350 likes | 873 Views
התקני מוליכים למחצה פרק 5 משוואות הרציפות. פרופ' אבינעם קולודני. משוואות הרציפות. למדנו קודם: זרם סחיפה וזרם דיפוזיה עודף נושאי מטען (למשל ע"י הארה) נלמד עכשיו: משוואות המתארות גנרציה, רקומבינציה, סחיפה ודיפוזיה. נרשום ביטוי לקצב שינוי הריכוז של נושאי מטען בין x ל- x+ x.
E N D
התקני מוליכים למחצהפרק 5 משוואות הרציפות פרופ' אבינעם קולודני
משוואות הרציפות • למדנו קודם: • זרם סחיפה וזרם דיפוזיה • עודף נושאי מטען (למשל ע"י הארה) • נלמד עכשיו: • משוואות המתארות גנרציה, רקומבינציה, סחיפה ודיפוזיה
נרשום ביטוי לקצב שינוי הריכוז של נושאי מטעןבין x ל- x+x
משוואת הרציפות לחורים + + + + + G R x x x+dx
ריכוז משוואות המל"מ בהזרקה חלשה רציפות: זרם: נייטרליות:
מקרה 1: גנרציה אופטית אחידה בכל הנפח(זהו הגלאי הפוטומוליך שראינו בהרצאה הקודמת)
מקרה 2: הארה לא אחידה, מצב מתמיד(משוואת הרציפות הופכת למשוואת דיפוזיה)
צורת הפתרון של משוואת דיפוזיה במצב מתמיד
דוגמה לדיפוזיה של נושאי מטען במצב מתמיד Gopt=const. in this side Gopt=0 in this side x X=0
דוגמה נוספת: בליעת אור בשכבה דקה מאד photons/cm2*sec Gopt=0 inside
חילוץ מרחק הדיפוזיה מפרופיל נושאי העודף
הבדל במקדם דיפוזיה בין אלקטרונים וחורים יוצר שדה חשמלי פנימי E E E + + + + - - - - - - x
סחיפה לעומת דיפוזיה Diffusion vs. Drift • Drift : Think majority carriers • Diffusion: Think minority carriers • Excess Carriers: Think minority carriers
מקרה 3: הבזק אור קצר דרך פתח צר הנחות :
סימולציה של דיפוזיית חלקיקים • http://www.eudil.fr/eudil/bbsc/phys/Diff5/testdiff.htm
מקרה 4: הבזק אור קצר דרך פתח צר, תחת שדה חשמלי וכולל רקומבינציה(Haynes-Shockley experiment) סרטון בספריית הוידאו בהדרכת החוקרים המקוריים: “Minority carriers in semiconductors” http://video.technion.ac.il/Courses/Semi.html#
Haynes-Shockley simulation • Diffusion,Drift,Recombination
מקרה 5: ריכוז סיגים בלתי אחיד בשווי משקל: ללא ממתח חיצוני וללא הארה(נוצר שדה פנימי המונע דיפוזיה) ND(x) x L
חישוב השדה הפנימי לפי שיווי משקל מפורט(detailed balance)
מפל מתח פנימי על איזור השדה הפנימי
חישוב לדוגמה: ידוע שריכוז האלקטרונים יורד לינארית n(x) x