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射極電流擁擠效應

射極電流擁擠效應. 授課老師 : 鄒文正 老師 學生 : 董冠璋 學號 : M99L0225. Outline. 形成原因 造成之影響 改善方法 參考文獻. 形成原因. 由於 HBT 垂直式結構，使基極電流橫向流入射極，基極電流橫向流入射極之過程產生電阻與電位差，使得基 - 射極接面的電場分布不均，而使電流由射極周圍向中心遞減，因此引起射極電流聚集在邊緣，此現象稱為射極群聚現象 (Emitter crowding) 。. 參考文獻. [1] 〝 半導體元件物理與製程技術 〞 施敏著 [2] 〝 VBIC 模型應用於不同尺寸異質接面雙載子電晶體之研究 〞 徐慧芬.

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射極電流擁擠效應

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Presentation Transcript

  1. 射極電流擁擠效應 授課老師:鄒文正 老師 學生:董冠璋 學號:M99L0225

  2. Outline • 形成原因 • 造成之影響 • 改善方法 • 參考文獻

  3. 形成原因 由於HBT垂直式結構，使基極電流橫向流入射極，基極電流橫向流入射極之過程產生電阻與電位差，使得基-射極接面的電場分布不均，而使電流由射極周圍向中心遞減，因此引起射極電流聚集在邊緣，此現象稱為射極群聚現象(Emittercrowding)。

  4. 參考文獻 • [1]〝半導體元件物理與製程技術〞施敏著 • [2] 〝VBIC模型應用於不同尺寸異質接面雙載子電晶體之研究〞 徐慧芬

  5. END

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