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5.1.3 晶体的二次电光效应. 可以存在于所有电介质 ( 固体、液体和气体 ) 中,某些极性液体 ( 如硝基苯 ) 和铁电晶体的克尔效应很大。 所有晶体都具有二次电光效应。但是在无对称中心的 20 类晶体中,线性电光效应比二次电光效应显著的多,所以这类晶体的二次电光效应一般不予考虑。 在具有对称中心的晶体中,最低阶的电光效应就是二次电光效应 ,我们感兴趣的是 属于立方晶系的那些晶体的二次电光效应 。因为这些晶体在未加电场时,在光学上是各向同性的,这一点在应用上很重要。. 如前所述,二次电光效应的一般表达式为:
E N D
5.1.3 晶体的二次电光效应 可以存在于所有电介质(固体、液体和气体)中,某些极性液体(如硝基苯)和铁电晶体的克尔效应很大。 所有晶体都具有二次电光效应。但是在无对称中心的20 类晶体中,线性电光效应比二次电光效应显著的多,所以这类晶体的二次电光效应一般不予考虑。 在具有对称中心的晶体中,最低阶的电光效应就是二次电光效应,我们感兴趣的是属于立方晶系的那些晶体的二次电光效应。因为这些晶体在未加电场时,在光学上是各向同性的,这一点在应用上很重要。
如前所述,二次电光效应的一般表达式为: Bij = hijpqEpEqi, j, p, q =1, 2, 3 Ep、Eq是外加电场分量;[hijpq]是晶体的二次电光系数(或克尔系数),是四阶张量。 1. 晶体二次电光效应的理论描述
其中,Pp,Pq是晶体上外加电场后的极化强度分量,[gijpq]也叫二次电光系数,一般手册给出的是 [gijpq]。 可以证明,[hijpq]和[gijpq]都是对称的四阶张量,均可采用简化下标表示,即 ij→ m , pq→ n, m、n的取值范围是从 1 到 6。于是, 四阶张量的克尔系数可以从九行九列的方阵简化成六行六列的方阵。 人们习惯于将[Bij]与晶体的极化强度联系起来,表示为: Bij = gijpqPpPqi, j, p, q = 1, 2, 3
(5.1-73) (5.1-74) 简化表达式: 且当 n =1, 2, 3 时 当 n =4, 5, 6 时,
2. m3m晶类的二次电光效应 属于m3m晶体的有KTN(钽酸铌钾),TaO3(钽酸),BaTiO3(钛酸钡),NaCl(氯化钠),LiCl(氯化锂), LiF(氟化锂),NaF(氟化钠)等。 未加电场时,这些晶体在光学上是各向同性的,折射率椭球为旋转球面:
当晶体外加电场时,折射率椭球发生变化,其二次电光效应可表示为:当晶体外加电场时,折射率椭球发生变化,其二次电光效应可表示为:
将上面分量代入折射率椭球的一般形式,即可得到:将上面分量代入折射率椭球的一般形式,即可得到: (5.1-79)
讨论一种简单的情况:外电场沿 x3 轴 [011] 方向作用于晶体,即E1= E2= 0 , E3= E。 立方晶体的电场与极化强度间的关系为: Pi = 0 Eii = 1, 2, 3 所以P1 = P2= 0 , P3=0 E,则
显然,当沿 x3 方向外加电场时,由于二次电光效应,折射率椭球由球变成一个旋转椭球,其主折射率为:
当光沿 x3 方向传播时无双折射现象发生;当光沿 x1 方向( [100]方向)传播时,通过晶体产生的电光延迟为: 相应的半波电压:
5.1.4 晶体电光效应的应用 在外电场的作用下电光晶体相当于一个受电压控制的波片,改变外电场,便可改变相应的二特许线偏振光的电光延迟,从而改变输出光的偏振状态。正是由于这种偏振状态的可控性,其在光电子技术中获得了广泛应用。 1. 电光调制 光调制技术——将信息电压(调制电压)加载到光波上的技术。 电光调制 —— 利用电光效应实现的调制。
电光晶体(如KDP)放在一对正交偏振器之间,对晶体实行纵向运用,则加电场后的晶体感应主轴 x1、x2 相对晶轴 x1、x2 方向旋转 45,并与起偏器的偏振轴 P1 成 45 夹角。 典型的电光强度调制器
由正交偏振器偏光干涉,当 晶片 = 45 时,通过检偏器输出的光强 I 与通过起偏器输入的光强 I0 之比为 : 光路中未插入1/4 波片时,上式的 是晶体的电光延迟。由 (5.1-31) 、(5.1-32) 有: 则: ——为光强透过率(%)
如果外加电压是正弦信号: 则透过率为: 该式说明,一般的输出调制信号不是正弦信号,它们发生了畸变。 在光路中插入 1/4 波片,则光通过调制器后的总相位差是 ( /2+ ),因此,通过检偏器输出的光强 I 与通过起偏器输入的光强 I0 之比变为:
I/I0() 100 1 U0 透射强度 A 50 时间 4 3 0 U 4 U 2 外加电压 2 调制电压 工作点由 0 移到 A 点。在弱信号调制时,U<< U/2,则: 可见,当插入 1/4 波片后,一个小的正弦调制电压将引起透射光强在 50% 透射点附近作正弦变化。
2. 电光偏转(扫描) 与机械转镜式光束偏转技术相比,电光偏转技术具有高速、高稳定性的特点,因此在光束扫描、光计算等应用中,倍受重视。 ① 玻璃光楔 如图所示,设入射波前与光楔的 AB 面平行,由于光楔的折射率 n > 1,所以 AB 面上各点的振动传到AB (∥AB)面上时,通过了不同的光程:
A A,光程为 l; B B,光程为 nl ; C C,光程为 nl (ll) = l (n1)l 从上到下,光在玻璃中的路程 l 线性增加,所以整个光程线性增加。因此,透射波的波阵面发生倾斜,偏角为: 光束通过光楔的偏转
② 电光偏转器 由两块KDP楔形棱镜组成,棱镜外加电压沿 x3 方向,两块棱镜的光轴方向(x3)相反,x1、x2为感应主轴方向。 h l D E 出射光 入射光 x1 x3 x2
若光线沿 x2轴方向入射,振动方向为 x1轴方向,则: 光在下面棱镜中的折射率: 在上面棱镜中,电场与 x3 方向相反,所以折射率: 上下光的折射率之差: 光穿过偏振器后的偏转角:
5.2 声光效应 5.2.1 弹光效应和弹光系数 5.2.2 声光衍射
弹光效应的概念 各向同性、均匀、线性光学介质,在不受任何外力作用时,其光学性质稳定。 对介质施加外力作用,介质形变在弹性限度范围内(介质不至于在力的作用下被损坏)。 介质之中就会产生弹性应力和弹性形变;与之相应,介质的光学性质(折射率)发生改变,且折射率的改变量与外力在介质内所产生的张应力的相关、并且是张应力的显函数。 5.2.1 弹光效应和弹光系数
原本各向同性、均匀、线性、稳定的光学介质,在足够大的外力作用下,因其光学性质发生改变而转变成为各向异性,结果导致介质能够产生光的双折射现象。原本各向同性、均匀、线性、稳定的光学介质,在足够大的外力作用下,因其光学性质发生改变而转变成为各向异性,结果导致介质能够产生光的双折射现象。 各向异性的光学晶体,在足够大的外力作用下,其光学各向异性性质会进一步加剧。 介质在足够大的外力作用下,其光学性质发生改变(即折射率发生变化)的现象,叫做弹光效应。
1. 弹光效应的理论描述 类似电光效应的处理方法,即应力或应变对介质光学性质(介质折射率)的影响,可以通过介质折射率椭球的形状和取向的改变来描述。 假设介质未受外力作用时的折射率椭球为: 或 介质受到应力 作用后的折射率椭球变为:
Bij 为介质受应力作用后折射率椭球各系数的变化量,它是应力的函数:Bij = f () 若考虑线性效应,略去所有的高次项,Bij 可表示为 Bij = Πijklkl i , j , k , l =1, 2, 3 在此,考虑了介质光学性质的各向异性,认为应力[kl]和折射率椭球的系数增量 [Bij]是二阶张量。 [Πijkl]——压光系数,是四阶张量,有 81 个分量。
根据虎克(Hooke)定律,应力和应变有如下关系:根据虎克(Hooke)定律,应力和应变有如下关系: kl = Cklrssrsk, l, r, s = 1, 2, 3 [srs]——弹性应变; [Cklrs]——倔强系数。 则 : Bij= Πijklkl =ijklCklrs srs= Pijrs srs Pijrs=ijklCklrs—— 弹光系数,是四阶张量,有81个分量。 由于 [Bij] 和 [kl] 都是对称二阶张量,有 Bij = Bji 和kl = lk,所以有 ijkl= jilk,故可将前后两对下标 ij 和 kl 分别替换成单下标,将张量用矩阵表示。
相应的下标关系为: 且有: n=1, 2, 3 时, mn= ijkl ,如21= 2211 n=4, 5, 6 时, mn=2 ijkl ,如24=2 2223
采用矩阵形式后,则有: Bm=Πmnnm, n =1, 2, …, 6 这样,压光系数的分量数由张量表示时的 81 个减少为 36个。应指出,[mn] 在分量形式上与二阶张量分量相似,但它不是二阶张量,而是一个 6×6 矩阵。 类似地,弹光系数[Pijkl]的下标也可以进行简化,于是可得矩阵(分量)形式如下: Bm= Pmn snm, n = 1, 2, …,6 与 [mn] 的差别是,[Pmn] 的所有分量均有 Pmn= Pijkl ,并且有Pmn= mrCrn (m, n, r =1, 2, …, 6) 。
2. 弹光效应的计算示例 (1) 23 和m3立方晶体受到平行于立方体轴的单向应力作用 设立方晶体三个主轴为x1、x2、x3,应力平行于x1方向。施加应力前的折射率椭球为旋转球面: 式中,B0 = 1/n02。 在应力作用下折射率椭球发生了变化,在一般情况下:
根据 Bm=Πmnn 及立方晶体的 [mn] 矩阵形式,有:
由此可得: 则:
可见,当晶体沿 x1 方向加单向应力时,折射率椭球由旋转球变成了椭球,主轴仍为 x1、x2、x3 ,立方晶体变成双轴晶体,相应的三个主折射率为:
(2) 43m、432和m3m立方晶体受到平行于立方体轴 (例如x1方向)的单向应力作用 这种情况与上述情况基本相同,只是由于这类晶体的Π12=Π13,所以: 即晶体由光学各向同性变成了单轴晶体。