1 / 17

С2-МКМ-технология ТМ микроэлектронной сборки

С2-МКМ-технология ТМ микроэлектронной сборки. А.Таран. Сварной контактный узел. Соединительный элемент. Контакт 2. Контакт 1. A. A. ПП-основание. Кристалл ИС. Пример сборки на базе сварного контактного узла. Флип-чип контактный узел. Кристалл ИС. A. A. Контакт 1 (на керамике ).

draco
Download Presentation

С2-МКМ-технология ТМ микроэлектронной сборки

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. С2-МКМ-технологияТМ микроэлектронной сборки А.Таран

  2. Сварнойконтактный узел Соединительный элемент Контакт 2 Контакт 1 A A ПП-основание Кристалл ИС

  3. Пример сборки на базе сварного контактного узла

  4. Флип-чипконтактный узел Кристалл ИС A A Контакт 1 (на керамике) Контакт 2 (на Si) A A Коммутационное основание (керамика) Соединительный элемент - бамп

  5. Capillary Connection (С2)контактный узел Фаза пайки Контакт 1 (на ПИ) Контакт 2 (на Si) Капиллярный соединительный элемент ПИ-коммутационная структура Фаза совмещения

  6. C2-МКМ-технология:патенты Приоритет: 08.12.1998 4 патента РФ - получены 3 патента США - получены 1патент США - в оформлении 4 патента Кореи - в оформлении Автор:А.И.Таран

  7. Преимущества C2-технологии • Возможность контактирования по всей поверхности кристалла (а не только по периферии) • Нет флюсаи загрязнений (вакуумная пайка) • «Мягкий» процесс (даже для GaAS) • Малые размеры контактного узла (тонкий ПИ) • Высокая прочность контактного узла

  8. «Универсальность» С2-технологии и С2-контактного узла 1) Многослойная ПИ-плата (монтаж ПИ на ПИ) 2) Монтаж Si (GaAs) на ПИ3) Монтаж ПИ на ПП (или другую подложку)

  9. Прецизионные коммутационные структуры - элементы планарных МКМ Многослойные полиимидные печатные платы Многослойные жесткие коммутаци-онные подложки

  10. C2 – прямой монтаж чипа(40х40=1600 контактов/cm2 )

  11. C2-МКМ(8 чипов x 400 конт = 3200 конт)

  12. Прототип сборочной машины для С2-технологии

  13. Базовый процессорный модуль в конструктиве PC-card (на базе МКМ-PC-card) Базовый процессорный модуль в конструктиве PC-104 (на базе МКМ-PC-104) 70 мм 60 мм 60 мм 96 мм 85 мм базовый МКМ-PC-104 (60х70 мм) 92 мм 55 мм Базовые конструкции унифицированного процессорного модуля 35 мм 35 мм 35 мм базовый МКМ-PC-card (35х60 мм) МКМ для базового ТЭЗ-МКМ

  14. С2-МКМ-узел Зона припайки ПИ-КС к жесткому носителю Зона для монтажа чипов 10 мм 27 мм ПИ-коммутационная структура (ПИ-КС) 27 мм Суммарная площадь активного кремния ~ 4см2 Толщина ~ 1мм Габариты ~ 35х35 мм Вес ~ 3 г

  15. 50 мм 50 мм 5 мм Типовой элемент замены (ТЭЗ) на базе С2-МКМ (основные характеристики) Разьем до 140 pin Суммарная площадь «активного» кремния ~ 8 см2(два С2-МКМ по 4 см2 «активного» кремния) Вес ~ 10 г Рассеиваемая мощность ~ 5 Вт Стойкость «Мороз», «Климат»

  16. Блок МКМ-аппаратуры на ~600 см2 «активного» кремния 112 мм 160 мм 100 мм

  17. Варианты компоновки аппаратуры на базе ТЭЗ-С2-МКМ до 10 «этажей» ~ 5 см высоты 50 мм

More Related