Государственное бюджетное образовательное учреждение города Москвы

1. Государственное бюджетное образовательное учреждение города Москвы специальная (коррекционная) общеобразовательная школа-интернат II вида №22 ЦОУО ДО. XVI конференция молодых учёных «Шаг в будущее, Москва» Реабилитационные технологии. Москва, 2013г. Зарядное устройство «rozetki.net» Автор: Зуев Илья, ученик 10 класса Руководитель: Сицукова М.В., учитель математики

2. Целю моей работы является разработка схемотехники и конструкции зарядного устройства для коммуникатора, который использует в качестве источника энергии гальванические элементы типоразмеров АА или ААА. • В ходе работы я решал следующие задачи: • изучение литературных источников и информации в Интернете о принципах работы и схемотехнике dc/dc повышающих преобразователей; • выбор схем и комплектующих для преобразователей, их сборка и наладка; • изучение работы преобразователей и снятие их характеристик; • сравнение эффективности работы разных схем преобразователей.

3. Рис.1. Функциональная схема импульсного преобразователя

4. Достоинства вторичных источников питания с импульсной стабилизацией Высокий КПД Малые габариты и масса Высокийкоэффициентстабилизации Рис. 2.

5. Перед началом работы я решил сформулировать требования к своему зарядному устройству. • источник энергии – гальванические элементы и аккумуляторы типоразмера АА или ААА; • напряжение источника (В) - 0,8 – 2,5 • напряжение на выходе (В) - 10; • ток на выходе, не менее(мА) - 100; • коэффициент полезного действия, не менее (%) - 80 Рис. 3.

6. Рис. 4. Схема простейшего импульсного преобразователя (вверху) и вид его платы (внизу).

7. Рис. 5. Результаты экспериментов с простейшим преобразователем.

8. Рис. 6. Схема двухтактного преобразователя напряжения.

9. Рис. 7. Внешний вид двухтактного генератора

10. Рис. 8. Результаты экспериментов с двухтактным преобразователем.

11. Рис. 9. Номенклатура микросхем для импульсных повышающих dc/dc преобразователей.

12. Рис. 8. Схема преобразователя на микросхемеMAX1771 и внешний вид платы.

13. Выводы. • Мною в ходе работы было испытано несколько схем преобразователей, отличающихся по используемой компонентной базе. В качестве активного элемента в них использовались германиевые и кремниевые транзисторы, а также микросхема ШИМ преобразователя типа MAX1771 и ключевой транзистор типа IRF510. Были проведены испытания преобразователей с целью определения их КПД. • Я выяснил, что достаточно высокий КПД имеют даже простые преобразователи. Их стоимость составляет не более 100руб. Наилучший КПД показал преобразователь с специализированной микросхемой, но его стоимость составляла около 300руб.

14. Рис. 9. Сравнительные характеристики моего зарядного устройства и промышленных устройств.