用 • 與電晶體同材質 • VBE穩定性

  4. RF • 負回授

  5. 線性放大器 • A或AB類 • 不用電阻網路及負回授 • 增益 • 高溫度穩定性 • 主動偏壓網路

  6. 4. S參數與放大器 • 轉送功率增益 GT=PL/PAVS • 工作功率增益 GP=PL/PIN • 有效功率增益 GA=PAVN/PAVS

  7. 穩定因素 k；（） • 無條件穩定：k>1 • 潛在性不穩定：0<k<1

  8. 並存共軛匹配：雙向性：S120；k>1 • 雙向性定值增益放大器 • 選擇性匹配 • k>1；k<1

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