Диаграммы состояния в системе

1. МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ АЗЕРБАЙДЖАНСКОЙ РЕСПУБЛИКИБАКИНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТАЛИ ГАСАН ОГЛЫ ГУСЕЙНОВЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В СЛОЖНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДАХ ТИПА AIBIIICVIНаучный консультанты:Доктор физ.-мат.наук проф. Салманов В.М.Доктор физ.-мат.наук проф. Кязым-заде А.Г.БАКУ- 2013

2. Тройные полупроводниковые халькогенидные соединения обладают большим потенциалом практического применения и представляют несомненный научный интерес. В частности, эти материалы в настоящее время используются в изготовлении высокоэффективных солнечных батарей (CuGaSe2и CuInSe2), светоизлучающих диодов (AgInS2и AgIn5Se8), оптических фильтров (CuGaS2), фотоэлектрических преобразователей (Cu3Ga5Se9),влагочувствительных элементов, радиационностойких полупроводниковых приборов (CuInTe2 и CuGaTe2) и т.д.В концентрационном треугольнике самой много исследуемой группой тройных соединений являются соединения типа . Их можно получить на разрезе линий нормальной валентности и число электронов на атом () в квазибинарной системе:(1.1).В этой системе выявлены несколько групп тройных халькогенидов, которым на диаграммах состояний соответствуют либо дистектические точки, либо образования по перетектической реакции. Некоторые из этих соединений плавятся конгруэнтно, а некоторые – инконгруэнтно.

3. В этой системе выявлены несколько групп тройных халькогенидов, которым на диаграммах состояний соответствуют либо дистектические точки, либо образования по перетектической реакции. Некоторые из этих соединений плавятся конгруэнтно, а некоторые – инконгруэнтно.Рассмотрим другие варианты химических реакций в квазибинарной системе при условии выполнения нормальной валентности и числа электроновнаодинатом–n: (1.2) (1.3) (1.4) (1.5) (1.6)

4. Диаграммы состояния в системе

6. Практически полный набор частот фундаментальных колебаний для исследованных изоструктурных соединений с различными замещениями атомов, позволил нам определить характер взаимодействия между атомами (группами атомов), форму нормальных колебаний и ряд важных кристаллохимических постоянных кристалловCu3Ga5Se9, Cu3Ga5S9, Cu3Ga5Te9, Cu3In5S9, Ag3Ga5Se9, Ag3In5Se9, Ag3Ga5Te9, снятые при комнатной температуре. ДляCu3In5S9регистрировались поляризационные спектры отражения (прии). Исследованные кристаллы принадлежат к гексогональной сингонии (пространственная группа симметрии ).В элементарной ячейке этих кристаллов содержится одна формульная единица. Инверсия частоты оптических мод имеет место для кристалловCu3Ga5Se9, Cu3Ga5S9и Cu3In5Se9, то есть частоты продольных оптических модибыли меньше по сравнению с частотами соответствующих оптических моди .

7. Зависимости квадрата частот от эффективной массы для наиболее высокочастотной оптической моды кристалловCu3Ga5S9(Se9, Te9)иCu3In5S9(Se9, Te9)

10. Температурная зависимость удельной электропроводности монокристаллического образцаAgIn5S8

11. Температурная зависимость дифференциальной термо-э.д.с. вAgIn5S8

12. Спектры фототока вAgIn5S8 при 200 (1) и 300 К (2)

14. Гдеℓ - длина полупроводника, S - поперечное сечение полупроводника, μ - подвижность электронов, e - заряд электрона.

15. ВАХ различных (1, 2, 3, 4) гомопереходов на основе AgIn5S8

16. Спектр катодолюминесценции в AgIn5S8 при температуре 4,2 К.

17. Спектр катодолюминесценции в AgIn5S8 при температуре 77 К.

18. Температурная зависимость электропроводности тонких пленок в Ag3In5Se9вакууме.

19. Электрическая схема предварительного усилителя тока, проходящего через датчик влажности.

20. Температурная зависимость дрейфовой подвижности неосновных носителей (дырок) в Ag3In5Se9

21. Температурная зависимость дифференциальной термо-э.д.с. в Ag3In5Se9

22. Температурная зависимость фототока при возбуждении излучением с λ=1,05 мкм

23. Спектры фототока в Ag3In5Se9, при 210 К. Е: 1 – 40; 2 – 100; 3 – 318; 4 – 500.

24. Осциллограмма колебаний тока в Ag3In5Se9, а) Т=213 К, Е=600 В/см, λ=1,135 мкм; б) Т=213 К, Е=600 В/см, λ=1,130 мкм. a) б)

25. Осциллограмма колебаний тока в Ag3In5Se9, а) Т=205 К, Е=460 В/см, λ=1,190 мкм; б) Т=205 К, Е=460 В/см, λ=1,120 мкм. a) б)

27. Осциллограмма колебаний тока в Ag3In5Se9, λ=1,680 мкм, Е=600 В/см, Т=210 К. а) I=I0; б) I=4I0. a) б)

29. Осциллограмма колебаний тока в Ag3In5Se9, λ>1,700 мкм, а) I=9I0; б) I=16I0. a) б)

31. Типичные спектры катодолюминесценции Ag3In5Se9 при температуре 77 и 300 К.

32. Спектры катодолюминесценции Ag3In5Se9 при температуре жидкого гелия. Ток потока электронов – I: 1 – 0,2 мкА; 2 – 0,4 мкА; 3 – 2 мкА.

33. Зависимость фототока, созданного светом лампы накаливания, от температуры в образцах «А».

34. Температурная зависимость фототока при высоком уровне возбуждения в образцах «А».

35. Спектры фотопроводимости образцов «А» после лазерного отжига.Три температурах 256 (1'), 289 (2') и 360 К (3').

36. Типичная спектральная зависимость фототока образцов «В» – Cu3Ga5Se9 до (1) и после (1') лазерного отжига.

37. Температурные зависимости фототока монокристаллов «В» – Cu3Ga5Se9 до (1) и после (1') лазерного отжига.

38. Температурная зависимость времени жизни неосновных носителей тока в образцах серии «А». а – зависимость фототока от времени после светового удара импульсной лампы ИСШ-100.

39. Осциллограмма кинетики фототока, вызванного одним импульсом лазерного излучения.

40. Люкс-амперная характеристика фототока в монокристалле Cu3Ga5Se9: а) при низком уровне возбуждения; б) при возбуждении излучением неодимового лазера; в) схема энергетических переходов.

41. Спектры фототока образцов «С», отожженных в парах селена. Т, К: 1 – 100, 2 – 300.

42. Температурная зависимость фототока образцов, отожженных в парах селена.

43. Кинетика фототока образцов «С» – Cu3Ga5Se9, при низких уровнях возбуждения.

44. Кинетика фототока образцов «С» – Cu3Ga5Se9, при высоких уровнях возбуждения.

45. Спектральная зависимость интенсивности фотолюминесценции монкристалла Cu3Ga5Se9 при 85 К, выращенного методом медленного охлаждения расплава.

46. Спектральная зависимость фотолюминесценции монокристалла Cu3Ga5Se9 при 310 К, выращенного методом медленного охлаждения.

47. Спектры фотолюминесценции монокристалла Cu3Ga5Se9 при 365 и 402 К, выращенного методом медленного охлаждения.

49. Спектр ФП Cu3In5Se9 при 77 (2, 3) и 300К (1).

50. Спектры коэффициента поглощения тонких пленок Cu3In5Se9 при 130 (1) и 300 (2) К.