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メゾスコピック系の物理 (物理総合) 大槻東巳 (協力 : 吉田順司 , 2003 年 3 月上智大学理学博士 ). 目次 1 )メゾスコピック系とは 2 )舞台となる 2 次元電子系 3 )バリスティック系の物理 コンダクタンスの量子化 クーロン・ブロッケード 4 )拡散系の物理 AB 効果 普遍的なコンダクタンスの揺らぎ 量子カオス . 物性理論とは?. 統計力学、量子力学 に基づいて物質の性質を 説明するもの。 統計力学 マクロ系 (mm 以上 ) 量子力学 ミクロ系 (nm 以下 ). 半導体のメモリチップ
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メゾスコピック系の物理(物理総合)大槻東巳(協力:吉田順司, 2003年3月上智大学理学博士) • 目次1)メゾスコピック系とは2)舞台となる2次元電子系3)バリスティック系の物理 コンダクタンスの量子化 クーロン・ブロッケード4)拡散系の物理AB効果 普遍的なコンダクタンスの揺らぎ 量子カオス 2005/5/25,6/1
物性理論とは? 統計力学、量子力学に基づいて物質の性質を 説明するもの。 統計力学 マクロ系 (mm以上) 量子力学 ミクロ系 (nm以下) 半導体のメモリチップ 1cm2に100Mバイト(800Mビット) 10-5cm=0.1ミクロン 可視光の波長のオーダー 半導体集積回路 2005/5/25,6/1
1チップ当たりの集積数 (単位:千個) 半導体の処理速度 (単位:MPS) 半導体におけるムーアの経験則 集積度は18ヶ月で2倍 3年で大きさが半分 現代の マイクロ プロセッサー 真空管コンピュータ ENIAC 2005/5/25,6/1
サブミクロン領域の物性物理が必要 Mesoscopic メゾスコピック系、ナノサイエンス 2005/5/25,6/1
メゾスコピック系の実現される系 2次元電子系; Si-MOS FET、GaAs/AlGaAsヘテロ接合などで実現される MOS FET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 2005/5/25,6/1
実際のメゾスコピック系の例 1mm 0.65mm 2005/5/25,6/1
メゾスコピック系に現れる量子現象 長さがmmとは何を意味するか?(物理では、何に 比べて重い長いと言わなければいけない!) 典型的な長さのスケール系の長さ L弾性散乱長 位相緩和長 量子力学的な効果を見るには 2005/5/25,6/1
メゾスコピック系の分類 • バリスティック系散乱が一度もなく電流が流れる ・コンダクタンスの量子化 ・クーロンブロッケード • 拡散領域散乱が複数回起こる ・A-B効果 ・コンダクタンスの普遍的な揺らぎ ・量子カオス(壁での散乱) 2005/5/25,6/1
古典的には G:コンダクタンス, I/V W:サンプルの幅 2005/5/25,6/1
コンダクタンスの量子化 G=2e2/hの整数倍に量子化(h/e2 25kW) G:コンダクタンス W:サンプルの幅 2005/5/25,6/1
Van Wees 他;Phys. Rev. Lett. 60, 848–850 (1988) 2005/5/25,6/1
端子 量子ドット 端子 クーロンブロッケード 電子一個のトンネル現象, e2/2Cの静電エネルギー U. Meirav et al., Phys.Rev.Lett.65,771(1990) 2005/5/25,6/1
Aharonov-Bohm効果 電子波の干渉効果(電子は磁場ではなく、ベクトルポテンシャルを感じる。) Φ0=h/eの周期で変化 R.A. Webb et al., Phys.Rev.Lett.54,2696(1985) 2005/5/25,6/1
AB効果 Note: is single valued 2005/5/25,6/1
普遍的コンダクタンス揺らぎ コンダクタンス揺らぎの大きさは <G>に依存しないでe2/h程度である。 2005/5/25,6/1
磁気指紋 試料独特のパターン(再現性がある) 2005/5/25,6/1
exp(at)δx δx カオスとは • 初期状態の違いδx t秒後にはexp(at) δx • 予測が不可能 • 量子系では? 2005/5/25,6/1
量子カオス C.M. Marcus et al., Phys.Rev.Lett.69,506(1992) 2005/5/25,6/1
次回の予告 • 今日やった現象を大学3年生でもわかるように黒板で説明。クーロンブロッケード,AB効果など。 • 今日やったpowerpointファイルは講義ノートのページにおいてある(学科のページにあるのはちょっと古いかも)。 www.ph.sophia.ac.jp/~tomi/kougi_note 2005/5/25,6/1