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第七章 半导体存储器

存储器 —— 用以存储二进制信息的器件 。 半导体存储器的分类： 根据使用功能的不同，半导体存储器可分为两大类： （ 1 ）随机存取存储器（ RAM ）也叫做读 / 写存储器。既能方便地读出所存数据，又能随时写入新的数据。 RAM 的缺点是数据易失，即一旦掉电，所存的数据全部丢失。 （ 2 ）只读存储器（ ROM ）。其内容只能读出不能写入。 存储的数据不会因断电而消失，即具有非易失性。 存储器的容量：存储器的容量 = 字长（ n ） × 字数（ m ）. 第七章 半导体存储器. 一． RAM 的基本结构

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第七章 半导体存储器

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Presentation Transcript

  1. 存储器——用以存储二进制信息的器件。 半导体存储器的分类： 根据使用功能的不同，半导体存储器可分为两大类： （1）随机存取存储器（RAM）也叫做读/写存储器。既能方便地读出所存数据，又能随时写入新的数据。RAM的缺点是数据易失，即一旦掉电，所存的数据全部丢失。 （2）只读存储器（ROM）。其内容只能读出不能写入。 存储的数据不会因断电而消失，即具有非易失性。 存储器的容量：存储器的容量=字长（n）×字数（m） 第七章 半导体存储器

  2. 一．RAM的基本结构 由存储矩阵、地址译码器、读写控制器、输入/输出控制、片选控制等几部分组成。 7.1 随机存取存储器（RAM）

  3. 图中，1024个字排列成32×32的矩阵。 为了存取方便，给它们编上号。 32行编号为X0、X1、…、X31， 32列编号为Y0、Y1、…、Y31。 这样每一个存储单元都有了一个固定的编号，称为地址。 1. 存储矩阵

  4. 2．地址译码器——将寄存器地址所对应的二进制数译成有效的行选信号和列选信号，从而选中该存储单元。2．地址译码器——将寄存器地址所对应的二进制数译成有效的行选信号和列选信号，从而选中该存储单元。 采用双译码结构。 行地址译码器：5输入32输出，输入为A0、A1 、…、A4， 输出为X0、X1、…、X31； 列地址译码器：5输入32输出，输入为A5、A6 、…、A9，输出为Y0、Y1、…、Y31， 这样共有10条地址线。 例如，输入地址码A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0=0000000001，则行选线 X1＝1、列选线Y0＝1，选中第X1行第Y0列的那个存储单元。

  5. 3． RAM的存储单元 例. 六管NMOS静态存储单元

  6. 当选片信号CS＝1时，G5、G4输出为0，三态门G1、G2、G3均处于高阻状态，输入/输出（I/O）端与存储器内部完全隔离，存储器禁止读/写操作，即不工作；当选片信号CS＝1时，G5、G4输出为0，三态门G1、G2、G3均处于高阻状态，输入/输出（I/O）端与存储器内部完全隔离，存储器禁止读/写操作，即不工作； 4. 片选及输入/输出控制电路 当CS＝0时，芯片被选通：当 ＝1时，G5输出高电平，G3被打开，于是被选中的单元所存储的数据出现在I/O端，存储器执行读操作； 当 ＝0时，G4输出高电平，G1、G2被打开，此时加在I/O端的数据以互补的形式出现在内部数据线上，存储器执行写操作。

  7. 读出操作过程如下： （1）欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端； （2）加入有效的选片信号CS； （3）将待写入的数据加到数据输入端。 （3）在 线上加低电平，进入写工作状态； （4）让选片信号CS无效，I/O端呈高阻态。 二. RAM的工作时序（以写入过程为例）

  8. 1．位扩展 用8片1024（1K）×1位RAM构成的1024×8位RAM系统。 三． RAM的容量扩展

  9. 2．字扩展 用8片1K×8位RAM构成的8K×8位RAM。

  10. RAM的芯片简介(6116) • 6116为2K×8位静态CMOSRAM • 芯片引脚排列图： • A0～A10是地址码输入端，D0～D7是 • 数据输出端， 是选片端， • 是输出使能端， 是写入控制端。

  11. （2）一次性可编程ROM（PROM）。出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需要编程，但只能编程一次。（2）一次性可编程ROM（PROM）。出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需要编程，但只能编程一次。 7.2 只读存储器(ROM) 一． ROM的分类 按照数据写入方式特点不同，ROM可分为以下几种： （1）固定ROM。厂家把数据写入存储器中，用户无法进行任何修改。 （3）光可擦除可编程ROM（EPROM）。采用浮栅技术生产的可编程存储器。其内容可通过紫外线照射而被擦除，可多次编程。 （4）电可擦除可编程ROM（E2PROM）。也是采用浮栅技术生产的可编程ROM，但是构成其存储单元的是隧道MOS管，是用电擦除，并且擦除的速度要快的多（一般为毫秒数量级）。E2PROM的电擦除过程就是改写过程，它具有ROM的非易失性，又具备类似RAM的功能，可以随时改写（可重复擦写1万次以上）。 （5）快闪存储器（Flash Memory）。也是采用浮栅型MOS管，存储器中数据的擦除和写入是分开进行的，数据写入方式与EPROM相同，一般一只芯片可以擦除/写入100次以上。

  12. 二．ROM的结构及工作原理 1. ROM的内部结构 由地址译码器和存储矩阵组成。

  13. 2. ROM的基本 工作原理： 由地址译码器 和或门存储矩阵组成。 例：存储容量为4×4的ROM

  14. 二极管固定ROM举例 （1）电路组成： 由二极管与门和 或门构成。 与门阵列组成 译码器，或门 阵列构成存储 阵列。

  15. （2）输出信号表达式 与门阵列输出表达式： 或门阵列输出表达式： （3）ROM存储内容的真值表

  16. 1.作函数运算表电路 【例7.2—1】试用ROM构成能实现函数y=x2的运算表电路，x的取值范围为0～15的正整数。 三． ROM的应用 【解】（1）分析要求、设定变量 自变量x的取值范围为0～15的正整数，对应的4位二进制正整数，用B=B3B2B1B0表示。根据y=x2的运算关系，可求出y的最大值是152＝225，可以用8位二进制数Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。 （2）列真值表—函数运算表

  17. Y7=m12+m13+m14+m15 （3）写标准与或表达式 Y6=m8+m9+m10+m11+m14+m15 Y5=m6+m7+m10+m11+m13+m15 Y4=m4+m5+m7+m9+m11+m12 Y3=m3+m5+m11+m13 Y2=m2+m6+m10+m14 Y1=0 Y0= m1+m3+m5+m7+m9+m11+m13+m15 (4)画ROM存储矩阵结点连接图 为做图方便，我们将ROM矩阵中的二极管用节点表示。

  18. 【解】 （1）写出各函数的标准与或表达式： 按A、B、C、D顺序排列变量，将Y1、Y2、Y4扩展成为四变量逻辑函数。 2.实现任意组合逻辑函数 【例7.2—2】试用ROM实现下列函数：

  19. （2）选用16×4位ROM，画存储矩阵连线图：

  20. 四．EPROM举例——2764

  21. 五.ROM容量的扩展 （1）字长的扩展（位扩展） 现有型号的EPROM，输出多为8位。 下图是将两片2764扩展成8k×16位EPROM的连线图。

  22. 用8片2764扩展成64k×8位的EPROM： （2）字数扩展（地址码扩展）

  23. 本章小节 1．半导体存储器是现代数字系统特别是计算机系统中的重要组成部件，它可分为RAM和ROM两大类。 2．RAM是一种时序逻辑电路，具有记忆功能。其存储的数据随电源断电而消失，因此是一种易失性的读写存储器。它包含有SRAM和DRAM两种类型，前者用触发器记忆数据，后者靠MOS管栅极电容存储数据。因此，在不停电的情况下，SRAM的数据可以长久保持，而DRAM则必需定期刷新。 3．ROM是一种非易失性的存储器，它存储的是固定数据，一般只能被读出。根据数据写入方式的不同，ROM又可分成固定ROM和可编程ROM。后者又可细分为PROM、EPROM、E2PROM和快闪存储器等，特别是E2ROM和快闪存储器可以进行电擦写，已兼有了RAM的特性。 4．从逻辑电路构成的角度看，ROM是由与门阵列（地址译码器）和或门阵列（存储矩阵）构成的组合逻辑电路。ROM的输出是输入最小项的组合。因此采用ROM构成各种逻辑函数不需化简，这给逻辑设计带来很大方便。随着大规模集成电路成本的不断下降，利用ROM构成各种组合、时序电路，愈来愈具有吸引力。

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