140 likes | 310 Views
Лекция Y. Содержание лекции. Запоминающие устройства. Классификация запоминающих устройств. По назначению. По способу доступа к информации. По режиму занесения информации. По принципу работы. Условные обозначения БИС ЗУ. Обозначения выводов микросхем памяти.
E N D
Содержание лекции • Запоминающие устройства. • Классификация запоминающих устройств. • По назначению. • По способу доступа к информации. • По режиму занесения информации. • По принципу работы. • Условные обозначения БИС ЗУ. • Обозначения выводов микросхем памяти. • Пример обозначения микросхем ОЗУ.
Запоминающие устройства В ЭВМ 1-го поколения (на лампах) использовались два типа запоминающих устройств: - ОЗУ, выполнялись на ламповых триггерах; - ПЗУ, выполнялись на ферритовых сердечниках. В них информация записывалась при изготовлении, путем прошивки проводами адресных шин; - ОЗУ на ферритовых сердечниках. Сохранение информации обеспечивалось за счет перемагничивания кольцевого сердечника. В настоящее время используются три типа ЗУ: - полупроводниковые; - ферритовые; - на цилиндрических магнитных доменах.
Классификация ЗУ 1. По назначению: - внешние ЗУ (100 – 1000 Мбит, длительные сроки хранения, малое быстродействие); - оперативные ЗУ (10 Мбит, высокое быстродействие); - сверхоперативные ЗУ (1 – 10 Кбит, быстродействие такое же, как у процессора); - буферные ЗУ (по емкости и быстродействию занимают промежуточное положение между ОЗУ и ВЗУ или между ОЗУ и СОЗУ). Используются для хранения информации при ее обмене между устройствами ЭВМ с различным быстродействием.
Классификация ЗУ 2. По способу доступа к информации: - ЗУ с произвольной выборкой (ЗУПВ) – время обращения (записи или считывания) не зависит от адреса; - ЗУ с последовательным доступом – для выборки информации по конкретному адресу необходимо последовательно просмотреть все адреса, предшествующие данному (регистровые ЗУ); - ассоциативные ЗУ – поиск и считывание информации осуществляется не по адресу, а по признаку информации.
Классификация ЗУ 3. По режиму занесения (записи) информации: - оперативные ЗУ (с относительно кратковременным хранением часто обновляемой информации); - постоянные ЗУ (информация не может быть изменена. Не стирается после отключения питания); - программируемые ПЗУ (однократное программирование пользователем). Программирование требует относительно больших затрат времени. Информация не стирается после отключения питания; - репрограммируемые ПЗУ (многократное программирование с УФ или электрическим сгоранием).
Классификация ЗУ 4. По принципу работы ЗУ: - статические (информация хранится в течение времени, пока подано питание, независимо от частоты и количества считываний); - динамические (для сохранения информации необходима периодическая регенерация, во время которой происходит восстановление хранимой информации).
Основные параметры ЗУ • 1) Функциональное назначение и элементная база; • 2) Информационная емкость и организация (слов х разрядов) бит, Кбит; • 3) Время выборки и время записи; • 4) Удельная (на 1 бит) мощность потребления, мВт/бит; • 5) Допустимое число циклов перезаписи для РПЗУ. • Кроме того, общие для всех микросхем параметры: • критические уровни сигналов; • напряжение питания и его отклонения; • мощности потребления в различных режимах; • тип корпуса; • условия эксплуатации.
Обозначения выводов микросхем памяти Входные данные------------------------- Выходные данные---------------------- Данные вход/выход--------------------- Тактовый сигнал------------------------- Адрес столбца---------------------------- Строб адреса столбца----------------- Сигнал разрешения по выходу----- Сигнал запись/считывание----------- Сигнал регенерации-------------------- Строб адреса строки------------------- Адрес строки------------------------------ Выбор микросхемы--------------------- Программирование, вход------------- Сигнал обнуления----------------------- Напряжение питания------------------- Общий вывод----------------------------- DI DO DIO C CA CAS CEO WR/RD REF RAS RA CS PGM (запись в БИС ППЗУ, РПЗУ) ER (очищение ячеек РПЗУ) UCC, UPP, USS UGG, UBB
Обозначения выводов микросхем памяти • выход с тремя состояниями • - выход с ОЭ (n-p-n транзисторы) • - выход с ОК (n-p-n транзисторы)