slide1 n.
Download
Skip this Video
Loading SlideShow in 5 Seconds..
Máster Universitario de Investigación en Tecnologías de la Información y las Comunicaciones PowerPoint Presentation
Download Presentation
Máster Universitario de Investigación en Tecnologías de la Información y las Comunicaciones

Loading in 2 Seconds...

  share
play fullscreen
1 / 22
kamal-becker

Máster Universitario de Investigación en Tecnologías de la Información y las Comunicaciones - PowerPoint PPT Presentation

92 Views
Download Presentation
Máster Universitario de Investigación en Tecnologías de la Información y las Comunicaciones
An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.

- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Presentation Transcript

  1. Grupo de Investigación Reconocido (GIR) Grupo de Caracterización de Materiales y Dispositivos Electrónicos Máster Universitario de Investigación en Tecnologías de la Información y las Comunicaciones Caracterización dedispositivos ycircuitos electrónicosHelena Castán LanaspaSalvador Dueñas CarazoHéctor García García Profesores: Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación Miembros del:

  2. CONTENIDOS • I. Introducción • II. Instrumentación electrónica para la caracterización de materiales, dispositivos y circuitos electrónicos. • III. Técnicas de caracterización eléctrica de materiales, estructuras y dispositivos electrónicos. • IV. Técnicas de análisis de la respuesta en frecuencia de dispositivos electrónicos. • V. Técnicas de medida y extracción de parámetros de circuitos electrónicos.

  3. Introducción: Líneas de investigación • Investigación en el campo de la caracterización eléctrica de materiales y dispositivos electrónicos. • Puesta a punto un conjunto de técnicas estándar basadas en el análisis de los mecanismos de conducción y de los parámetros eléctricos (capacidad, conductancia, etc.). • Modificaciones de estas técnicas estándar para su aplicación a estructuras particulares. • Desarrollo y Aplicación de técnicas originales y nuevas variantes y que resultan más precisas o más adecuadas en determinadas circunstancias.

  4. Desarrollo de nuevas técnicas de caracterización eléctrica de dispositivos semiconductores: Espectroscopía Óptica de Admitancia (OAS) Espectroscopía Óptica de Niveles Profundos a Capacidad Constante (CC-DLOS) Técnica de Transitorios Capacidad-Tensión (CVTT) Técnica de Transitorios de Conductancia (GTT) Análisis de Impedancia en Radio Frecuencia (RFIA) Técnica de Transitorios de Tensión de Banda Plana (VFB-t) Caracterización eléctrica y óptica de centros profundos en semiconductores. Caracterización de estados superficiales y defectos en el aislante en estructuras Metal-Aislante- Semiconductor.

  5. Estudio de nuevos materiales y procesos de fabricación en Microelectrónica: Semiconductores: Silicio, GaAs, InP, AlGaAs, InGaAs, SiC, ZnO y otros. Dieléctricos: Nitruro de silicio, Óxido de Tántalo, Óxido de Titanio, Óxido de Hafnio, Óxido de Zirconio, y otros. Procesos tecnológicos: Anodización, Sputtering convencional y de alta presión, Deposición de Capas Atómicas (ALD) , Epitaxia de Haces Moleculares (MBE), Implantación Iónica, Etching … Estudio de dispositivos y técnicas avanzadas en Microelectrónica: Módulos Multichip, Silicio sobre Zafiro (SOS), Transistores de Alta Movilidad Electrónica (HEMT) de Nitruro de Galio (GaN).

  6. Sinopsis de Técnicas Experimentales G-t :Perfiles DIGS tridimensionales VFB-t: Slow Traps CVTT: Perfiles de dañado en uniones muy superficiales CV, ADMITANCIA y DLTS:Estados superficiales en la interface RFIA: Caracterización en Alta Frecuencia

  7. Estudio de dieléctricos de alta permitividad que puedan sustituir al óxido de silicio en las futuras generaciones de circuitos integrados. Dieléctricos fabricados mediante la técnica de Deposición de capas atómicas (ALD, “Atomic Layer Deposition”) y Sputtering Reactivo de Alta Presión (HPRS). Caracterización de Células Solares de Silicio Policristalino (en colaboración con varias empresas: D.C. Wafers – Cenit Solar – Yokon Solar …) Líneas de investigación actuales

  8. Dieléctricos de alta permitividad: “High-K” Figure 1. Intel’s 45nm transistor with high-k dielectric and metal gate. Image courtesy of Intel Corp.

  9. DRAM cells: r H Aspect ratio, AR = 2r/H

  10. Thealternative: High-K Dielectrics

  11. High-K dielectricsrequirements High permittivityWide band-gapHigh band barriers to avoid tunnelingLow density of electrically active defectsThermodynamic stability Film morphology Interface qualityCompatibility with the current or expected materials to be used in processing for CMOS devicesProcess compatibility, and Reliability

  12. Important drawbacks: As higher K as lower EG and band offsets

  13. Líneas de investigación actuales: Células Solares

  14. Células Solares: Principios básicos

  15. Solar Energy Spectrum

  16. Eficiencia de células solares

  17. Eficiencia de células solares

  18. Eficiencia de células solares

  19. Técnicas de Caracterización utilizadas en el Laboratorio de Caracterización

  20. Técnicas de Análisis de Respuesta en Frecuencia de Dispositivos Electrónicos • Líneas de transmisión • Líneas Microstrip • Métodos de ánalisis de Circuitos • La Carta de Schmith • Analizadores de Parámetros S • Analizadores Vectoriales • Acoplamiento de Impedancias (ImpedanceMatching • Dispositivos de Semiconductores de Alta Frecuencia • Circuitos Milimétricos

  21. Técnicas de medida y extracción de parámetros de circuitos electrónicos • Diodo de unión • Modelos de gran y pequeña señal • Modelos SPICE • Transistor bipolar • Modelos de Ebers-Moll y Gummel • Modelos SPICE • Transistor MOSFET • Circuito equivalente de pequeña señal • Modelos SPICE 1, 2 y 3. • Modelos BSIM • Técnicas de medida de parámetros de transistores BJT • Técnicas de medida de parámetros de transistories MOS