1 / 22

Nanoszerkezetek

Nanoszerkezetek. Spintronika spin polarizált elektron traszport Andrejev-spektroszkópia Magnetooptikai spektroszkópia mágneses vékonyrétegek komplex mágneses rendszerek Grafén struktúrák litografált grafén áramkörök szupra-ferro korrelációk Félvezető nanopálcikák kvatum pöttyök

beck
Download Presentation

Nanoszerkezetek

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author. Content is provided to you AS IS for your information and personal use only. Download presentation by click this link. While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server. During download, if you can't get a presentation, the file might be deleted by the publisher.

E N D

Presentation Transcript

  1. Nanoszerkezetek Spintronika spin polarizált elektron traszport Andrejev-spektroszkópia Magnetooptikai spektroszkópia mágneses vékonyrétegek komplex mágneses rendszerek Grafén struktúrák litografált grafén áramkörök szupra-ferro korrelációk Félvezető nanopálcikák kvatum pöttyök Cooper-párok felhasítása Molekuláris elektronika atomi méretű pont-kontaktusok memrisztor Mihály György BME Fizika Tanszék Bordács Sándor Csonka Szabolcs Csontos Miklós Geresdi Attila Halbritter András Kézsmárki István Makk Péter TÁMOP-4.2.1 /B-09/1/KMR-2010-0002 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány

  2. MEMRISZTOR Mihály György Geresdi Attila Halbritter András BME Fizika Tanszék Feszültség-áram karakterisztika 2mA 0.5 V

  3. A hiányzó áramköri elem Leon O. Chua, IEEE Trans. Circuit Theory18, 507 (1971) Resistor Capacitor V I Q Memristor Inductor Ф

  4. „The missing memristor found” D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, S.R. Williams, Nature453, 80 (2008) Vezető csatornák kialakulása és lebomlása – rezisztív kapcsoló „Analóg” memória Pt TiOx Pt Áram (mA) Áram (mA) Feszültség (V) Feszültség (V)

  5. Rezisztív RAM (RRAM) D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, S.R. Williams, Nature453, 80 (2008) „Crossbar” technológia 50 nm Pt TiOx Pt Áram (mA) Feszültség (V)

  6. „Biological-scale intelligent machines” 10.000 CPU 1000 W DARPA SyNAPSE Program 2009-2014, 4.900.000 USD kicsi gyors ? Célkitűzés: 106 memórialem/cm2 1010 kapcsolat/cm2 100 mW/cm2 Emberi agy: 106 neuron/cm2 1010 szinapszis/cm2 2 mW/cm2 Neurális hálózat HP szabadalom

  7. Neural network - szabadalom

  8. Pont-kontaktus memrisztor MTA RMKI együttműködés Tanczikó Ferec – MBE Szilágyi Edit – RBS W AgSx Ag Minta: 80nm Ag réteg, S-kezelt felület Si/SiO2hordozó A.Geresdi, A.Halbritter, E. Szilágyi, G.Mihály, MRS Conf. San Francisco 2011 Kémiai maratással hegyezetttű (W vagy Pt/Ir) Kontaktus méret: egyetlen atom 100 nm

  9. Pont-kontaktus memrisztor W AgSx Ag A.Geresdi, A.Halbritter, E. Szilágyi, G.Mihály, MRS Conf. San Francisco 2011 Kémiai maratással hegyezetttű (W vagy Pt/Ir) Kontaktus méret: egyetlen atom 100 nm Minta: 80nm Ag réteg, S-kezelt felület Si/SiO2hordozó

  10. Pont-kontaktus memrisztor W AgSx Ag A.Geresdi, A.Halbritter, A.Gyenis P.Makk, G.Mihály, Nanoscale 3, 1504 (2011) Kémiai maratással hegyezetttű (W vagy Pt/Ir) Minta: 80nm Ag réteg, S-kezelt felület Si/SiO2hordozó Kontaktus méret: egyetlen atom 100 nm

  11. Pont-kontaktus memrisztor Vth- Vth+ A.Geresdi, A.Halbritter, A.Gyenis P.Makk, G.Mihály, Nanoscale 3, 1504 (2011) Feszültség–áram karakterisztika Ag/AgSx/W Több tízezer karakterisztika analízise:megbízható memrisztor működés érhető el 3nm-es kontaktussal is

  12. Pont-kontaktus memrisztor A.Geresdi, A.Halbritter, A.Gyenis P.Makk, G.Mihály, Nanoscale 3, 1504 (2011) Ag atomok migrációja Feszültség–áram karakterisztika Ag/AgSx/W GON = 5.04 G0 GOFF= 4.10 G0 Több tízezer karakterisztika analízise:megbízható memrisztor működés érhető el 3nm-es kontaktussal is

  13. Pont-kontaktus memrisztor Vküszöb A.Geresdi, A.Halbritter, A.Gyenis P.Makk, G.Mihály, Nanoscale 3, 1504 (2011) Feszültség–áram karakterisztika Analógmemória elem Ag/AgSx/W Több tízezer karakterisztika analízise:megbízható memrisztor működés érhető el 3nm-es kontaktussal is

  14. Félvezető karakterisztika A.Geresdi, A.Halbritter, A.Gyenis P.Makk, G.Mihály, Nanoscale 3, 1504 (2011) félvezető memrisztor Shottky-gát Vastag S réteg:kapcsolás nagy ellenállások között (50 kΩ 10 MΩ)

  15. Kapcsolási idő A. Nayak et al.,J. Phys. Chem. 1, 604 (2011)

  16. Fémes vezetés A.Geresdi, A.Halbritter, E. Szilágyi, G.Mihály, MRS Conf. San Francisco 2011 T=300K T= 4 K Vékony S réteg: a memrisztor katakterisztika jellege nem változik a szobahőmérséklet és a cseppfolyós hélium hőmérséklete között

  17. Kapcsolási mechanizmus – Andrejev spektrum A.Geresdi, A.Halbritter, G.Mihály, to be published (2011) Landauer formalizmus ballisztikus transzport

  18. Kapcsolási mechanizmus – Andrejev spektrum A.Geresdi, A.Halbritter, G.Mihály, to be published (2011) Landauer formalizmus

  19. Kapcsolási mechanizmus – Andrejev spektrum A.Geresdi, A.Halbritter, G.Mihály, to be published (2011) Kapcsolás folyamata: a nagy transzmissziójú nyitott csatornák száma változik

  20. Kapcsolási idő Lineárisan növekvő amplitúdójú feszültségimpulzusok hatása kapcsolási tartomány

  21. Kapcsolási idő A gyors kapcsolás feltétele a fémes vezetés OFF 0.2V küszöbfeszültség + fémes minta (50 Ω) ON d  5 nm j  4·109 A/cm2 Minimális impulzusszélesség: ~10ns (instrumentális limit) Szobahőmérsékleten és kriogén körülmények között is

  22. Összefoglalás W AgSx Ag analógmemória elem Memrisztor szerkezet kialakítása d=3-100 nm Vküszöb 80nm Ag réteg, S-kezelt felületSi/SiO2hordozó Andrejev-analízis: - ballisztikus transzport - csatornaszám változás Kapcsolási idő < 10 ns

More Related