Download
Download Presentation
Loading in 2 Seconds...
טכנולוגיות ייצור חיבורי ביניים. Interconnect manufacturing technologies. עקרונות הייצור של שכבות דקות, ליתוגרפיה , מטרולוגיה ובחינה לייצור חיבורי ביניים עבור תעשיית המוליכים למחצה. פרופ ’ יוסי שחם המחלקה לאלקטרוניקה פיזיקלית , אונ ’ ת”א . נושאים. מבוא ליתוגרפיה איכול שיקוע שכבות דקות
Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.
While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.
טכנולוגיות ייצור חיבורי ביניים
Interconnect manufacturing technologies
עקרונות הייצור של שכבות דקות, ליתוגרפיה, מטרולוגיהובחינה לייצור חיבורי ביניים עבור תעשיית המוליכים למחצה
פרופ’ יוסי שחם
המחלקה לאלקטרוניקה פיזיקלית, אונ’ ת”א.
How Big of a Particle is Tolerable?
– Example: 0.5 mm CMOS technology
• Lateral Features:
– pattern size = 0.5 mm
– pattern tolerance = 0.15 mm
– level-level registration = 0.15 mm
• Vertical Features:
– gate oxide thickness = 10 nm
– field oxide thickness = 20 nm
– film thickness = 250-500 nm
– junction depths = 50-150 nm
Characteristics of Clean Rooms
– Air is recirculated through HEPA filters with about 20 % make up.
• Vapors are entrained, so contamination potential is very high
• Extensive gas detection and alarm systems are installed
– Temperature is controlled to 68 - 72 °F.
– Humidity is controlled to 40 - 46 % RH.
– Room is held at positive pressure
• Typically 0.1 in of H2O for Class 100, 1000, and 10,000
• Typically 0.3 - 0.4 in of H2O for Class 1 and Class 10
• Positive pressure constantly blows dust OUT
• (Biohazard rooms operate at negative pressure to keep bugs in)
• Doors open inward, so room pressure closes them shut
• 0.1 in H2O = 3.6 x 10 -3 psi = 0.52 lb/ft 2
• This produces 9.1 lbs. force on a 7’ x 30” door
עקרונות הפעולה, המטרולוגיה, והבקרה של תהליכי הפוטוליתוגרפיה עבור ייצור חיבורי ביניים עבור מעגלים משולבים
.
מסכה
תכנון
דמות אופטית
דמות סמויה בחומר הצילום
פיתוח הדמות
העתקת הדמות למעגל המשולב
ILS מוגדר כשיפוע הדמות, בסקלה לוגריתמית, בקצה הנומינלי של הדמות.
NILS מוגדר כשיפועהמנורמל של הדמות, בסקלה לוגריתמית, בקצה הנומינלי של הדמות.
W הנו רוחב הקו הנומינלי.
NILS
l=365 nm
s=0.45, NA=0.5
p=1 mm (L=S)
6
3
0
Defocus [mm]
0 0.5 1.0 1.5
ניתן להגדיר באופן דומה ביחס למרווח חשיפה (EL) נתון
גרדיאנט הדמות הסמויה (LIG)
דוגמה: פוטורזיסט עם בליעה קבועה (I לא תלוי זמן)
0.2 < m < 0.5
1 10 100 1000
הקונטרסט של הפוטורזיסטעובירזיסט מנורמל
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
שיפוע - g
E0 - אנרגית הסף להורדתהרזיסט
E, אנרגית החשיפה[mJ/cm2]
תהליך פונקציה מאפיינת
רוחב הקו
CD +10%
CD
CD-10%
Nominal linewidth
אנרגית החשיפה
E(CD+10%) E(CD) E(CD-10%)
שגיאות אקראיות
אנרגית החשיפה
תחום אבדןרזיסט < 10%
תחום ה- CD
אנרגית החשיפה הנומינלית
חלון התהליך
תחוםזוותצד > 80
0
מיקום המוקד
שכבהמסיחתפאזה - Shifter
n - מקדם השבירה של השכבההדיאלקטרית
d - עובי השכבה הדיאלקטרית
הסחת פאזה של °180
E, mask
E, Wafer
I=|E|2
E - השדה החשמלי, I - עוצמת ההארה
