1 / 23

光微影術  (Optical Lithography)

光微影術  (Optical Lithography). 1. 1. 晶片清洗 -17 2. 去水烘烤 -19 3. 塗底 -21 4. 上光阻 -23 5. 軟烤 -28 6. 對準及曝光 -30. 7. 顯影 -37 8. 硬烤 -40 9. 顯影檢查 -42 10. 蝕刻 -44 11. 去除光阻 -47 12. 最終檢查 -49. 光微影術之概念 微影製程步驟 一般光罩的製作 -51. 2. 光微影術之概念. 3. IC 製程圖 資料來源： 旺宏電子. 4. 微影製程的目的.

henrik
Download Presentation

光微影術  (Optical Lithography)

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. 光微影術  (Optical Lithography) 1

  2. 1.晶片清洗-17 • 2.去水烘烤-19 • 3.塗底-21 • 4.上光阻-23 • 5.軟烤-28 • 6.對準及曝光-30 • 7.顯影-37 • 8. 硬烤-40 • 9.顯影檢查-42 • 10.蝕刻-44 • 11.去除光阻-47 • 12.最終檢查-49 光微影術之概念 微影製程步驟 一般光罩的製作-51 2

  3. 光微影術之概念 3

  4. IC製程圖 資料來源：旺宏電子 4

  5. 微影製程的目的 在將元件設計圖樣轉移至晶片上，其做法即應用光阻材料受光而改變鍵結狀況的特點，加上光罩的使用得以將光罩上的圖樣複製到已舖上光阻的晶片上，再經由顯影的程序將特定部分的光阻去除，即在晶片上呈現預定的元件設計圖樣。 5 • http://www.mse.nsysu.edu.tw/ictmc/new_page_7.htm

  6. 微影 微影，簡單來說，是將光源 透過有圖案的光罩，將光罩上的 圖案完整地傳送到晶片表面所塗 抹的感光材料（光阻）上，再進 行去除或保留光阻的步驟，以完 成圖案轉移。微影技術的解析度 限定了半導體元件的最小線寬， 而解析度主要由光阻性質與曝光 設備及方法來決定。 • nano.me.hfu.edu.tw/report/photoelectronics/3.ppt

  7. 所謂的光微影術， 簡單的說就是希望將設計好的線路圖形，完整且精確地複製到晶圓上。 如圖一所示，半導體廠首先需將設計好的圖形製作成光罩（photo mask），應用光學成像的原理，將圖形投影至晶圓上。由光源發出的光，只有經過光罩透明區域的部分可以繼續通過透鏡，而呈像在晶圓表面。 7 • NCHC奈米科學研究小組 蘇俊鐘 2005/03/23 /http://nano.nchc.org.tw/dictionary/Optical_Lithography.html

  8. 圖一：為標準光微影製程，曝光源通過光罩、透鏡，最後將光罩圖形成像於晶圓上。(取自Ref. 1) 8 • NCHC奈米科學研究小組 蘇俊鐘 2005/03/23 /http://nano.nchc.org.tw/dictionary/Optical_Lithography.html

  9. 晶圓表面事先需經清潔處理，再塗抹上類似底片功能的感光化學物質，稱為光阻劑 (photo resist）。 通過光罩及透鏡的光線會與光 阻 劑 產生反應， 通常我們稱此步驟為曝光。 9 • NCHC奈米科學研究小組 蘇俊鐘 2005/03/23 /http://nano.nchc.org.tw/dictionary/Optical_Lithography.html

  10. 曝光後的晶圓需再經顯影 ( development ) 步驟，以化學方式處理晶圓上曝光與未曝光的光阻劑，即可將光罩上的圖形完整地轉移到晶片上，然後接續其他的製程。因此在光微影技術中，光罩、光阻劑、光阻塗佈顯影設備、對準曝光系統等，皆是在不同的製程中，可以視需要選擇使用不同的光阻劑，以移除或保留選定的圖形，類似雕刻中的陰刻或陽刻技巧。 10 • NCHC奈米科學研究小組 蘇俊鐘 2005/03/23 /http://nano.nchc.org.tw/dictionary/Optical_Lithography.html

  11. 如圖二所示，右邊使用的是正光阻，經光罩阻擋而未曝光的部份可以保護底下的晶圓，曝光的部份最後則經蝕刻移除；圖左使用的是負光阻，移除的是曝光的部份。如圖二所示，右邊使用的是正光阻，經光罩阻擋而未曝光的部份可以保護底下的晶圓，曝光的部份最後則經蝕刻移除；圖左使用的是負光阻，移除的是曝光的部份。 11 • NCHC奈米科學研究小組 蘇俊鐘 2005/03/23 /http://nano.nchc.org.tw/dictionary/Optical_Lithography.html

  12. 圖二：選擇使用不同的光阻劑的製程；右下圖使用的是正光阻，左下圖使用的是負光阻。 (取自Ref. 2) 12 • NCHC奈米科學研究小組 蘇俊鐘 2005/03/23 /http://nano.nchc.org.tw/dictionary/Optical_Lithography.html

  13. 一般來說， IC的密度越高，操作速度越快、平均成本也越低，因此半導體廠商無不絞盡腦汁要將半導體的線寬縮小，以便在晶圓上塞入更多電晶體。 然而，光微影術所能製作的最小線寬與光源的波長成正比 ，因此要得到更小的線寬，半導體製程不得不改採波長更短的光源。 13 • NCHC奈米科學研究小組 蘇俊鐘 2005/03/23 /http://nano.nchc.org.tw/dictionary/Optical_Lithography.html

  14. 微影製程步驟 14

  15. 微影製程步驟 1.晶片清洗： 2.去水烘烤： 3.塗底： 4.上光阻： 5.軟烤： 6.對準及曝光： 7.顯影： 8.硬烤： 9.顯影檢查： 10.蝕刻： 11.去除光阻： 12.最終檢查： 15

  16. 一般光罩的製作 16

  17. 一般光罩的製作 步驟一 步驟二 • nano.me.hfu.edu.tw/report/photoelectronics/3.ppt

  18. 步驟三 步驟四 步驟四 • nano.me.hfu.edu.tw/report/photoelectronics/3.ppt

  19. 步驟五 步驟六 步驟七 • nano.me.hfu.edu.tw/report/photoelectronics/3.ppt

  20. X光深蝕刻光罩的製作 步驟一 步驟二 • nano.me.hfu.edu.tw/report/photoelectronics/3.ppt

  21. 步驟三 步驟四 • nano.me.hfu.edu.tw/report/photoelectronics/3.ppt

  22. 步驟五 步驟六 • nano.me.hfu.edu.tw/report/photoelectronics/3.ppt

  23. 步驟七 ：將光阻去除，留下金屬部分，完成光罩的製作 步驟八 • nano.me.hfu.edu.tw/report/photoelectronics/3.ppt

More Related