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半导体及二极管. 1. 半导体的导电特性. 本征半导体 硅 锗. 两种载流子: 空穴 自由电子. N 型半导体. P 型半导体. PN 结的形成. 多数载流子的扩散运动. 形成 PN 结. 扩散运动与漂移运动. PN 结的单向导电性. PN. 结加正向电压. (导通). PN. 结加反向电压. (截止). 2. 半导体二极管. 二极管的 伏安特性. 二极管的主要参数. ( 1 )最大整流电流 I F ( 2 )反向击穿电压 V BR ( 3 )反向电流 I R. 二极管基本电路及其分析方法.
E N D
1. 半导体的导电特性 本征半导体 硅 锗
两种载流子: 空穴 自由电子
PN 结的形成 多数载流子的扩散运动
PN 结加正向电压 (导通)
PN 结加反向电压 (截止)
二极管的 伏安特性
二极管的主要参数 (1)最大整流电流 IF (2)反向击穿电压 VBR (3)反向电流 IR
二极管基本电路及其分析方法 (1)二极管正向V-I特性的建模 理想化模型 恒压降模型
(2)模型分析法应用举例 1)静态工作情况分析 2)限幅电路 3)开关电路 4)低电压稳压电路
齐纳二极管 (稳压管)
半导体三极管 及 放大电路基础
晶体管的电流方向、 发射结和集电结的极性
晶体管的主要参数 (1)电流放大系数 (2)集-基极反向电流 ICBO (3)集-射极反向电流 ICEO
(4)集电极最大允许电流 ICM (5)集电极最大允许耗散功率 PCM
2. 基本放大电路 晶体管工作在放大状态必须: ■ 发射结为正向偏置 ■ 集电结为反向偏置
(1)静态分析 直流通路