1 / 27

ОСНОВИ НАПІВПРОВІДНИКОВОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ Лекція 0 7 Біполярні транзистори

ОСНОВИ НАПІВПРОВІДНИКОВОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ Лекція 0 7 Біполярні транзистори. Анатолій Євтух Інститут високих технологій Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Статичні характеристики. Вольт-амперні характеристики.

deion
Download Presentation

ОСНОВИ НАПІВПРОВІДНИКОВОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ Лекція 0 7 Біполярні транзистори

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. ОСНОВИ НАПІВПРОВІДНИКОВОЇ ЕЛЕКТРОНІКИЛекція 07Біполярні транзистори Анатолій Євтух Інститут високих технологій Київського національного університету імені Тараса Шевченка

  2. Статичні характеристики.Вольт-амперні характеристики Умовне позначення і назви елементів біполярного транзистора. а) p-n-p- транзистор; б) n-p-n– транзистор. Три схеми включення p-n-p- транзистора. а- схема зі спільною базою; б- схема зі спільним емітером; в- схема зі спільним колектором.

  3. Вольт-амперні характеристики Статичні характеристики транзистора можна безпосередньо отримати із теорії p-n переходу. Вважаємо, що ВАХ емітерного і колекторного переходів відповідають рівнянням ідеального діода. Нехтуємо: - ефектами обумовленими поверхневою рекомбінацією-генерацією; - послідовним опором; -високим рівнем інжекції. Біполярний транзистор p-n-p- типу, включений по схемі зі спільною базою(а), профіль легування транзистора зі ступінчатим розподілом домішок (б) і зонна діаграма при нормальній роботі (в).

  4. Вольт-амперні характеристики Із рівняння неперервності і рівняння для густини струмів визначаються рівноважні характеристики. Для нейтральної області бази маємо: де pB- рівноважна густина неосновних носіїв в базі; Jtot- повна густина струмів провідності; B- час життя неосновних носіїв;DB- коефіцієнт дифузії. Залежність повного емітерного струму від прикладеної напруги: - дифузійна довжина дірок в базі; - дифузійна довжина електронів в емітері; - дифузійна довжина електронів в колекторі.

  5. Вольт-амперні характеристики Залежність повного колекторного струму від прикладеної напруги: Струм бази:

  6. Нерівномірний розподіл домішки в базі. Транзистор з подібним розподілом домішки- дрейфовий транзистор, оскільки в його базу вбудоване електричне поле, що прискорює дрейф дірок. В цьому випадку повний струм колектора матиме вид де I2 - струм насичення. Кількість домішки на одиницю площі бази- число Гумеля. Профіль легування транзистора з градієнтом концентрації домішки в базі. Для Si біполярних транзисторів число лежить Гумеля в діапазоні 1012-1013 см-2.

  7. Типова характеристика базового струму. Можна виділити чотири ділянки: 1) область малих струмів, де базовийструм змінюється по закону exp(qVEB/mkT) з m2; 2) область ідеальної поведінки; 3) область середнього рівня інжекції, характерна значним спадом напруги на опорі бази; 4) область високого рівня інжекції. Для зменшення опору бази і послабшення ефектів обумовлених високим рівнем інжекції, необхідно змінити профіль легування бази і конструкцію самого транзистора. Для покращення характеристик в області малих струмів необхідно зменшити густину пасток в збідненій області і на поверхні напівпровідника. Залежність колекторного і базового струму від напруги емітер-база.

  8. Коефіцієнт підсилення струму Коефіцієнт підсилення струму в схемі зі спільною базою 0 . (в гібридній системі параметрів чотириполюсника позначається як hFB). ефективність емітера . коефіцієнт переносу в базі Т. коефіцієнт помноження колектора М. Коефіцієнт підсилення струму в схемі зі спільним емітером 0. (в гібридній системі параметрів чотириполюсника позначається як hFE).

  9. Оскільки IB=IE-IC, то 0- близький до 1. 0- значно більший одиниці. При нормальній роботі p-n-p транзистора VEB>0і VCB<<0.У виразах для струму нехтуємо VCB. В цьому випадку справедливі наступні співвідношення: Приріст діркового струму із емітера = --------------------------------------------------- Приріст загального емітерного струму. <1 Приріст діркового струму, що досяг колектора T= ------------------------------------------------------------ Приріст діркового струму із емітера T<1 Величини, що доповнюють  і T до 1, пропорційні електронному струму, що витікає з базового контакту. В біполярному транзисторі з шириною бази 0.1LB, T>0.995 і 0 повністю визначається .

  10. Якщо Т близький до 1, то: Залежність коефіцієнту підсилення транзистора (на частоті 5 ГГц) від дози домішки імплантованої в базу.

  11. hFE Коефіцієнт підсилення по струму в загальному випадку залежить від струму колектора. При дуже малих струмах колектора вклад рекомбінаційно-генераційного струму в збідненій області емітера і поверхневих струмів витоку може перевищувати корисний дифузійний струм неосновних носіїв в базі. Відповідно, ефективність емітера є низькою. Залежність коефіцієнту підсилення транзистора від струму колектора. Зниження кількості об’ємних і поверхневих пасток приводить до збільшення hFE при низьких рівнях струму.. Коли величина базового струму попадає в інтервал, що відповідає ідеальній поведінці, hFEдосягає області максимальних значень.

  12. hFE При подальшому збільшенні колекторного струму густина неосновних носіїв інжектованих в базу наближається до вихідної густини основних носіїв (умова високого рівня інжекції). Інжектовані носії визивають підвищення густини основних носіїв в базі, що в свою чергу призводить до зниження ефективності емітера. Зменшення коефіцієнту підсилення при збільшенні IC- ефект Вебстера. При високому рівні інжекції: Щоб мати великий коефіцієнт підсилення hFE, ступінь легування емітера повинна бути в багато разів вищою, ніж ступінь легування бази, тобто NE/NB>>1. Однак при дуже високій концентрації домішки в емітері починають проявлятисяефект звуження ширини забороненої зони і ефект оже-рекомбінації. Обидва визивають зменшення hFE.

  13. Ефект звуження ширини забороненої зони Звуження ширини забороненої зони в сильно легованому кремнії пов’язано з підвищенням енергії електростатичної взаємодії основних і неосновних носіїв. При кімнатній температурі звуження зони описується формулою Звуження ширини забороненої зони в кремнії. Густина власних носіїв в емітері Оскільки Eg зростає з концентрацією легування, то коефіцієнт підсилення по струму падає

  14. Ефект оже-рекомбінації Оже-рекомбінація полягає у взаємному знищенні електрона і дірки, яке супроводжується передачею енергії іншій вільній дірці. Такий процес, що протікає при участі двох дірок і одного електрона, можливий при інжекції електронів у високолеговану p+ область. Такою областю є емітер p+-n-p транзистора. Оже-рекомбінація – процес протилежний лавинному помноженню. Час життя при оже-рекомбінації Залежність коефіцієнта підсилення транзистора від струму колектора. а- врахування лише генерації ШХР; б- врахування генерації ШХР і звуження ширини забороненої зони; в- врахування генерації ШХР, звуження ширини забороненої зони і оже-рекомбінації; г- експериментальні результати. де p- концентрація основних носіїв, Gp- швидкість рекомбінації. (Gp=(1-2)x10-31см6/с для Si при кімнатній температурі)

  15. Аналогічно протікає рекомбінація в високолегованій n+ області при участі двох електронів і однієї дірки з характерним часом життя Час життя електронів (неосновних носіїв)  в p- емітері визначається формулою де p -час життя, обумовлений рекомбінацією типу типу Са-Нойса-Шоклі При збільшенні концентрації носіїв оже-рекомбінація стає домінуючою і визиває зменшення часу життя неосновних носіїв в емітері. В свою чергу це приводить до скорочення дифузійної довжини LE, що знижує ефективність емітера.

  16. Ефект Кірка В сучасних біполярних транзисторах зі слабо легованим епітаксійним колектором на коефіцієнт підсилення впливає зміщення під дією великих струмів області з високим електричним полем з точки А в точку В. В результаті ефективна ширина бази зростає відWB до (WB+WC). Це явище отримало назву ефект Кірка. Воно приводить до збільшення числа Гумеля в базі Qb і до зниження hFE. Профіль легування n-p-n -транзистора з епітаксійним колектором.

  17. Вихідні характеристики Струми на виході транзистора зв’язані з розподілом неосновних носіїв в області бази. У випадку транзистора з високою ефективністю емітера в формулах для IE, IC залишаються лише члени пропорційні градієнту неосновних носіїв (dp/dx) при x=0 і x=W відповідно. Основні співвідношення в транзисторі можна сформулювати наступним чином. 1. Прикладені напруги задають густини струмів неосновних носіїв на границях областей за допомогою фактора exp(qV/kT). 2. Емітерний і колекторний струми пропорційні градієнтам густини неосновних носіїв (дірок) на границях переходів, тобто при x=0 і x=W. 3. Базовий струм дорівнює різниці між емітер ним і колекторним струмами. За допомогою цих графіків можна пояснити статичні вольт-амперні характеристики транзисторів. Розподіл густини дірок в базі p-n-p транзистора при різних прикладених напругах. а- нормальне включення: VCB=const, VEB- змінна; б- нормальне включення:VEB=const, VCB- змінна; в- VEB- позитивне, VCB=0; г- обидва переходи зміщені в прямому напрямку; д- врахування струмів ICO і ICO’; е- обидва переходи зміщені в оберненому напрямку. За допомогою цих графіків можна пояснити статичні вольт-амперні характеристики транзисторів.

  18. Вихідні характеристики Для даного транзистора емітерний струм IEі колекторний струм IC є функціями прикладених напруг VEB і VCB, тобто IE=f1(VEB, VCB) і IC=f2(VEB, VCB). В схемі з спільною базою колекторний струм практично рівний емітерному струму (0=1) і фактично не залежить від VCB Вихідні характеристики транзистора. а- в схемі зі спільною базою; б- в схемі зі спільним емітером.

  19. В схемі зі спільним емітером зі збільшенням VCE ширина бази Wзменшується і спостерігається збільшення 0. Відсутність насичення вихідних характеристик транзистора в схемі зі спільним емітером обумовлено значним збільшенням 0 з ростомVCE. Цей факт отримав назву ефекту Ерлі. В транзисторі з шириною бази набагато більшою розміру збідненої області в базі напруга Ерлі дорівнює

  20. НВЧ-транзистори Для покращення високочастотних властивостей транзисторів мають бути суттєво зменшені розміри активних областей і значення паразитних параметрів. Задача зменшення двох критичних параметрів дискретних транзисторів: - ширини емітерної смушка; - товщини шару бази. Зменшення вертикальних розмірів в основному зобов’язане розвитку дифузійних процесів і іонної імплантації. Зменшення горизонтальних розмірів зобов’язане успіхам літографії. Транзистор зі смужковою геометрією електродів. За рахунок топології транзистора досягаються необхідні струмові параметри. Для цього варіюється кількість смушкових областей емітера і контактів до бази. За допомогою зміни профілю легування досягаються необхідні частотні властивості і прийнятні пробивні напруги.

  21. Оскільки рухливість електронів в кремнії більша рухливості дірок, то всі кремнієві НВЧ-транзистори – прилади n-p-n типу. Для зменшення послідовного колекторного опору в якості підкладки використовують епітаксій ну n-n+ структуру. Задачі: Мінімізувати (а) дефекти упаковки (окислення), (б) дислокації (епітаксія). Дифузійні трубки (а) і дифузійні виступи (б) в базі вздовж дислокацій.

  22. Частота відсічки Частота відсічки fT є найбільш важливим показником якості НВЧ-транзистора. Визначається як частота, на якій коефіцієнт підсилення по струму в режимі короткого замикання схеми зі спільним емітером дорівнює 1. Частота відсічки зв’язана з фізичною структурою транзистора через час затримки носіїв, що пролітають від емітера до колектора, ec: Час затримки ec є сума чотирьох часів затримки, які характеризують послідовні фази руху носіїв від емітера до колектора: дорівнює 1. E- час зарядки збідненого шару емітера, визначається виразом: де re - опір емітера; Ce- ємність емітера; Cc- ємність колектора; Cp - інші паразитні ємності пов’язані з базовим виводом; IE- емітерний струм, який приблизно рівний колекторному струму.

  23. Частота відсічки Друга складова часу затримки являє собою час прольоту через шар бази і дорівнює: де =2 для випадку рівномірного легування бази. У випадку нерівномірного розподілу домішки в базі, як в дрейфовому транзисторі, коефіцієнт  має бути збільшеним Якщо вбудоване поле Ebi постійне, то коефіцієнт  приймає значення де E0=2DB/BW. При Ebi/E0 =10 60, тобто за рахунок великого вбудованого поля досягається значне зменшенняB. Третя складова часу затримки пов’язана з прольотом носіїв через збіднений шар колектора: де vs- гранична швидкість носіїв в колекторі.

  24. Частота відсічки Четверта компонента затримки обумовлена часом, протягом якого заряджається збіднена ємність колектора: де rc- послідовний опір колектора, Cc - ємність колектора. В епітаксійному транзисторі rcможе бути суттєво зменшеним і час затримки ’c знехтувано малий в порівнянні з іншими часами затримки. Таким чином, вираз для частоти відсічки fT має вид Видно, що для підвищення частоти відсічки необхідно зменшити товщину базитранзистора,товщину колектора і працювати при високих густинах струму. Однак при зменшенні товщини колектора відбувається відповідне зменшення пробивної напруги. Отже необхідно шукати компроміс між високочастотними властивостями транзистора і його здатністю витримувати високі напруги.

  25. Частота відсічки Зі збільшенням робочого струму частота відсічки підвищується, оскільки час зарядки емітера Eобернено пропорційний струму. Разом з тим, коли струм стає досить великим і густина інжектованих неосновних носіїв зрівнюється або перевищує концентрацію домішки в базі, ефективна товщина бази зростає відWB до (WB+WC). Час руху носіїв від емітера до колектора в залежності від густини колекторного струму. При низьких густинах струмів ecпадає з ростомJC, і колекторний струм переноситься в основному за рахунок дрейфу, тобто При подальшому наростанні струму час затримки приймає мінімальне значення, а потім починає зростати, особливо швидко при струмі J1. Цьому струму відповідає максимальне однорідне електричне поле де C, NC, EC - рухливість, концентрація домішки і електричне поле в колекторному епітаксійному шарі відповідно.

  26. де VC0 -контактний потенціал колектора, VCB - напруга прикладена між базою і колектором. Струми, що перевищують , не можуть вже переноситись через епітаксійну область колектора тільки за рахунок дрейфової компоненти. Величина J1 рівна В результаті ефекту Кірка цей струм є оптимальним з точки зору максимальної частоти відсічки. Слід відмітити, що зі збільшенням VCB одночасно зростає і величина J1. Вихідна потужність обернено пропорційна квадрату частоти, що є результатом обмежень, які накладаються полем лавинного пробою і граничною швидкістю носіїв. Залежність потужності від частоти для біполярних НВЧ-транзисторів.

  27. Дякую за увагу!

More Related