1 / 51

2.2 晶体三极管的其它工作模式

第二章 晶体三极管. 2.1 放大模式下晶体三极管的工作原理. 2.2 晶体三极管的其它工作模式. 2.3 埃伯尔斯 — 莫尔模型*. 2.4 晶体三极管伏安特性曲线. 2.5 晶体三极管小信号电路模型. 2.6 晶体三极管电路分析方法. 2.7 晶体三极管的应用原理. +. N. P. N. E. C. B. +. P. N. P. E. C. B. 概 述. 三极管结构及电路符号. 发射极 E. 集电极 C. 基极 B. 发射结. 集电结. 发射极 E. 集电极 C. 基极 B.

judith
Download Presentation

2.2 晶体三极管的其它工作模式

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. 第二章 晶体三极管 2.1 放大模式下晶体三极管的工作原理 2.2 晶体三极管的其它工作模式 2.3 埃伯尔斯—莫尔模型* 2.4 晶体三极管伏安特性曲线 2.5 晶体三极管小信号电路模型 2.6 晶体三极管电路分析方法 2.7 晶体三极管的应用原理

  2. + N P N E C B + P N P E C B 概 述 • 三极管结构及电路符号 发射极E 集电极C 基极B 发射结 集电结 发射极E 集电极C 基极B

  3. 三极管内部结构特点 1）发射区高掺杂。 2）基区很薄。 3）集电结面积大。 • 三极管三种工作模式 • 放大模式： 发射结正偏，集电结反偏。 • 饱和模式： 发射结正偏，集电结正偏。 • 截止模式： 发射结反偏，集电结反偏。 注意：三极管具有正向受控作用，除了满足内部结构特点外，还必须满足放大模式的外部工作条件。

  4. + N P N IE= IEn+IEp IC=ICn+ICBO - + - + R1 R2 V1 V2 IB= IEp+IBB -ICBO = IEp+(IEn-ICn) -ICBO =IE -IC 2.1 放大模式下三极管工作原理 2.1.1内部载流子传输过程 IEn ICn IE IC IEp ICBO IBB IB

  5. 发射结正偏：保证发射区向基区发射多子。 • 发射区掺杂浓度>>基区：减少基区向发射区发射的多子，提高发射效率。 • 基区的作用：将发射到基区的多子，自发射结传输到集电结边界。 • 基区很薄：可减少多子传输过程中在基区的复合机会，保证绝大部分载流子扩散到集电结边界。 • 集电结反偏、且集电结面积大：保证扩散到集电结边界的载流子全部漂移到集电区，形成受控的集电极电流。

  6. + N P N IE IE + IC IC P N P IB IB - + - + +- +- V1 V2 V1 V2 • 三极管特性——具有正向受控作用 即三极管输出的集电极电流IC，主要受正向发射结电压VBE的控制，而与反向集电结电压VCE近似无关。 注意：NPN型管与PNP型管工作原理相似，但由于它们形成电流的载流子性质不同，结果导致各极电流方向相反，加在各极上的电压极性相反。

  7. IE IC IB E IE IC IB C E C B T B T T C C B E B E 2.1.2 电流传输方程 • 三极管的三种连接方式——三种组态 （共基极） （共发射极） （共集电极） • 放大电路的组态是针对交流信号而言的。 • 观察输入信号作用在那个电极上，输出信号从那个电极取出，此外的另一个电极即为组态形式。

  8. IC IE IC IB C E C B T T B E B E 直流电流传输方程： • 共基极直流电流传输方程 直流电流传输系数： 直流电流传输方程： • 共发射极直流电流传输方程 其中：

  9. 的物理含义：  IC IB C B T E E 表示，受发射结电压控制的复合电流IBB ，对集电极正向受控电流ICn的控制能力。  若忽略ICBO，则： 可见， 为共发射极电流放大系数。 

  10. C ICEO ICBO ICn N IB=0 + B VCE P _ N+ IEP IEn 即： E • ICEO的物理含义： ICEO指基极开路时，集电极直通到发射极的电流。 ∵IB=0 ∴IEp+(IEn-ICn) =IE -ICn=ICBO 因此：

  11. 式中： 2.1.3 放大模式下三极管的模型 • 数学模型（指数模型） 三极管的正向受控作用，服从指数函数关系式： IS指发射结反向饱和电流IEBS转化到集电极上的电流值，它不同于二极管的反向饱和电流IS。

  12. IC IB IC 共发射极 直流简化电路模型 电路模型 IB C B C + - B T VBE E E E E IB IC B C IB IB   + - VBE(on) 硅管VBE(on)= 0.7V E E 锗管VBE(on)= 0.25V • 放大模式直流简化电路模型 VBE(on)为发射结导通电压，工程上一般取：

  13.  • 三极管参数的温度特性 • 温度每升高1C，∆/增大（0.51）%，即： • 温度每升高1 C，VBE(on) 减小（2  2.5）mV,即： • 温度每升高10 C，ICBO 增大一倍，即：

  14. + N P N IE= IF-RIR IC= FIF - IR IF IC RIR IR IE R1 R2 V1 V2 FIF 2.2 晶体三极管的其它工作模式 2.2.1饱和模式 ( E结正偏，C结正偏) - + + - 结论：三极管失去正向受控作用。

  15. IC 共发射极 直流简化电路模型 电路模型 IB C IB IC B T IB IC B C B C + - E E + - + - + - VBE(on) VCE(sat) VCE(sat) VBE E E E E 硅管VCE(sat)  0.3V 通常，饱和压降VCE(sat) 锗管VCE(sat)  0.1V • 饱和模式直流简化电路模型 若忽略饱和压降，三极管输出端近似短路。 即三极管工作于饱和模式时，相当于开关闭合。

  16. IC 共发射极 IB C B T E E 电路模型 直流简化电路模型 IB IC IB 0 IC 0 B C C B + - VBE E E E E 2.2.2截止模式 ( E结反偏，C结反偏) 若忽略反向饱和电流，三极管IB  0，IC 0。 即三极管工作于截止模式时，相当于开关断开。 • 截止模式直流简化电路模型

  17. IE= IF-RIR IC= FIF -IR 其中 IE IF IR IC C E IB FIF RIR B 2.3 埃伯尔斯—莫尔模型 埃伯尔斯—莫尔模型是三极管通用模型，它适用于任何工作模式。

  18. IC IB + - T + - VCE VBE 输入特性： IB= f1E ( VBE ) 共发射极 VCE = 常数 输出特性： IC= f2E ( VCE ) IB = 常数 2.4 晶体三极管伏安特性曲线 伏安特性曲线是三极管通用的曲线模型，它适用于任何工作模式。

  19. IB /A 0.3V VCE =0 10V V(BR)BEO VBE(on) 0 VBE /V IEBO +ICBO 基区宽度调制效应 E B C WB • 输入特性曲线 • VCE一定： 类似二极管伏安特性。 • VCE增加： 正向特性曲线略右移。 由于VCE=VCB+VBE 因此当VBE一定时： VCEVCB WB  复合机会IB曲线右移。 注：VCE>0.3V后，曲线移动可忽略不计。

  20. IC /mA IB = 40 A 30 A 20 A 10 A 0 0 VCE /V • 输出特性曲线 输出特性曲线可划分为四个区域： 饱和区、放大区、截止区、击穿区。 • 饱和区（ VBE 0.7V，VCE<0.3V ） 条件： 发射结正偏，集电结正偏。 特点： IC不受IB控制，而受VCE影响。 VCE略增，IC显著增加。

  21. IC /mA 发射结正偏 IB = 40 A 集电结反偏 30 A 具有正向受控作用 20 A 满足IC= IB + ICEO 10 A 0 VCE曲线略上翘 0 VCE /V 上翘原因—基区宽度调制效应（VCE IC略） 上翘程度—取决于厄尔利电压VA IC /mA VA VCE /V 0 • 放大区（ VBE 0.7V，VCE>0.3V） 条件 特点 说明

  22. 在IC一定范围内近似为常数。 IC过小使IB造成。 0 IC IC  IC过大发射效率造成。  与IC的关系： 0 VCE 基宽WB越小调制效应对IC影响越大则VA越小。 在考虑三极管基区宽度调制效应时，电流IC的 修正方程： 考虑上述因素，IB等量增加时， 输出曲线不再等间隔平行上移。

  23. IC /mA IB = 40 A 30 A 20 A 近似为IB≤0以下区域 10 A 0 0 VCE /V • 截止区（ VBE 0.5V，VCE 0.3V） 条件： 发射结反偏，集电结反偏。 特点： IC 0，IB 0 严格说，截止区应是IE =0即IB =-ICBO以下的区域。 因为IB 在0 -ICBO时，仍满足

  24. IC /mA IB = 40 A 30 A 20 A IB = -ICBO (IE =0) 10 A 0 0 VCE /V V(BR)CEO V(BR)CBO • 击穿区 特点： VCE增大到一定值时，集电结反向击穿，IC急剧增大。 注意： 集电结反向击穿电压，随IB的增大而减小。 IB =0时，击穿电压为V(BR)CEO V(BR)CBO > V(BR)CEO IE =0时，击穿电压为V(BR)CBO

  25. IC ICM PCM 要求 0 VCE V(BR)CEO • 三极管安全工作区 IC ICM VCE<V(BR)CEO PC<PCM • 最大允许集电极电流ICM （若IC>ICM 造成  ） • 反向击穿电压V(BR)CEO （若VCE>V(BR)CEO管子击穿） • 最大允许集电极耗散功率PCM （PC= IC VCE，若PC> PCM 烧管）

  26. 2.5 晶体三极管小信号电路模型 放大电路小信号运用时，在静态工作点附近的小范围内，特性曲线的非线性可忽略不计，近似用一段直线来代替，从而获得一线性化的电路模型，即小信号（或微变）电路模型。 三极管作为四端网络，选择不同的自变量，可以形成多种电路模型。最常用的是混合Π型小信号电路模型。

  27. 反映三极管正向受控作用的电流源 c ic 集电结电阻与电容 rbc cbc gmvbe ib rbb b rce b rbe cbe 基区体电阻 e 由基区宽度调制效应引起的输出电阻 发射结电阻与电容 • 混合Π型电路模型的引出

  28. ib cbc ic rbb b b c rbe cbe gmvbe rce e ib ic rbb b b c rbe gmvbe rce e • 混合Π型小信号电路模型 若忽略rbc影响，整理即可得出混Π电路模型。 电路低频工作时，可忽略结电容影响，因此低频混Π电路模型简化为：

  29. 小信号电路参数 • rbb基区体电阻，其值较小，约几十欧，常忽略不计。 • rbe三极管输入电阻，约千欧数量级。 • 跨导gm表示三极管具有正向受控作用的增量电导。 • rce三极管输出电阻，数值较大。RL<< rce时，常忽略。

  30. ib ic iC iB c b c gmvbe b T rbe =ib e e • 简化的低频混Π电路模型 由于 因此，等效电路中的gmvbe ，也可用ib表示。 注意：小信号电路模型只能用来分析叠加在Q点上各交流量之间的相互关系，不能分析直流参量。

  31. 分析指标：IBQ、ICQ、VCEQ 直流分析法 分析方法：图解法、估算法 分析指标：Av、Ri 、Ro 交流分析法 分析方法：图解法、微变等效电路法 2.6 晶体三极管电路分析方法 由于交流信号均叠加在静态工作点上，且交流信号幅度很小，因此对工作在放大模式下的电路进行分析时，应先进行直流分析，后进行交流分析。

  32. 2.6.1 直流分析法 即分析交流输入信号为零时，放大电路中直流电压与直流电流的数值。 • 图解法 即利用三极管的输入、输出特性曲线与管外电路所确定的负载线，通过作图的方法进行求解。 优点：便于直接观察Q点位置是否合适，输出信号波 形是否会产生失真。 要求：已知三极管特性曲线和管外电路元件参数。

  33. 图解法分析步骤： （1）由电路输入特性确定IBQ • 写出管外输入回路直流负载线方程(VBE  IB)。 • 在输入特性曲线上作直流负载线。 • 找出对应交点，得IBQ与VBEQ。 （2）由电路输出特性确定ICQ与VCEQ • 写出管外输出回路直流负载线方程(VCE  IC) 。 • 在输出特性曲线上作直流负载线。 • 找出负载线与特性曲线中IB =IBQ曲线的交点， 即Q点，得到ICQ与VCEQ。

  34. IC IB + - VCE RC + RB VBE - + - - + VBB VCC IC IB VCC/RC VBB/RB 0 VBE VBB 0 VCC VCE 例1：已知电路参数和三极管输入、输出特性曲线， 试求IBQ、ICQ、VCEQ。 • 输入回路直流负载线方程 • VBE=VBB-IBRB • 输出回路直流负载线方程 • VCE=VCC-ICRC Q IBQ Q IB =IBQ ICQ VBEQ VCEQ

  35. 工程近似法--估算法 　即利用直流通路，计算静态工作点。直流通路是指输入信号为零，耦合及旁路电容开路时对应的电路。 分析步骤： • 确定三极管工作模式。 只要VBE0.5V（Ｅ结反偏） 截止模式 假定放大模式，估算VCE : 若VＣE> 0.3V 放大模式 若VＣE＜0.3V 饱和模式 • 用相应简化电路模型替代三极管。 • 分析电路直流工作点 。

  36. VCC (+6V) RB RC 1k 100k T 例2 已知VBE(on)=0.7V ，VCE(sat)=0.3V ，=30，试 判断三极管工作状态，并计算VC。 解： 假设T工作在放大模式 因为 VCEQ>0.3V，所以三极管工作在放大模式 。 VC = VCEQ= 4.41V

  37. VCC (+6V) RB RC 1k 10k T 例3 若将上例电路中的电阻RB改为10k，试重新 判断三极管工作状态，并计算VC。 解： 假设T工作在放大模式 因为 VCEQ<0.3V，所以三极管工作在饱和模式。

  38. VCC (+6V) RB1 RC 1k RC 100k RB T + - + - VCC RB2 VBB 2k 例4 已知VBE(on)=0.7V ，VCE(sat)=0.3V ，=30，试 判断三极管工作状态，并计算VC。 解： < VBE(on) 所以三极管工作在截止模式 。

  39. 2.6.2 交流分析法 分析电路加交流输入信号后，叠加在Q点上的电压与电流变化量之间的关系。 • 小信号等效电路法(微变等效电路法) 在交流通路基础上，将三极管用小信号电路模型代替得到的线性等效电路即小信号等效电路。利用该等效电路分析Av、Ri 、Ro的方法即小信号等效电路法。 交流通路: 即交流信号流通的路径。它是将直流电源短路、耦合、旁路电容短路时对应的电路。

  40. 小信号等效电路法分析步骤： • 画交流通路(直流电源短路，耦合、旁路电容短路)。 • 用小信号电路模型代替三极管，得小信号等效电路。 • 计算微变参数 gm、rbe。 • 利用小信号等效电路分析交流指标。 注意: 小信号等效电路只能用来分析交流量的变化规律及动态性能指标，不能分析静态工作点。

  41. ic iC C2 ib iB C1 + - RC + - vo + - RB RL vi vi 5k RB RC RL + - + - VCC VBB ib ic rbe RB + - + - vi ib vo RC RL 例5 已知ICQ=1mA, =100 , vi=20sint(mV), 试画出图示电路的交流通路及交流等效电路, 并计算vo。

  42. 图解法 分析步骤: • 确定静态工作点(方法同前)。 • 画交流负载线。 过Q点、作斜率为-1/RL的直线即交流负载线。 其中 RL= RC //RL • 画波形，分析性能。 图解法直观、实用，容易看出Q点设置是否合适，波形是否产生失真，但不适合分析含有电抗元件的复杂电路。同时在输入信号过小时作图精确度降低。

  43. iC C2 iB C1 + - RC vCE + - RB + RL vi vBE + - + - VCC VBB - iB iC iB iC ib -1/RL Q Q 0 vBE vCE 0 t t vBE 0 0 vCE t t 例6 输入正弦信号时，画各极电压与电流的波形。 IBQ ICQ VCEQ

  44. Q点过低，vO正半周易截止失真。 NPN管 Q点过高，vO负半周易饱和失真。 Q点过低，vO负半周易截止失真。 PNP管 Q点过高，vO正半周易饱和失真。 增大RB ，减小IBQ 降低Q点: 消除饱和失真 减小RC : 负载线变徒, 输出动态范围增加。 Q点位置与波形失真： 由于PNP管电压极性与NPN管相反，故横轴vCE可改为-vCE。 消除截止失真  升高Q点: 减小RB ，增大IBQ

  45. iC 外电路(负载电路) iB恒值 R + - VQ+ v iC iB Q 0 VCE(sat) vCE 2.7 晶体三极管应用原理 2.7.1电流源 利用三极管放大区iB恒定时iC接近恒流的特性，可构成集成电路中广泛采用的一种单元电路--电流源。 该电流源不是普通意义上的电流源，因它本身不提供能量。电流源电路的输出电流IO，由外电路中的直流电源提供。 IO只受IB控制，与外电路在电流源两端呈现的电压大小几乎无关。就这个意义而言，将其看作为电流源。

  46. VCC vi RC t iB vBE iB iC + - IBQ VIQ vo t + - t 0 0 vi + - VIQ iC ICQ t 0 vCE vo VCEQ t t 0 0 2.7.2放大器 放大器的作用就是将输入信号进行不失真的放大。 • 放大原理 利用ib 对ic的控制作用实现放大。

  47. 放大实质 • 电源VCC提供的功率： • 三极管集电极上的功率： • 负载电阻RC 上的功率：

  48. 电源提供的功率PD 除了转换成负载上有用的输出功率PL 外，其余均消耗在晶体三极管上（ PC）。 放大器放大信号的实质：是利用三极管的正向受控作用，将电源VCC提供的直流功率，部分地转换为输出功率。 注意： • 电源VCC 不仅要为三极管提供偏置，保证管子工作在放大区，同时还是整个电路的能源。 • 三极管仅是一个换能器。

  49. vBE1 vBE2 - + + - + + vBE3 vBE4 - - + - + - vBE5 vBE6 + + vBE7 vBE8 - - + - - + vBE9 vBE10 2.7.3 跨导线性电路 • 跨导线性环（TL环） • N个放大模式下工 • 作的三极管发射结 • 连成一闭合回路; • 顺时针与逆时针方向 • 三极管个数相等; 若各管发射结面积相等，则： 若各管发射结面积不等，则： 其中

  50. VCC IX T3 io T1 T4 IY T2 • 跨导线性环应用电路 例1：设各管发射结面积相等。 由图知： 由TL环知： 则： 当iY为定值时，电路可实现对iX的平方运算。

More Related