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2 、表面安装电容 表面组装电容器目前使用较多的主要有两种:陶瓷系列 ( 瓷介 ) 的电容器和钽电解电容器,其中瓷介电容器约占 80% ,其次是钽和铝电解电容器。有机薄膜和云母电容器使用较少。 表面安装电容的外形同电阻一样,也有矩形片状和圆柱形两大类。. ( 1 )表面安装片状电容的标注. 例如: K2 为 2.4×100pF 、 AP3 为 13.6×1000pF. 用 P 表示小数点,如 4P7 表示 4.7 pF 。. ( 2 )常见片状电容 ① 片状多层陶瓷电容器
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2、表面安装电容 表面组装电容器目前使用较多的主要有两种:陶瓷系列(瓷介)的电容器和钽电解电容器,其中瓷介电容器约占80%,其次是钽和铝电解电容器。有机薄膜和云母电容器使用较少。 表面安装电容的外形同电阻一样,也有矩形片状和圆柱形两大类。
(1)表面安装片状电容的标注 例如:K2为2.4×100pF、 AP3为13.6×1000pF
(2)常见片状电容 ①片状多层陶瓷电容器 多层陶瓷电容器多以陶瓷材料为电容介质,多层陶瓷电容器是在单层盘状电容器的基础上构成的,电极深入电容器内部,并与陶瓷介质相互交错。多层陶瓷电容器简称MLC。MLC通常是无引脚矩形结构,外层电极与片式电阻相同,也是3层结构,即Ag-Ni/Cd-Sn/Pb, MLC外形和结构如图所示。
②片状铝电解电容器 铝电解电容器的容量和额定工作电压的范围比较大,因此做成贴片形式比较困难,一般是异形,如图所示。图a是铝电解电容器的形状和结构,图b是它的标注和极性表示方式。
③片状钽电解电容 钽电解电容以金属钽作为电容介质,可靠性很高,单位体积容量大,在容量超过0.33μF时,大都采用钽电解电容器。电容量范围是0.1~100 μF,直流工作电压范围为4~25 V。
钽电解电容器的结构和类型a)内部结构 b)裸片型 c)模塑封装型 d)端帽型
3、表面安装电感器 由于电感器受线圈制约,片式化比较困难,故其片式化晚于电阻器和电容器,其片式化率也低。尽管如此,电感器的片式化仍取得了很大的进展。不仅种类繁多,而且相当多的产品已经系列化、标准化,并已批量生产。
(1)片状电感器的标注方法 分别用N和R表示小数点。 例如:4N7表示4.7nH, 4R7表示4.7μH,10N表示10nH。但是,10μH用100表示。 大功率片状电感器用680K表示68 μH、 220K表示22 μH。
(2)常见片状电感器 ①绕线片状电感器
②多层片状电感器 多层型片式电感器(MLCI),它的结构和多层型陶瓷电容器相似,制造时由铁氧体浆料和导电浆料交替印刷叠层后,经高温烧结形成具有闭合磁路的整体。导电浆料经烧结后形成的螺旋式导电带,相当于传统电感器的线圈,被导电带包围的铁氧体相当于磁心,导电带外围的铁氧体使磁路闭合。
③高频片状电感器 高频片状电感器是在陶瓷基片上采用精密薄膜多层工艺技术制成,具有精度高、寄生电容小、固有频率高等特点。
4、表面安装半导体器件 表面安装半导体器件有片状二极管、片状三极管、片状场效应管、片状集成电路和片状敏感半导体器件。 也有由2、3只晶体管、二极管组成的简单复合电路。
(1)片状二极管 片状二极管,一般采用2端或3端SMD封装。
(2)片状三极管 晶体管类器件,一般采用3端或4端封装,4~6端SMD器件内大多封装了2只晶体管或场效应管。
(3)片状集成电路 片状集成电路包括各种数字电路和模拟电路的SSI~ULSI集成器件。
·常用封装(1) • SOP(Small Outline Package)小外形封装 • QFP(Quad Flat Package )方形扁平封装 • PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)塑封引线芯片载体 • SOP QFP PLCC
常用封装(2) • COB(Chip On Board)板载芯片 • bonding • BGA(ball grid array)球栅阵列