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ELECTRONIQUE DE PUISSANCE ELEC032

Domaines d'utilisation. Fonction. . . . SOURCE d'

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ELECTRONIQUE DE PUISSANCE ELEC032

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Presentation Transcript

    1. ELECTRONIQUE DE PUISSANCE (ELEC032) A.GENON Chargé de Cours Montefiore B28, local I157 AGenon@ulg.ac.be

    2. Domaines d’utilisation F38 F38

    3. Fonction

    4. Types de convertisseurs

    5. Les CONDUCTEURS Réseau cristallin – liaisons covalentes – électrons libres (EL) (OG:1023 /cm3)

    6. Les CONDUCTEURS Réseau cristallin – liaisons covalentes – électrons libres (EL) (OG:1023 /cm3) Champ électrique ? force ? déplacement des EL EL entrent en collision avec structure qui vibre (énergie thermique) ? perte d’énergie (effet JOULE) Résistivité: OG : 10-7 ohm*m La résistivité diminue avec la température (supraconductivité)

    7. Les ISOLANTS

    8. SEMI-CONDUCTEURS purs ou intrinsèques f01f01

    9. SEMI-CONDUCTEURS purs ou intrinsèques f01f01

    10. SEMI-CONDUCTEURS purs ou intrinsèques f01f01

    11. Dopage N ?? dopage P f03f03

    12. Concentration en porteurs = f(T) F04 F04

    13. Semi-conducteurs : la diode non polarisée Réalité Modèle

    14. Semi-conducteurs : la diode polarisée

    15. Diode : caractéristique statique F07 et f08F07 et f08

    16. Semi-conducteurs : la diode Avalanche – effet Zéner

    17. Semi-conducteurs : la diode comportement dynamique

    18. Diode : mise en conduction f09f09

    19. Diode : blocage f10f10

    20. Transistor bipolaire de puissance f24f24

    21. Transistor : caractéristiques statiques f25f25

    22. Transistor de puissance : points de fonctionnement f26f26

    23. Transistor : domaine de fonctionnement fiable F27 F27

    24. Thyristor f11f11

    25. Thyristor f12f12

    26. Thyristor : caractéristique statique f13f13

    27. Thyristor : grandeurs caractéristiques f14f14

    28. Thyristor : caractéristique d’amorçage f15f15

    29. Thyristor : amorçage f15f15

    30. Thyristor: mise en conduction f09f09

    31. Thyristor : blocage f18f18

    32. Influence d’un circuit RC f19f19

    33. Thyristor : ordres de grandeur f19f19

    34. Triac : constitution f20f20

    35. Triac : commande f21f21

    36. GTO : Gate Turn-Off thyristor f22f22

    37. GTO : commande f23f23

    38. MOSFET de puissance F29 F29

    39. MOSFET : caractéristiques statique f30f30

    40. VMOS : schéma F31 F31

    41. Insulated Gate Bipolar Transistor = IGBT F32 et f33F32 et f33

    42. IGBT : commande f34f34

    43. Radiateurs f35f35

    44. Evacuation de la chaleur (statique) f36f36

    45. Evacuation de la chaleur (dynamique) f37f37

    46. Domaines d’utilisation F38 F38

    47. Comparaison entre SC de puissance Le composant idéal : Tenue en tension infinie Tenue en courant infinie Temps de commutation nulle Courant de fuite nul Pertes par commutation et conduction nulles Puissance de commande nulle Faible coût

    48. Comparaison entre SC de puissance Le thyristor : Tenues en tension et en courant les plus élevées Tension inverse importante Robuste, bon marché Faibles pertes par conduction Temps de mise en conduction long Courant de fuite nul Ne peut être éteint en agissant sur sa commande

    49. Comparaison entre SC de puissance Selon le type de convertisseur: Redresseurs à 50 Hz : thyristors ou diodes Hacheurs et onduleurs : (commutations rapides, pas de tension inverse): transistors bipolaires, IGBT, MOSFET, GTO Jusqu’à 15 kHz, GTO pour puissance (faibles pertes) Jusqu’à 100 kHz, transistor bipolaire et IGBT (faibles pertes par conduction) au-dessus de 100 kHz, MOSFET uniquement

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