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专题九、物质结构与性质

二轮复习. 专题九、物质结构与性质. 2013.05. 商南高中 王积斌. 主要考点归纳. 1 、 1~36 号元素原子的核外电子排布式。 2 、电离能、电负性的概念及其应用。 3 、共价键的类型,键参数及其与分子性质的关系。 4 、能用价层电子对互斥理论模型判断分子(离子)的空间构型;杂化轨道的判断。 5 、简单配合物的成键情况。 6 、化学键与分子间作用力的区别,氢键对物质性质的影响。 7 、分子晶体、离子晶体、金属晶体的结构微粒、微粒间作用力的区别。各类晶体熔沸点的比较。 8 、晶胞的计算。. 三年新课标卷考点比较. 体验高考.

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专题九、物质结构与性质

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  1. 二轮复习 专题九、物质结构与性质 2013.05 商南高中 王积斌

  2. 主要考点归纳 1、1~36号元素原子的核外电子排布式。 2、电离能、电负性的概念及其应用。 3、共价键的类型,键参数及其与分子性质的关系。 4、能用价层电子对互斥理论模型判断分子(离子)的空间构型;杂化轨道的判断。 5、简单配合物的成键情况。 6、化学键与分子间作用力的区别,氢键对物质性质的影响。 7、分子晶体、离子晶体、金属晶体的结构微粒、微粒间作用力的区别。各类晶体熔沸点的比较。 8、晶胞的计算。

  3. 三年新课标卷考点比较

  4. 体验高考 1、(2010课标卷)主族元素W、X、Y、Z的原子序数依次增大,W的原子最外层电子数是次外层电子数的3倍。X、Y和Z分属不同的周期,它们的原子序数之和是W原子序数的5倍。在由元素W、X、Y、Z组成的所有可能的二组分化合物中,由元素W与Y形成的化合物M的熔点最高。请回答下列问题: (1)W元素原子的L层电子排布式为,W3分子的空间结构为; (2)X单质与水发生主要反应的方程式为; (3)化合物M的化学式为,其晶体结构与NaCl相同,而熔点高于NaCl。M熔点较高的原因是。将一定量的化合物ZX负载在M上可制得ZX/M催化剂,用于催化碳酸二甲酯与月桂醇酯交换合成碳酸二月桂酯。在碳酸二甲酯分子中,碳原子采用的杂化方式有,O-C-O的键角约为; (4)X、Y、Z可形成立方晶体结构的化合物,其晶胞中X占据所有棱的中心,Y位于顶角,Z处于体心位置,则该晶体的组成为X:Y:Z=;  (5)含有元素Z的盐的焰色反应为色。许多金属盐都可以发生焰色反应,其原因是。

  5. 2、(2011课标卷)氮化硼(BN)是一种重要的功能陶瓷材料以天然硼砂为起始物,经过一系列反应可以得到BF3和BN,如下图所示:2、(2011课标卷)氮化硼(BN)是一种重要的功能陶瓷材料以天然硼砂为起始物,经过一系列反应可以得到BF3和BN,如下图所示: 请回答下列问题: (1)由B2O3制备BF3、BN的化学方程式依次是_________、__________; (2)基态B原子的电子排布式为_________;B和N相比,电负性较大的是_______,BN中B元素的化合价为_________; (3)在BF3分子中,F-B-F的建角是_______,B原子的杂化轨道类型为_______,BF3和过量NaF作用可生成NaBF,BF的立体结构为_______; (4)在与石墨结构相似的六方氮化硼晶体中,层内B原子与N原子之间的化学键为________,层间作用力为________; (5)六方氢化硼在高温高压下,可以转化为立方氮化硼,其结构与金刚石相似,硬度与金刚石相当,晶苞边长为361.5pm,立方氮化硼晶苞中含有______各氮原子、________各硼原子,立方氮化硼的密度是_______g·cm-3(只要求列算式,不必计算出数值,阿伏伽德罗常数为NA)。

  6. 3、(2012课标卷)ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种氧化态,含ⅥA族的化合物在研究和生产中有许多重要用途,请回答下列问题:3、(2012课标卷)ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种氧化态,含ⅥA族的化合物在研究和生产中有许多重要用途,请回答下列问题: (1)S单质的常见形式为S8,其环状结构如图所示,S原子采用的 轨道杂化方式是; (2)原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一电离能有大到小的顺序为; (3)Se原子序数为,其核外M层电子的排布式为; (4)H2Se的酸性碧H2Se(填“强”或“弱”)。气态SeO3分子的立体构型为,SO32—离子的立体构型为; (5)H2SeO3的K1和K2分别为2.7×10—3和2.5×10—8,H2SeO4第一步几乎完全电离,K2为1.2×10—2,请根据结构与性质的关系解释: ①H2SeO3与H2SeO4第一步电离程度大于第二步电离的原因:; ②H2SeO4比H2SeO3的酸性强的原因:; (6)ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛,立方ZnS晶体结构如下图所示,其晶胞边长为540.0pm,密度为g·cm—3(列式并计算),a位置S2—离子与b位置Zn2+离子之间的距离为pm(列式表示)。

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