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TRANSISTORES BJT. KENEDY ZUÑIGA YERSON FIGUEROA DIEGO ALEXANDER DULCE. INTRODUCCION.

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transistores bjt

TRANSISTORES BJT

KENEDY ZUÑIGA

YERSON FIGUEROA

DIEGO ALEXANDER DULCE

introduccion
INTRODUCCION
  • En 1950 todos los equipos electrónicos utilizaban válvulas de vació que consumían un par de watts por lo que el equipo requería una fuente de alimentación voluminosa que generaba cantidad considerable de calor, dando como resultado un equipo anticuado y pesado.
  • En 1951 shockley invento el primer transistor de unión que significo un gran cambio en la industria,

los transistores son los que realizan en la mayoría de los circuitos la función de amplificación, control y estabilización de tensión etc.

definicion
DEFINICION
  • Fuente de corriente controlada por corriente, en donde la corriente de control es pequeña (en el orden de los mA) y la corriente controlada es una corriente 50, 100, 200, 1000, veces mas grande que la corriente de control.
estructura del transistor
ESTRUCTURA DEL TRANSISTOR
  • EMISOR: esta altamente impurificado y su función consiste en emitir o inyectar electrones en la base.
  • BASE: esta ligeramente impurificada y es muy delgada; por ella pasa la mayor parte de los electrones inyectados por el emisor y que se dirigen hacia el colector.
  • COLECTOR: el nivel de impurificación de este es intermedio y recibe o capta los electrones provenientes de la base.
estructura

COLECTOR

BASE

EMISOR

ESTRUCTURA

NPN

slide6

COLECTOR

BASE

EMISOR

PNP

DIODO EMISOR Y COLECTOR:

los transistores poseen 2 uniones

Base emisor: similar a

Base colector: dos diodos

slide9
ALFA
  • En la mayor parte de los transistores mas del 95% de los electrones inyectados por el emisor circulan hacia el colector, menos del 5% caen en los huecos de la base y fluyen hacia fuera.
  • se dice que la corriente de colector es casi igual a la corriente de emisor: Ic ≈ Ie

esto se define :

α = Ic / Ie

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BETA
  • De acuerdo con la definición de transistor y al relacionar la IC con IE utilizando α, también puede relacionarse la IC con la IB, definiendo β como:

β = IC / IE

analisis dc

IB = VBB – VBE

RB

ANALISIS DC

JUNTURA BE POL DIRECTA

DIODO NORMAL CONDUCE

CONTROL DE IB CON RB

MALLA DE ENTRADA

VBB = VRB + VBE

malla de salida
MALLA DE SALIDA

JUNTURA BC POL INVERSA Ic ≠ OA

IB CONTROLA A Ic

Ic = β * IB

EN GENERAL:

IE = Ic + IB

Ic = β * IB

VCE = VCB + VBE

regiones del transistor
REGIONES DEL TRANSISTOR
  • REGION ACTIVA.
  • características:
  • IB > 0 Y VCE no tan pequeño.
  • Juntura BE polarización directa y juntura CB polarizacion inverza.
  • Ic depende de la IB.
  • Opera como amplificador sin distorcion.
region de corte
REGION DE CORTE
  • Características: se da cuando
  • La IC iguala a la corriente de fuga.
  • LA IB = 0
  • El voltaje VCE es máx. o VCE es min.
  • VCE (CORTE) ≡ Vcc
  • Juntura BE y juntura BC están en polarización directa.
  • Transistor: como interruptor abierto.
region de saturacion
REGION DE SATURACION

Características:

  • VCE= 0.2v.
  • La IC es casi independiente de la IB (IC = Vcc / Rc)
  • La juntura BE y CB están en polarización inversa.
  • El transistor permite conducción máx.
  • Se comporta como un interruptor cerrado
  • La IB = 4 IBsat
lineas de carga
LINEAS DE CARGA
  • Para dibujar la línea de carga se necesita de dos puntos uno superior y el otro inferior ubicados en la familia de curvas del transistor.

Ic = Vcc – VcE

Rc

  • Punto superior: se supone que el transistor esta en saturación:

VCE = 0v Ic = Vcc /Rc

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Punto inferior: se supone que el transistor esta en corte.
  • VCE = Vcc Ic = 0

Punto Q: es el punto de operación o punto estático de operación del transistor, el punto Q ideal debe estar ubicado en la mitad de la recta de carga

polarizaciones
POLARIZACIONES
  • BASE COMUN:
  • El terminal de base es compartido entre la señal de entrada y la señal de salida.
  • EMISOR COMUN:
  • el terminal del emisor es común entre la señal de entrada y la de salida.
  • COLECTOR COMUN:
  • El colector es compartido entre la señal de entrada y la de salida,