1 / 40

Пластическая деформация

Пластическая деформация. Деформация материала, остающаяся после снятия напряжений, если не произошло разрушение. Но не всякая остаточная деформация – пластическая. Следует различать остаточную деформацию чисто пластическую упруго- пластическую пластическую с разрушением.

Download Presentation

Пластическая деформация

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript


  1. Пластическая деформация Деформация материала, остающаяся после снятия напряжений, если не произошло разрушение. Но не всякая остаточная деформация – пластическая. Следует различать остаточную деформацию • чисто пластическую • упруго- пластическую • пластическую с разрушением.

  2. Пластичность – очень важное свойство материалов. Количественно оценивается по величине деформации , e при увеличении напряжений до момента разрушения образца. Материалы, разрушающиеся после малых пластических деформаций – хрупкие. При этом напряжение может быть большим, т.е. материал прочен, но хрупок. Т.о., прочность и хрупкость совершенно разные свойства материала. От конструкционных материалов при эксплуатации требуется сочетание прочности и пластичности вследствие неизбежных динамических нагрузок. Также пластичность необходима в процессе обработки материалов (прокатка, ковка, штамповка, резание). Хрупкие материалы данными технологиями не обрабатываются

  3. Механизмы пластической деформации Диффузионный. Условия: высокая температура, длительность нагружения. Бездиффузионный. 2 основных варианта: 1) скольжение (трансляция), 2) двойникование

  4. Системы скольжения Скольжение в кристаллах происходит по наиболее плотноупакованным плоскостям в наиболее плотноупакованных направлениях.Плоскость с направлениями образует систему скольжения.

  5. Полосы скольжения

  6. Закон Шмида Пусть F’= F/cos f и x - система скольжения монокристалла, Pt= Pcos a – касательная составляющая силы. Тогда приведенное к данной системе скольжения напряжение t=(P/F) cos a cos f =  cos a cos f «Скольжение в данной системе начинается, когда касательное напряжение, приведенное к этой системе, достигнет критического значения»

  7. Закон Шмида 2 Если  = т, тоtт= тcos a cos f-приведенное критическое напряжение сдвига (скалывающее напряжение). • cos a cos f- фактор Шмида, учитывает ориентировку системы скольжения. Имеет максимальное значение 0,5 при a = f = 45°. • Для монокристаллов т изменяется в зависимости от ориентировки системы скольжения, а tт - константа, являющаяся фундаментальной характеристикой механических свойств материала.

  8. Зависимостьт= f (cos a cos f)для монокристалла Mg(tт = const) т= tт/(cos  cos) - гипербола т cos  cos

  9. Определениеtт(модель Я.И.Френкеля) 1)

  10. 2) Для малых смещений С другой стороны, в соответствии с законом Гука, найдем коэффициент k x   a Подставляя k в 1) найдем    max при xb/4. Тогда

  11. Если принять a  b, то теоретическая прочность материала будет определяться формулой Например, для CuG46000 МПа и тG/6  7600 МПа. Экспериментально установлено для Cu при 20С т 1МПа, т.е. разница в 7600 раз. То же самое установлено и для других металлов. Т.е. модель Френкеля не подтверждается экспериментально

  12. Уточненные расчеты дают следующее выражение для скалывающего напряжения: Имея для CuG46000 МПа и Fe G80000 МПа,получимтG/20  2300 МПа для Fe и 4000 МПа для Fе. Эксперимент дает для Cu при 20С т 1МПа и для Fe  15 МПа. Т.о., теоретическое сопротивление сдвигу в сотни и тысячи раз меньше, чем экспериментальное.

  13. Элементы теории дислокаций Несоответствие реального поведения кристаллов при механическом нагружении модели Френкеля означает, что существуют факторы, значительно облегчающие процесс пластической деформации и уменьшающие критическое напряжение сдвига т. В 1934 г. Полани, Орован и Тейлор предположили, что такое несоответствие объясняется наличием в металлах особых дефектов - дислокаций

  14. Если надрезать монокристалл по плоскости N до линии AB и приложить к его верхней части напряжение , то она сдвинется относительно нижней с образованием около AB полуплоскости. Говорят – образуется экстраплоскость с краем AB. Край экстраплоскости – краевая дислокация AB – линейный дефект кристаллического строения. Макроскопически дислокация – это граница, отделяющая часть кристалла, в которой произошел сдвиг, от части в которой сдвиг не произошел.

  15. Краевая дислокация AB t

  16. Другое представление краевой дислокации Если взять кристалл, разрезать, вставить в него часть атомной плоскости (либо, наоборот, убрать) и снова соединить, получится дислокация.

  17. Винтовая дислокация AB II t, смешанная дислокация BC^t =0-90

  18. Вектор Бюргерса краевой дислокации b перпендикулярен линии дислокации

  19. Вектор Бюргерса винтовой дислокации

  20. Вектор Бюргерса в различных решетках В общем случае Для примитивной решетки ОЦК ГЦК ГПУ

  21. Скольжение по модели Френкеля требует очень большого скалывающего напряжения tт=G/2p, потому что для сдвига в плоскости скольжения необходимо разорвать одновременно очень большое количество межатомных связей

  22. Движение краевой дислокации 1. Скольжение.Под действием tпроисходит смещение атомов на расстояния менее межатомных, разрыв и образование межатомных связей вдоль линии, перпендикулярной tи лежащей в плоскости скольжения. Образуется экстраплоскость, край которой под действием tперемещается сквозь кристалл по «эстафете» и выходит на противоположной стороне. • Движение консервативное: • Дислокация не выходит из плоскости скольжения • Нет переноса массы, т.к. сама экстраплоскость не движется • Смещение атомов на расстояния менее межатомных

  23. 2. Переползание. Происходит вследствие диффузии атомов и вакансий из объема кристалла к краю экстраплоскости. Движение перпендикулярно плоскости скольжения, образуются устойчивые пороги, которые также являются краевыми дислокациями. Движение неконсервативное, происходит при высоких температурах

  24. Движение винтовой дислокации • Особенности: • направление движения tи b • при движении может менять плоскость скольжения • переползание невозможно

  25. Энергия дислокации Работа дислокации A=Pb, P – сила,P=tF=tlr. t меняется от 0 до t, tср= t/2. Тогда работа на участке dr dA= (t/2)lbr. t=(G/2p)g, g=tga=b/r, t=Gb/2pr Тогда полная работа или энергия образования дислокации

  26. В бесконечно большом монокристалле Eд→∞, т.к. r1→∞. В реальных поликристаллах r0~10 нм, r1не более размера зерна (~1-1000 мкм). Тогда множитель a=(1/4p)ln(r1/r0) ~0,5-1. Окончательно энергия образования дислокации Линейное натяжение дислокации – энергия единицы ее длины

  27. Энергия движущейся дислокации v – скорость дислокации, с – скорость звука в материале Если v мала, EдвЕд При большой vEдв>Ед vвсегда меньше с

  28. Термодинамика дислокаций Система стремится к состоянию с минимальной свободной энергией:ΔF= ΔU-TΔS, ΔF<0. Образование дислокаций увеличивает S в соответствии с S=klnW, и U за счет Eд. При этом ΔU= Eд всегда >ΔS. Поэтому дислокации термодинамически неравновесны, т.е. в кристаллах их быть не должно. В реальных кристаллах они есть всегда, потому что равновесное состояние практически недостижимо, т.к. для этого необходимо бесконечно долго охлаждать материал при кристаллизации.

  29. Сила, действующая на дислокацию Работа сдвига A=Pb, сила P=tF=tl1l2. Тогда A=tl1l2b 1) Пусть f – сила, действующая на единицу длины дислокации. Тогда P=fl1и A=fl1l22) Сравнивая 1) и 2), получим f=tb

  30. Выгибание дислокации На участке dl сила F=tbdl. 1) Линейное натяжение препятствует выгибанию: Fн=2Tsindf/2,sindf/2df/2, df=dl/r. Тогда 2) Сравнивая 1) и 2) получим напряжение для выгибания дислокации в дугу

  31. Образование дислокаций 1. Образование дислокаций при кристаллизации Винтовые дислокации подложки ускоряют кристаллизацию, поскольку F1>F2, т.к. S1>S2. Винтовая дислокация «прорастает»в кристалл. 1 2

  32. 2. Границы субзерен представляют собой стенки дислокаций, образованных вследствие искривления осей дендритов при их кристаллизации

  33. 3. Дислокации несоответствия (эпитаксиальные дислокации) aк aп

  34. 4. Образование кольцевой дислокации вследствие объединения вакансий в диск при охлаждении кристалла Вид сверху

  35. A’ B’ 5. Размножение дислокаций в процессе пластической деформации A’ B’ A’ B’ A’ B’ C A B D  C’ D’ E F D’ C’

  36. Расчет источника Франка-Рида Чтобы АВ выгнуть в дугу, необходимо =Gb/r, т.е., чем меньше r, тем больше . • Сначала rуменьшается от  до l/2 и  увеличивается от 0 до кр=Gb2/l. Если принять =0,5, то кр=Gb/l. Упругая деформация 2. Затемrувеличивается от l/2 до r1 и  для выгибания дуги повышать не нужно, наоборот. Пластическая деформация A A A A r1 r=  r=l/2 r>l/2 l B B B B

  37. Например, для чистого Fe можно принять G=80000 МПа, b=0,2 нм, l=1 мкм. Тогда кр=Gb/l =16 МПа, что соответствует эксперименту.

  38. Взаимодействие дислокаций Напряжение вокруг винтовой дислокации=Gb/2rи сила взаимодействия f=b=  Gb/2r. r r b b

More Related