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Ch 3 隧道磁电阻( TMR )效应

Ch 3 隧道磁电阻( TMR )效应. 本讲内容( 2 学时)重点: 隧穿现象和 隧道磁电阻( TMR )效应 Julliere 公式 STM 和自旋极化的 STM. 隧穿现象. “M - I—M” 振荡波和衰减波 电子的穿透率 用 WBK 方法计算波函数. 计算穿透率 T 自由电子情况. 结果: 简化: 位垒 与坐标无关, ( 1 )强入射、弱势垒 入射能量 E 接近 V0 、 绝缘层 很窄 (X2-X1)→ 0 。 那么, I → 0 ; T→1 。 电子的穿透。

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Presentation Transcript


  1. Ch 3 隧道磁电阻(TMR)效应 本讲内容(2学时)重点: 隧穿现象和 隧道磁电阻(TMR)效应 Julliere公式 STM 和自旋极化的STM

  2. 隧穿现象 “M-I—M” 振荡波和衰减波 电子的穿透率 用 WBK 方法计算波函数

  3. 计算穿透率 T 自由电子情况 结果: 简化: 位垒 与坐标无关, (1)强入射、弱势垒 入射能量E接近 V0、绝缘层很窄 (X2-X1)→ 0。 那么,I → 0;T→1。 电子的穿透。 (2)弱入射、强势垒 反之。 那么,I → 很大;T→很小。电子受阻。

  4. 隧穿电流(Simmons 公式,1963) 计入Fermi-Dirac 统计 (1) → (2) 电子 (2) → (1) 电子 隧穿电流 近似结果: 隧穿电流 ≈ 指数衰减部分×状态函数部分 其中,指数部分= F(势垒宽、高度,...) 状态部分= F(两个电极的性质,...)

  5. 几种隧穿现象 不同的“两电极性质”和“势垒、宽、高度” (近似!) 名称 势垒 电极 1 隧道效应 绝缘体 简单金属-I -简单金属 2 隧道磁电阻效应 绝缘体 铁磁金属-I -铁磁金属 3 扫描隧道显微镜STM 真 空 简单金属-V-待测样品 4 自旋极化STM 真 空 铁磁金属-V-待测样品 5 .........

  6. 隧穿磁电阻 (TMR) 效应 “FM-I- FM”结 发现 M Julliere (1975); 再发现 T Miyazaki (1995) Moodera (1995)

  7. GMR TMR

  8. TMR实验结果韩秀峰等

  9. TMR物理

  10. Julliere公式(1) 隧穿电流 (近似!)I ∝ 指数衰减部分×状态密度部分 上左图 FM电极的磁矩彼此“平行” (注意:数值大小是 ) 上右图 FM电极的磁矩彼此“反平行” (注意:数值大小是 )

  11. Julliere公式(2) 隧穿电流的大小 ? 问题:>? 这就是TMR效应 如果 就有 当然

  12. Julliere公式(3) TMR比率(放大的) 分子 = 分母 =

  13. Julliere公式(4) TMR的公式(用自旋极化率 表示) 第一个电极 第二个电极 简单代数运算,得到 Julliere的公式,

  14. Julliere公式(5) “保守的”Julliere的公式 例子,如果,以Fe和Co 作为电极, 那么 TMR比率=0。26

  15. STM 将“M-I-M”结中绝缘体 (I) 换成“真空”,得STM。 将Julliere“FM-I-FM”结中绝缘体(I) 换成“真空”,得自旋极化的STM。

  16. STM工作原理(1) 隧穿电流 I ∝ 指数衰减部分×状态密度部分 隧穿电流I的指数衰减部分为 是探针和样品表面之间的距离

  17. STM工作原理(2) 恒流模式:固定隧穿电流 I 为此,因为被测表面起伏不平, “上电极”需上下移动,以保证 取固定值。 将“上电极”的移动放大,得到表面起伏的“图像”。 因为, 在公式的指数上面,灵敏度高。 表面原子级的起伏和电性质的图像―――诺贝尔奖。

  18. 自旋极化的STM 问题: 自旋极化的STM和Julliere公式 (隧穿电流与自旋相对取向有关) 原理: 隧穿电流 I ∝ 指数衰减部分×状态密度部分 隧穿电流 的状态密度部分, 取决于两电极磁矩的相对取向。

  19. 自旋极化的STM 工作原理 FM(CrO2)针/ AFM(Cr)样品 磁化状态改变了 隧穿电流。 为电流恒定,而 调整真空空隙。 不同自旋极化状态 等效于 “附加的”空隙。

  20. 结束

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