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    1. Lithographie 5.1 Einführung 5.2 Resist-Technik 5.3 Optische Lithographie 5.4 Elektronenstrahl - Lithographie 5.5 SU-8 Technologie 5.6 Röntgen Lithographie

    2. Lithographie Ziel Strukturübertrag auf das Substrat bzw. eine auf dem Substrat befindliche Schicht Methoden der Lithographie Strahlungsempfindliche Hilfsschicht (Resist) Kann durch Strahlung strukuturiert werden Ist resistent gegen nachfolgende Prozesse der Strukturübertragung

    4. Einführung – Bedeutung der Lithographie Einteilung nach Wellenlängen Optische Lithographie = Photolithographie (Standardverfahren) Röntgenlithographie (X-Ray Lithography) Elektronenstrahl Lithographie Ionenstrahl Lithographie Minimale Auflösung der lateralen Strukturen (Linienbreite) wird maßgeblich bestimmt durch Die Wellenlänge der verwendeten Strahlung Spezielle „Tricks“, um die Strukturen noch kleiner zu machen

    5. Einführung – Bedeutung der Lithographie Zentrale Bedeutung in der Mikroelektronik: Verkleinerung der Gate-Länge eines Transistors Mehr Transistoren / Fläche Höhere Taktraten

    6. Moores Law ... Inzwischen: Verdopplung der Komplexität von integrierten Schaltkreisen alle 18 Monate

    7. Gliederung 5.1 Einführung 5.2 Resist-Technik 5.3 Optische Lithographie 5.4 Elektronenstrahl – Lithographie 5.5 SU-8 Technologie 5.6 Röntgen Lithographie

    8. Was ist ein RESIST? Strahlungsempfindliches Polymer Selektiv strukturierbar Resistent gegen weitere, folgende Strukturierungsprozesse Unterscheidung in Positiv- und Negativ – Resist

    9. Positiv-Resist (I) Die unbelichteten Bereiche bleiben stehen, die belichteten Bereiche werden beim Entwickeln aufgelöst Mehrkomponentenresists Standard bei Photolithographie Durch Bestrahlung werden photochemisch aktive Gruppen von einer im Entwickler unlöslichen Form (hydrophob) in eine lösliche Form (hydrophil) umgewandelt „Wolff Umwandlung“

    10. Positiv-Resist (II)

    11. Negativ-Resist Die belichteten Bereiche bleiben stehen, die unbelichteten Bereiche werden beim Entwickeln aufgelöst Photoempfindliche Komponente in einem Polymergerüst + Lösungsmittel Bestrahlung ? wird absorbiert Anregung der Photokomponente Übertragung auf Polymergerüst Vernetzungsreaktion (Mol-Gewicht ?) Entwickler löst Bereiche mit niedrigem Mol-Gewicht auf Belichtete Bereiche bleiben stehen

    12. Belichtungszeit ist abhängig von der Schwellenenergie ET Kontrast resultiert aus der Flankensteilheit Dunkelabtrag Belichtungs- & Entwicklungscharakteristik (I)

    13. Belichtungs- & Entwicklungscharakteristik (II) Belichtungszeit ist abhängig von der Schwellenenergie Kontrast resultiert aus der Flankensteilheit Dunkelabtrag

    14. Belichtungs- & Entwicklungscharakteristik (III) Belichtungszeit ist abhängig von der Schwellenenergie Kontrast abh. von der Flankensteilheit Dunkelabtrag

    15. Die belichteten und entwickelten Resistprofile weichen durch Kantenverrundung vom Rechteckprofil ab, aufgrund Intensitätsverteilung in abgeschatteten Bereichen Kontrast und Dunkelabtrag des Resist Lackprofile nach Entwicklung

    16. Novolak-Diazo-Resist Aspektverhältnis < 5 typische Dicken 1 – 3 µm PMMA Aspektverhältnis bis zu 100 für Dicken >> 10µm Aspektverhältnis: Positiv-Resiste

    17. Starkes Quellen des Resists bei der Entwicklung! Aspektverhältnis bei 0.3 Einsatz von Negativ – Resists nur bis lateralen Strukturbreiten > 2-3 µm Ausnahme SU-8 Aspektverhältnis bis zu 30 Einsatz für Spezialanwendungen Aspektverhältnis: Negativ-Resiste

    18. Image Reversal im Positiv-Resist Trick Resist wird zweimal belichtet und zwischen den Belichtungen chemisch modifiziert ? Positiv-Resist verhält sich wie hochauflösender Negativresist

    19. Image Reversal: Umkehr des Kantenprofils

    20. Lift-Off Prozess Ziel: Strukturierung von Metallen ohne Ätzung Strukturierung von Photo-Resist Ganzflächige Metallabscheidung (z.B. Pt) Ablösen des Photoresists Metall auf Photoresist wird mit entfernt Metall auf Substrat bleibt stehen Wichtig: Umkehr des Kantenprofils durch Image Reversal macht den Lift-Off Prozess erst möglich

    21. Vergleich Positiv-/ Negativ-Resist

    22. Gliederung 5.1 Einführung 5.2 Resist-Technik 5.3 Optische Lithographie 5.3.1 Wellenlänge 5.3.2 Masken 5.3.3 Belichtungsverfahren 5.3.4 Alignment 5.3.5 Ablauf einer Photolithographie 5.3.6 Grenzen und Weiterentwicklung 5.4 Elektronenstrahl - Lithographie 5.5 SU-8 Technologie 5.6 Röntgen Lithographie

    23. Wellenlängen der Photolithographie (I) UV-Strahlung kommt zum Einsatz (UV - Lithographie) Verwendete Strahlungsquellen für UV- und Deep UV- Licht Quecksilberdampflampen 436 nm (G - Linie) 365 nm (I - Linie)

    24. Wellenlängen der Photolithographie (II) UV-Strahlung kommt zum Einsatz (UV - Lithographie) Verwendete Strahlungsquellen für UV- und Deep UV- Licht Quecksilberdampflampen Excimerlaser KrF: 248nm ArF: 193nm (F2 : 157nm) Excimerlaser erweitern den Einsatzbereich bis zu 140 nm Linienbreite ? noch kleinere Strukturen sind durch weitere Tricks möglich (siehe Kap. 5.3.6.)

    26. Gliederung 5.1 Einführung 5.2 Resist-Technik 5.3 Optische Lithographie 5.3.1 Wellenlänge 5.3.2 Masken 5.3.3 Belichtungsverfahren 5.3.4 Alignment 5.3.5 Ablauf einer Photolithographie 5.3.6 Grenzen und Weiterentwicklung 5.4 Elektronenstrahl - Lithographie 5.5 SU-8 Technologie 5.6 Röntgen Lithographie

    27. Quarzglasplatte mit einer strukturierter Chromschicht (Absorber) Typische Kosten: 30 €/cm2 für Strukturen > 5µm 75 €/cm2 für Strukturen 1 – 5 µm Maske für 4“-Wafer circa 300 – 2.500 € „Chrommasken“ in der optischen Lithographie

    28. Herstellung von „Chrommasken“ Resist auf chrom-beschichtete Quarzplatte (Maskenblank) aufbringen Resist mit Elektronenstrahl-Schreiber (e-Beam) oder Patterngenerator strukturieren Resist entwickeln Chrom (nasschemisch) ätzen Resist entfernen (strippen)

    29. Lightfield / Darkfield

    30. Gliederung 5.1 Einführung 5.2 Resist-Technik 5.3 Optische Lithographie 5.3.1 Wellenlänge 5.3.2 Masken 5.3.3 Belichtungsverfahren 5.3.4 Alignment 5.3.5 Ablauf einer Photolithographie 5.3.6 Grenzen und Weiterentwicklung 5.4 Elektronenstrahl - Lithographie 5.5 SU-8 Technologie 5.6 Röntgen Lithographie

    31. Belichtungsverfahren

    32. Physikalische Grenze gegeben durch Wellennatur des Lichtes Beugung des Lichtes an der Maske, abhängig von … Wellenlänge l Abstand dprox (~ Proximity Abstand + Lackdicke) Intensitätsverteilung im Lack Auflösung bei der Schattenprojektion

    33. Maske liegt auf Wafer / wird angepresst Strukturen im Sub-µm-Bereich sind möglich Geringe Abbildungsfehler Verschmutzung der Maske Maskendefekte durch Staubteilchen sind unvermeidbar Full-Wafer-Verfahren Hoher Durchsatz Kontakt - Belichtung

    34. Kein direkter Kontakt zwischen Maske und Substrat (Proximity-Gap: 10 µm ? g ? 30 µm) Höhere Maskenlebensdauer Geringere Strukturauflösung Full-Wafer-Verfahren Hoher Durchsatz Proximity - Belichtung

    35. Abbildende Projektion Verkleinerung der Maskenstruktur durch Objektiv abschnittsweise Projektion der Maske auf den Wafer Maske enthält nur eine funktionelle Einheit z. B. einen Chip „step and repeat“-Verfahren bmin = 0.5 • ? / NA NA: numerische Apertur des Systems = n sina Tiefenschärfe ?f = ? / NA²

    36. Vorteile: Vergrößerte Masken (Reticle) sind leichter herstellbar: ? Bessere Kontrollierbarkeit. ? Nur 1 Chip auf Maske: preiswertere Fertigung Einzelchipbelichtung (“Step and Repeat”): ? Nichtlinearer Waferverzug ist korrigierbar Nachteile: Geräte sind sehr teuer (extrem korrigierte Optiken) Objektive haben NA < 0.6 geringer Durchsatz ? Justage für jeden einzelnen Chip Geringe Tiefenschärfe ? geringes Aspektverhältnis Abbildende Projektion

    37. Objektive für die Projektion

    38. Gliederung 5.1 Einführung 5.2 Resist-Technik 5.3 Optische Lithographie 5.3.1 Wellenlänge 5.3.2 Masken 5.3.3 Belichtungsverfahren 5.3.4 Alignment 5.3.5 Ablauf einer Photolithographie 5.3.6 Grenzen und Weiterentwicklung 5.4 Elektronenstrahl - Lithographie 5.5 SU-8 Technologie 5.6 Röntgen Lithographie

    39. Alignment Strukturübertragung über mehrere Masken erfordert deren jeweilige Justage zum Substrat mit sub-µm-Genauigkeit Durchführung im Mask – Aligner Substrat und Maske sind in x, y und ? beweglich erste Maske wird am Flat ausgerichtet

    40. Alignment Strukturübertragung über mehrere Masken erfordert deren jeweilige Justage zum Substrat mit sub-µm-Genauigkeit Durchführung im Mask – Aligner Substrat und Maske sind in x, y und ? beweglich erste Maske wird am Flat ausgerichtet

    41. Alignment Strukturübertragung über mehrere Masken erfordert deren jeweilige Justage zum Substrat mit sub-µm-Genauigkeit Durchführung im Mask – Aligner Substrat und Maske sind in x, y und ? beweglich erste Maske wird am Flat ausgerichtet nachfolgende Masken werden mit 2 Mikroskopen (links & rechts) auf die vorhandenen Strukturen mit Hilfe von Alignment-Strukturen justiert

    42. Alignment der zweiten Maske

    43. Alignment – Strukturen bei Photomasken

    44. Mask – Aligner für Schattenprojektion

    45. Alignment der ersten Maske „Flat – Alignment“ der ersten Maske ? nicht sehr exakt aber im „Normalfall“ unkritisch Belichtung einer Teststruktur in Kombination mit anisotropen Ätzen ? ermöglich Identifikation der exakten Lage des Einkristall und erlaubt die Fehlorientierung des Flat zu kompensieren

    46. Wie justiert man Vorder- & Rückseite zueinander? Prozessierung des Wafers von beiden Seiten, erfordert Ausrichtung der Strukturen auf Vor- und Rückseite Übliches Verfahren (UV Licht kommt immer von oben): Wafer mit „Rückseite nach oben“ einlegen Wafer auf unten liegende Vorderseiten-Maske justieren Wafer ausfahren und oben liegende Rückseitenmaske auf unten liegende Vorderseitenmaske justieren Wafer einfahren und belichten

    47. Gliederung 5.1 Einführung 5.2 Resist-Technik 5.3 Optische Lithographie 5.3.1 Wellenlänge 5.3.2 Masken 5.3.3 Belichtungsverfahren 5.3.4 Alignment 5.3.5 Ablauf einer Photolithographie 5.3.6 Grenzen und Weiterentwicklung 5.4 Elektronenstrahl - Lithographie 5.5 SU-8 Technologie 5.6 Röntgen Lithographie

    48. Ablauf einer Photolithographie (I) Reinigung der Wafer Entfernen von Schmutzpartikeln Standard – Prozedur: Aceton ? Isopropanol ? DI–Wasser ? dann Trockenschleudern und Ausheizen ( T ~ 115°C)

    49. Ablauf einer Photolithographie (II) Reinigung der Wafer HMDS – Beschichtung (Hexamethyldisilazan) Resist haftet nicht oder nur schlecht auf Si, SiOH oder SiO2 HDMS verbessert die Haftung zum Substrat

    50. Reinigung der Wafer HMDS – Beschichtung (Hexamethyldisilazan) Resist aufbringen (Spin – Coating) Resist aufdosieren Resist verteilen bei U = 800 rpm Resistdicke definieren bei U ~ 4000 rpm Ablauf einer Photolithographie (III)

    51. Ablauf einer Photolithographie (IV) Reinigung der Wafer HMDS – Beschichtung (Hexamethyldisilazan) Resist aufbringen (Spin – Coating) Softbake Austreiben des Lösungsmittels Alternative 1 auf „Hotplate“: T = 90°C, t = 45 sec Alternative 2 im Ofen: T = 90-100°C, t = 20 min

    52. Reinigung der Wafer HMDS – Beschichtung (Hexamethyldisilazan) Resist aufbringen (Spin – Coating) Softbake Alignment und Belichten Parameter: Belichtungszeit, Energiedosis und Wellenlänge Proximity-, Kontakt- oder abbildende Belichtung Ablauf einer Photolithographie (V)

    53. Ablauf einer Photolithographie (VI) … Softbake Alignment und Belichten Entwickeln Entwickeln in speziellem Entwickler (vom Anbieter des Photo-Resists, z.B. Kodak) Parameter: Entwicklungsdauer (Standard: ca. 50 sec ) Überentwicklung führt zu schlechten Kanten Unterentwicklung führt zu Rückständen des zu entfernenden Resist

    54. Ablauf einer Photolithographie (VII) … Alignment und Belichten Entwickeln Postbake Austreiben des restlichen Lösungsmittels Stabilisierung und Aushärtung der Polymer-Matrix Alternative 1 auf Hotplate: T = 115°C, t = 45 sec Alternative 2 im Ofen: T = 115-130°C, t = 20 min

    55. Ablauf einer Photolithographie (VIII) … Alignment und Belichten Entwickeln Postbake Strukturierungsprozesse Ätzen, Dotieren, Schichtabscheiden, …

    56. Ablauf einer Photolithographie (IX) … Entwickeln Postbake Strukturierungsprozesse Resist entfernen (Strippen) Alternative 1: Aceton (t ~ 5 min) ? Isopropanol ? DI-Wasser Alternative 2: O2-Plasma (Veraschen)

    57. Ablauf einer Photolithographie (X) Reinigung der Wafer HMDS – Beschichtung (Hexamethyldisilazan) Resist aufbringen (Spin – Coating) Softbake Alignment und Belichten Entwickeln Postbake Strukturierungsprozesse Resist entfernen (Strippen)

    58. Gliederung 5.1 Einführung 5.2 Resist-Technik 5.3 Optische Lithographie 5.3.1 Wellenlänge 5.3.2 Masken 5.3.3 Belichtungsverfahren 5.3.4 Alignment 5.3.5 Ablauf einer Photolithographie 5.3.6 Grenzen und Weiterentwicklung 5.4 Elektronenstrahl - Lithographie 5.5 SU-8 Technologie 5.6 Röntgen Lithographie

    59. Grenzen bei kleiner werdenden Strukturen Limitierende Faktoren Kontaktbelichtung: Beugung (Wellenlänge des Lichts) abbildende Projektion: Tiefenschärfe und numerische Apertur Kontrast und Auflösung des Resists Störungen wie z.B. Partikel Störungen wie z.B. Reflektionen vom Substrat ? stehende Wellen Weiterentwicklungen im Bereich der Photolithographie Phasenschieber – Masken (Destruktive Interferenz) Mehrlagen-Resists (Tri-Level-Prozess) Immersion Lithography

    60. Phasenschiebende Maske

    61. Umgehung des Problems der kleiner werdenden Tiefenschärfe ? Mehrlagen-Resist sehr dünne Schicht, die optisch strukturiert wird darunter liegende Schichten durch Ätzverfahren strukturiert Vorteil: Arbeiten mit kleiner Fokustiefe möglich (abbildende Projektion) Ausgleich von Unebenheiten (Topographie) Der „Tri-Level-Prozess“

    62. Immersion Lithography Vergrößerung der numerischen Apertur durch Medium mit Brechungsindex > 1 z.B. DI-Wasser mit n = 1,47 Theoretische Auflösung für 193 nm Wellenlänge steigt damit auf 35 nm (reicht bis ca. 2007) Bei Reduktion der Wellenlänge auf 157 nm ist aber Wasser nicht mehr transparent

    64. Gliederung 5.1 Einführung 5.2 Resist-Technik 5.3 Optische Lithographie 5.4 Elektronenstrahl – Lithographie 5.4.1 E-Strahlschreiber 5.4.2 Schreibstrategien 5.4.3 Strukturauflösung 5.5 SU-8 Technologie 5.6 Röntgen Lithographie

    65. Elektronenstrahl - Lithographie Strukturierung des Resist mit Elektronenstrahlen (Teilchenstrahlung/korpuskular-Strahlung) Resist: meist PMMA E-Strahlschreiber: Vakuum Strahlbreite < 2 nm (jedoch Streuung in Resist und Substrat) Strahlformen: „Gauß´scher Strahl“ und „geformter Strahl“ ablenkbarer E-Strahl, keine Maske notwendig serielles Verfahren, langsam

    66. E – Strahlschreiber (I)

    67. E – Strahlschreiber (II)

    69. E – Strahlschreiber (IV) Spannungsverlauf an den Ablenkspulen Geringe Änderung der Ströme ? Vermeiden von Wirbelströmen Abrastern einer 5“ Maske mit einem Elektronenstrahl von 2 nm Breite: 120 mm = 120 x 106 nm 60 x 106 Zeilen oder 7.200 km Schreiblänge bei 2 nm Strahlbreite

    70. E – Strahlschreiber (V) Elektronenstrahlschreiber (Leica, Typ EBPG-4 HR) Strahlquelle: LaB6 Beschleunigungsspannung: 20 kV oder 50 kV

    71. Gliederung 5.1 Einführung 5.2 Resist-Technik 5.3 Optische Lithographie 5.4 Elektronenstrahl – Lithographie 5.4.1 E-Strahlschreiber 5.4.2 Schreibstrategien 5.4.3 Strukturauflösung 5.5 SU-8 Technologie 5.6 Röntgen Lithographie

    72. Schreibstrategien beim Gauß`schen Strahl Ziel: Minimierung der Schreibzeit Raster-Scan E-Strahl wird mäanderförmig über gesamte Fläche geführt Strahl nur an den zu belichtenden Stellen eingeschaltet Vektor-Scan Nur die zu belichtenden Stellen werden angefahren Zeitersparnis

    73. Geformter Strahl Abbildung der ersten Blende auf die zweite ? Rechteckige Strahlform Vorteile deutlich geringere Schreibzeiten, durch Vergrößerung der belichteten Fläche Nachteile Abzubildende Struktur muß gut in Rechtecke aufzuteilen sein ? oft ein Problem in der MST

    74. Nachteil beim geformten Strahl Problem: Rechteckiger Strahl: ? Runde Strukturen müssen durch Rechtecke angenähert werden

    75. Vorteil beim geformten Strahl

    76. Gliederung 5.1 Einführung 5.2 Resist-Technik 5.3 Optische Lithographie 5.4 Elektronenstrahl – Lithographie 5.4.1 E-Strahlschreiber 5.4.2 Schreibstrategien 5.4.3 Strukturauflösung 5.5 SU-8 Technologie 5.6 Röntgen Lithographie

    77. Kleinste Strukturauflösung bestimmt durch Wechselwirkung Elektronen Resist Substrat Strahldurchmesser (~ nm) nicht entscheidend Proximity-Effekt Vorwärtsstreuung der Elektronen im Resist ? Keulenförmige Verteilung Auflösung der Elektronenstrahl-Lithographie (I)

    78. Kleinste Strukturauflösung bestimmt durch Wechselwirkung Elektronen Resist Substrat Strahldurchmesser (~ nm) nicht entscheidend Proximity-Effekt Vorwärtsstreuung der Elektronen im Resist ? Keulenförmige Verteilung Rückstreuung der Elektronen vom Substrat ? Belichtung des Resist von unten Auflösung der Elektronenstrahl-Lithographie (II)

    79. Proximity Effekt Einflüsse auf den Proximity – Effekt: Beschleunigungsspannung der Elektronen ? höhere Beschleunigungsspannung, geringere Streuung Dicke und Atomgewicht des Resists ? geringes mittleres Atomgewicht und geringe Dicke, geringere Streuung Atomgewicht des Substratmaterials ? niedriges Atomgewicht, geringere Rückstreuung (z.B. Be) Kontrast und Dunkelabtrag des Resists

    80. Proximity Effekt Einflüsse auf den Proximity – Effekt: Beschleunigungsspannung der Elektronen ? höhere Beschleunigungsspannung, geringere Streuung Dicke und Atomgewicht des Resists ? geringes mittleres Atomgewicht und geringe Dicke, geringere Streuung Atomgewicht des Substratmaterials ? niedriges Atomgewicht, geringere Rückstreuung (z.B. Be) Kontrast und Dunkelabtrag des Resists Korrektur des Proximity – Effektes: Aufteilen der zu schreibenden Struktur, Belichtung mit unterschiedlichen Energiedosen

    82. Gliederung 5.1 Einführung 5.2 Resist-Technik 5.3 Optische Lithographie 5.4 Elektronenstrahl – Lithographie 5.5 SU-8 Technologie 5.6 Röntgen Lithographie

    83. SU-8 Technologie Strukturen mit großem Aspektverhältnis – aber bitte ohne Röntgenstrahlung ... Photolithographie optisches Licht Standard – Cr-Masken oder Folienmasken Photo-Resist optimiert für große Dicken Kontrast, Kantensteilheit ... ist möglich mit SU-8

    84. SU-8: Epoxybasierter Negativ-Fotoresist SU-8 erlaubt Strukturhöhe bis ~ 500 µm pro Lage Resist bis ~2 mm bei mehreren Lagen Resist übereinander alles ohne Röntgenstrahlung! Hohes Aspektverhältnis (1:40 bei UV-Lithographie) ? aufgrund hoher Kontrast des SU-8 ? Strukturierung von hohen Strukturen Hohe chemische Resistenz ? auch als Ätzmaskierung verwendbar …d.h., su8 ist für Mikrofluidische Anwendungden geeignet Bietet interessante Designmöglichkeiten , aber auch Einschrängkungen…d.h., su8 ist für Mikrofluidische Anwendungden geeignet Bietet interessante Designmöglichkeiten , aber auch Einschrängkungen

    85. Strukturen in SU-8 mit UV-Lithographie

    86. Strukturen mit SU-8 mit Röntgenstrahlung

    87. Designmöglichkeiten und Einschränkungen Wie gesagt: Höhen bis 2mm, dann nicht mehr belichtbar Zu beachten: großer Volumenschwund beim PEB-> Schichtspannungen. Es sollte nach Möglichkeit.... Schichtaufbau: unter Vorr. Das ...belichtet..Wie gesagt: Höhen bis 2mm, dann nicht mehr belichtbar Zu beachten: großer Volumenschwund beim PEB-> Schichtspannungen. Es sollte nach Möglichkeit.... Schichtaufbau: unter Vorr. Das ...belichtet..

    88. Außergewöhnliche SU-8 Strukturen

    89. Vorteile von SU-8 Vorteile: Resist kann bis zu 2 mm hoch aufgebracht und strukturiert werden Aspektverhältnis >1:40 Gute Haftung auf Silizium und Glas bei kleinen und / oder niedrigen Strukturen Hohe chemische Resistenz und biologische Kompatibilität Im Vergleich mit Prozessen wie DRIE und LIGA (siehe Kap. 6 und 9) kosten- und zeiteffizient, bei ähnlichen Ergebnissen

    90. Nachteile von SU-8 Nachteile: Großer Volumenschwund (ca. 7,5%) bei der Vernetzung Große innere Spannung und verminderte Haftung bei großflächigen und hohen Strukturen Handling kritischer als bei Standard – Lacken (Viskosität)

    91. Gliederung 5.1 Einführung 5.2 Resist-Technik 5.3 Optische Lithographie 5.4 Elektronenstrahl – Lithographie 5.5 SU-8 Technologie 5.6 Röntgen Lithographie

    94. LIGA-Masken ? siehe Kapitel 9

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