1 / 15

Репрограммируемые полупроводниковые запоминающие устройства на основе МДП-транзисторов .

Репрограммируемые полупроводниковые запоминающие устройства на основе МДП-транзисторов. Ячейка памяти на основе МДП-транзистора. Типы МДП-транзисторов для репрограммируемых элементов памяти. Пороговое напряжение МДП транзистора.

brody
Download Presentation

Репрограммируемые полупроводниковые запоминающие устройства на основе МДП-транзисторов .

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Репрограммируемые полупроводниковые запоминающие устройства на основе МДП-транзисторов.

  2. Ячейка памяти на основе МДП-транзистора

  3. Типы МДП-транзисторов для репрограммируемых элементов памяти Пороговое напряжение МДП транзистора Для изменения величины порогового напряжения необходимо: а) Изменить легирование подложки NА б) изменить плотность поверхностнх состояний Nss в) изменить встроенный в диэлектрик заряд Qox г) изменить напряжение смещения канал-подложка Vss

  4. Типы МДП-транзисторов для репрограммируемых элементов памяти

  5. МНОП-транзистор

  6. МОП ПТ с плавающим затвором

  7. Характеристики флэш-памяти

  8. Туннельная инжекция Фаулера-Нордгейма.

  9. Инжекция горячих электронов из области канала вблизи стока, обусловленная разогревом электронного газа в сильном электрическом поле в этой области

  10. Инжекция горячих электронов и дырок при межзонном туннелировании.

  11. Режимы записи/стирания в МДП – транзисторах флэш – элементов памяти • Запись за счет ижекции горячих электронов вблизи стока; стирание за счет туннелирования Фаулера – Нордгейма в область истока.

  12. Режимы записи/стирания в МДП – транзисторах флэш – элементов памяти • Запись за счет туннелирования Фаулера – Нордгейма из области канала; Стирание за счет туннелирования в область стока.

  13. Режимы записи/стирания в МДП – транзисторах флэш – элементов памяти • Запись и стирание за счет туннелирования Фаулера – Нордгейма из/в область канала.

  14. Источники. • В.А. Гуртов «Твердотельная электроника»

  15. Спасибо за внимание !

More Related