overzicht vierde college svr transistoren vervolg n.
Download
Skip this Video
Loading SlideShow in 5 Seconds..
Overzicht vierde college SVR “Transistoren (vervolg)” PowerPoint Presentation
Download Presentation
Overzicht vierde college SVR “Transistoren (vervolg)”

Loading in 2 Seconds...

play fullscreen
1 / 18

Overzicht vierde college SVR “Transistoren (vervolg)” - PowerPoint PPT Presentation


  • 160 Views
  • Uploaded on

Overzicht vierde college SVR “Transistoren (vervolg)”. Herhaling de p-n overgang (diodes) de p-n-p of n-p-n overgang (transistoren) Transistoren (vervolg): bipolaire versus veldeffect transistoren enkele schakelingen met transistoren Van transistor naar Operationele versterker (OpAmp)

loader
I am the owner, or an agent authorized to act on behalf of the owner, of the copyrighted work described.
capcha
Download Presentation

PowerPoint Slideshow about 'Overzicht vierde college SVR “Transistoren (vervolg)”' - faustus-marlas


An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Presentation Transcript
overzicht vierde college svr transistoren vervolg
Overzicht vierde college SVR“Transistoren (vervolg)”
  • Herhaling
    • de p-n overgang (diodes)
    • de p-n-p of n-p-n overgang (transistoren)
  • Transistoren (vervolg):
    • bipolaire versus veldeffect transistoren
    • enkele schakelingen met transistoren
  • Van transistor naar Operationele versterker (OpAmp)
    • Ook versterking van DC signaal
    • Karakteristiek van ideale OpAmp
ladingsverdeling in p n overgang diode
Ladingsverdeling in p-n overgang (diode)

p-type (verarmingslaag) n-type

  • Voor Uext = 0 is er stroombalans (bij Uint Egap/q):
    • generatiestroom -Is : creatie van e+h paren in verarmingslaag
    • diffusiestroom Is eqV/kT : meerderheidsladingsdragers die “tegen de potentiaalberg op klimmen”
  • Voor Uext > 0 wordt de barrière kleiner (en diffusiestroom groter)
karakteristieken van bipolaire transistor
Karakteristieken van bipolaire transistor

1. Spanningsgestuurde stroombron

2. Stroomversterkingsfactor 

UBE  0.6 V

  20 - 1000

Regtien-10.2

transistoren een kort overzicht
Transistoren (een kort overzicht)
  • Nulde-orde aanpak:

1. Transistor open bij vast voltage VBE  0.6 V

2. Basis trekt vrijwel geen stroom (»1)

  • Eerste-orde aanpak:

1. VBE verandert toch een beetje (eindige steilheid s = 1/Rdiff )

2. Eindige “stroomversterking ”

  • Toepassingen van transistoren
    • Voltage-stroom omzetter (Regtien §10.2.1)
    • Voltage versterker (Regtien §10.2.2 en 10.2.3)
    • Emitter volger = buffer versterker (Regtien §10.2.4)
vervangingsschema transistor
Vervangingsschema transistor
  • Gebruik als spannings-stroom omzetter

Vraag: Wat is de relatie tussen IC en Ui ?

Regtien-10.5 & 10.6

transistor als spanningsversterker
Transistor als spanningsversterker
  • Instelling werkpunt is heel belangrijk !!
  • Differentiële versterking rond werkpunt

Regtien-10.7 & 10.10

transistor als spanningsversterker1
Transistor als spanningsversterker
  • Instelling werkpunt is heel belangrijk !!
  • Differentiële versterking rond werkpunt

UB(t) = UB,0 + ui sin(t)

UC(t) = UC,0 + uo sin(t+)

A = uo/ui

Regtien 10.10

vervangingsschema ac spanningsversterker
Vervangingsschema AC spanningsversterker
  • Spanningsversterker met
    • instelling basisspanning
    • capacitieve koppeling van ingang en uitgang

Regtien-10.11

vergroting van hoogfrequente versterking
Vergroting van hoogfrequente versterking

Regtien-10.12

Extra condensator !

emittervolger als bufferversterker
Emittervolger (als bufferversterker)

Vb. RE = 10 k,

Iwerk = 1.0 mA,

 = 200

=> Rin = RE/  = 2 M

Rout = re = 25 

Regtien-10.13

veldeffecttransistor jfet mosfet
Veldeffecttransistor (JFET & MOSFET)

MOS = Metal-Oxide- Semiconductor

Regtien-11.3 & 11.5

karakteristieken van jfet
Karakteristieken van JFET

werkgebied JFET

  • Drie regiems: Weerstand, Verkleining kanaal, Pinch-off
  • Pinch-off gebied (gebied 3 in Fig. 11.2c)
  • steilheid s [mA/V] = 1/Rdiff

Regtien-11.2

vervangingsschema fet
Vervangingsschema FET
  • Pinch-off gebied
  • FET heeft hoogohmige gate ingang ( > 10 G )
  • (enkel lekstroom gate condensator)
  • Steilheid FET sFET = 1/Rdiff < sbipolar(Steilheid bipolair)

Regtien-11.4

schakeling met fets
Schakeling met FETs

Spannings-stroomomzetter

Spannings-

versterker

Regtien-11.6 & 11.7

verschilversterker
Verschilversterker

stroombron

symmetrische

schakeling om

driftproblemen

te vermijden

(dUBE/dT  2 mV/K)

Regtien-10.14

samenvatting svr4
Samenvatting SVR4
  • Halfgeleiders, doping, en het belang van de p-n overgang
  • Bipolaire transistoren uit p-n-p en n-p-n schakelingen
  • Schakelingen met transistoren
    • Spanningsstroomomzetters
    • Spanningsversterkers, …
  • Types transistoren: bipolair, JFET, MOSFET
  • ZELFSTUDIE:
    • Regtien Hoofdstukken 9, 10, 11