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思考题. 说明下列图中，两侧纵坐标之间的关系；解释为什么用禁带宽度窄的半导体材料可能获得大的电流。. 思考题. 2. 在 I-V 平面分别绘出随正向偏压增加时，二极管的暗电流与太阳电池的光生电流的变化曲线，说明两者的关系。写出用短路电流与饱和暗电流及正向偏压表示的太阳电池光生电流方程。 3. 根据太阳电池输出外特性，描述电池转换效率的定义，并用公式给出理论定义。结合理论公式说明电池外特性的哪些特征将影响电池的效率。
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思考题 • 说明下列图中，两侧纵坐标之间的关系；解释为什么用禁带宽度窄的半导体材料可能获得大的电流。
思考题 2. 在I-V平面分别绘出随正向偏压增加时，二极管的暗电流与太阳电池的光生电流的变化曲线，说明两者的关系。写出用短路电流与饱和暗电流及正向偏压表示的太阳电池光生电流方程。 3. 根据太阳电池输出外特性，描述电池转换效率的定义，并用公式给出理论定义。结合理论公式说明电池外特性的哪些特征将影响电池的效率。 4. 当电池温度为300K时，面积为100cm2的硅电池在100mW/cm2的光照下，开路电压为600mV，短路电流为3.3A。假设电池工作在理想状态，为在最大功率点它的能量转换效率是多少。
思考题 5. 计算太阳电池的转换效率。设Si太阳电池，在AM1日照条件下Jsc=35m A/cm2，J0=10-11 mA/cm2。 注：
思考题 6.硅太阳电池的典型开路电压为0.6V，而GaAs电池的约为1.0V。在绝对与相对两种情况下，试比较两种电池在300K时的开路电压与温度的理论关系（零度时的禁带宽度分别为1.2和1.57eV）。
