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中国科学院半导体研究所 基本情况汇报

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中国科学院半导体研究所 基本情况汇报 - PowerPoint PPT Presentation


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中国科学院半导体研究所 基本情况汇报. 1. 半导体所概况 2. 科研布局及科研成果. 所情简介. 1956 年,在我国十二年科学技术发展远景规划中,半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地,国家于 1960 年 9 月 6 日在北京成立中国科学院半导体研究所 ( 以下简称半导体所 ) ,开启了中国半导体科学技术的发展之路。. 1960 年半导体所建所时的大门 所址设在东皇城根大取灯胡同. 1986 年迁址于海淀区清华东路甲 35 号 上图为半导体所新北大门.

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Presentation Transcript
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1.半导体所概况

2.科研布局及科研成果

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所情简介

1956年,在我国十二年科学技术发展远景规划中,半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地,国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所(以下简称半导体所),开启了中国半导体科学技术的发展之路。

1960年半导体所建所时的大门

所址设在东皇城根大取灯胡同

1986年迁址于海淀区清华东路甲35号

上图为半导体所新北大门

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海淀所区:北京市海淀区清华东路甲35号,所区面积近170亩。

廊坊分部:廊坊科技谷,面积112亩。

拟建

廊坊分部(科技谷)

海淀所区(基础部)

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工作区

生活区

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运动馆

2号科研楼

研究生公寓

1号科研楼

图书馆

3号科研楼

科研楼

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人员情况

半导体所现有在职职工690余人,包括中国科学院院士8人;中国工程院院士2人;正高级105人;“千人计划”入选者6人;“百人计划”及“杰青”共43人次;博士后在站人数20人。离退休人员630余人。在读研究生550余人。

设有3个博士后流动站,3个一级学科博士培养点,3个工程硕士培养点。

基本上各占

三分之一。

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研发机构

半导体超晶格国家重点实验室

集成光电子学国家重点联合实验室

表面物理国家重点实验室

光电子器件国家工程技术研究中心

国家光电子工艺中心

国 家 级

中科院半导体材料科学重点实验室

中科院半导体照明研发中心

北京市全固态激光先进制造工程技术研究中心

北京市射频集成电路与系统北京市重点实验室

院 级

光电子研究发展中心

纳米光电子实验室

半导体集成技术工程研究中心

高速电路与神经网络实验室

全固态光源实验室

光电系统实验室

所 级

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历史贡献
  • 黄昆先生荣获2001年度国家最高科学技术奖
  • 1958年,第一台硅单晶炉、区熔炉;
  • 第一根锗单晶、硅单晶、砷化镓单晶;
  • 第一只锗晶体管、硅平面晶体管、半导体固体组件;
  • 1963年,第一只激光二极管;
  • 1970年,第一颗人造地球卫星关键配套组件;
  • 第一代计算机所需的全部晶体管和固体组件;
  • 2004年,第一只GaN基蓝光激光器
  • ……
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1.半导体所概况

2.科研布局及科研成果

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“一三五”规划

定位于半导体科学技术的基础和应用研究。面向国民经济和国家战略需求,为我国半导体功能材料、光电子器件及集成技术做出基础性、战略性和前瞻性贡献。

高亮度发光二极管及制造装备

半导体所

高功率半导体激光科学与技术

固态量子信息与量子调控

半导体高功率和低功耗电子材料

信息光电子功能材料、器件与光子集成芯片

半导体激光投影关键光电子器件与技术

半导体微纳结构材料、器件及其集成电路

面向生命科学的微纳传感器件、装备及相关数字网络

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科研成果

专利

论文

2001年获国家最高科技奖近五年来,SCI论

文1615篇;专利申请共一千余件,授权663

件。建所以来获国家奖十余项、省部级奖励

百余项。

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近年来获奖情况
  • “直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术”获得2007年中国材料学会二等奖 (省部级奖);
  • “半导体低维结构光学与输运特性”获得2009年国家自然科学二等奖 (国家奖);
  • “第三代半导体JY电子材料和器件基础研究” 获得2009年GF一等奖(省部级奖);
  • “超辐射发光二极管模块”获得2009年GF二等奖(省部级奖);
  • 李树深院士 获得2011何梁何利基金科学与技术进步奖。
  • “高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术”获得2012年北京市科学技术一等奖(北京市奖);
  • “高性能GaN外延材料”获得2012年北京市科学技术二等奖(北京市奖);
  • “大功率激光二极管及组件”获得2012年北京市科学技术三等奖(北京市奖)。
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