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雙極性接面電晶體 (BJT) ：

雙極性接面電晶體 (BJT) ：. 電晶體有幾個不同的種類，雙極性接面電晶體為其中最基礎的一種。. 電晶體的功能：. 放大訊號：如放大電壓、電流或功率等。應用的例子包含許多消費性的電子產品，如視聽音響、通訊產品或各種儀器等。 電子開關：可作為許多負載的開關，如直流馬達、燈泡或繼電器等。最常見的應用為數位電路的開關，如電腦或微電腦等。. BJT 主要可以分成兩型：. 射極 (Emitter ，簡稱 E) ：摻雜濃密的雜質原子，主要工作是放射電流載子。.

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雙極性接面電晶體 (BJT) ：

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  1. 雙極性接面電晶體 (BJT)： 電晶體有幾個不同的種類，雙極性接面電晶體為其中最基礎的一種。 電晶體的功能： 放大訊號：如放大電壓、電流或功率等。應用的例子包含許多消費性的電子產品，如視聽音響、通訊產品或各種儀器等。 電子開關：可作為許多負載的開關，如直流馬達、燈泡或繼電器等。最常見的應用為數位電路的開關，如電腦或微電腦等。 BJT 主要可以分成兩型：

  2. 射極 (Emitter，簡稱 E) ：摻雜濃密的雜質原子，主要工作是放射電流載子。 基極 (Base，簡稱 B)：摻雜稀疏，被夾在集極與射極間，非常稀薄而狹小，從射極射出的電流載子大部份無法從基極導線流出，反而跨越基極與集極間的空乏區而流向集極。 集極(Collector，簡稱 C)：適度摻雜，體積最大，主要工作是收集或吸引注入基極區的電流載子。 電晶體的電流： npn pnp IE = IB + IC IE = IB + IC

  3. 通常電晶體的IC比 IB大很多，通常是數拾倍至數佰倍大，此放大的倍數稱為電晶體的電流增益，電晶體的直流電流增益以 bdc來表示： 或 IC = b × IB ＜例4.1＞ 某電晶體電流如下：IB = 20mA，IC = 4.98A，求 bdc與 IE ＜例4.2＞ 某電晶體電流如下：IB = 1.96mA，IE = 100mA，求 bdc與 IC IC = IE - IB = 100mA – 1.96mA = 98.04mA IE = IB + IC = 0.02A + 4.98A = 5A ＜例4.4＞ 某電晶體 bdc = 150，IB = 50mA，求 IC與 IE ＜例4.3＞ 某電晶體電流如下：IE = 50mA，IC = 49.5mA，求 bdc與 IB IC = bdc × IB = 150 × 50mA = 7500mA = 7.5mA IB = IE - IC = 50mA – 49.5mA = 0.5mA IE = IB + IC = 0.05mA + 7.5mA = 7.55mA

  4. 電晶體於電路中的功用可比喻成水龍頭於水路中的功能一樣。在水路中，打開水龍頭，只要有水源與水壓，必有水流流過，水龍頭可以控制水流的大小。同理，電晶體於電路中如同電流的閘門，將電晶體打開 (ON)，只要有電源與電壓，電流即可流過電晶體，電晶體也可以控制電流的大小。 操作電晶體開關的方法 (以 npn 為例)： 只要有一小電流從基極流入，即可將電晶體開關打開。只要C、E 兩端接有電源並具有電壓，電流即可從 C 流向 E。 C、E 兩瑞的電壓 VCE 只要比飽合電壓 VSAT稍大，即有比 IB大 b倍的電流 IC，從 C 流向 E。IC = b × IB。但若 VCE只等於 VSAT或更小，則 IC 無法達到 IB的 b倍，在此情況下 ， IC < b × IB。 一般而言，電晶體的飽合電壓 VSAT通常小於 1V，小型電晶體約只有 0.2V。

  5. 操作區： 不同IB下，電晶體的電壓電流特性曲線： 上圖為npn 電晶體，B、E 兩端為一 pn 接面，VBE = 0.7V。因此，只要 VBB 大於 0.7V，即有電流 IB產生。調整電壓 VBB的大小即可控制電流 IB的大小。若 IB大，則開關開得較大，從 C 流向 E 的電流 IC較大。若IB小，則開關開得較小， IC較小。IC與 IB成正比。 因此，雙極性接面電晶體是一個用小電流 IB來控制大電流IC的元件。

  6. 截止區 (Cutoff Region)： 當 IB = 0mA 時，電晶體關閉 (Off)，如同斷路，無電流，即使在 C、E 兩端加電壓 (VCE > 0V)，電流也無法從 C 流向 E，IC = 0mA。 當電晶體當開關使用，且開關為 Off 時，電晶體工作在截止區。 飽合區 (Saturation Region)： 當基極有電流， IB > 0mA 時，電晶體打開 (On)，但C、E 兩端的電壓 VCE很小，約只等於飽合電壓。IC無法被放大提升到 IB的 b倍，IC < b × IB。 當電晶體當開關使用，且開關為 ON 時，必須使電晶體工作在飽合區。因為在飽合區時，VCE很小，消耗在電晶體開關上的能量很小，絕大部份的能量都可以提供給負載使用。 動作區 (Active Region)： 當基極有電流， IB > 0mA 時，電晶體打開 (On)，而且 C、E 兩端的電壓 VCE 夠大，超過飽合電壓。IC可以被放大提升到 IB的 b倍，IC = b × IB。 因為在動作區內 IC 與 IB成正比，所以當電晶體作小訊號放大使用時，必須工作在動作區，若兩者不成正比無法等比例放大時，放大後的訊號會失真。

  7. 電晶體的功率： 通常電晶體的 IB比 IC小很多，在計算功率時只考慮 IC的影響，電晶體的功率消耗 Pd = VCE × IC 電晶體實際的功率消耗 Pd必須小於其功率消耗的額定值 Pd(max) ＜例4.5＞ 電晶體的 IB = 80mA，VCE = 10V，bdc = 150，計算其功率消耗 Pd ＜例4.6＞ 某電晶體的功率消耗額定值為 0.5W，若 VCE = 8V，求所容許的最大集極電流 IC。 IC = bdc × IB= 150 × 80mA= 12mA Pd = VCE × IC < Pd(max) 8V × IC < 0.5W Pd = VCE × IC= 10V × 12mA= 120mW 所容許的最大集極電流為 62.5mA 此電晶體的功率消耗額定值必須大於 120mW

  8. 崩潰電壓額定值： VCBO：射極開路 (沒有接)，集極與基極間所容許的最大電壓 VCEO：基極開路 (沒有接)，集極與射極間所容許的最大電壓 VEBO：集極開路 (沒有接)，射極與基極間所容許的最大電壓 超過這些額定電壓的任何一個，都會損壞電晶體。 以上都以npn 作為例子，若電晶體為 pnp 型，則電壓的極性與實際電流的方向都與 npn 型相反。如下圖所示，電流 IC、IB與電壓 VCE、VBE為負值。 電流 IC、IB與電壓 VCE、VBE為負值 實際的電壓極性與電流方向

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