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第六章电子学基础. 掌握: 电流放大系数、放大器的直流工作 点、放大器的工作过程 熟悉: PN 结的单向导电特性、半导体二极 管、整流电路、滤波电路、晶体三极 管的结构及电流放大作用、晶体管放 大器的偏置电路、差分放大器、反向 比例运算、加法运算、同相运算、差 动运算 了解: 半导体的导电特性、多级放大器. 思考题: 1 .半导体二极管 (PN 结 ) 为何具有单向导电 特性 ?
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第六章电子学基础 掌握:电流放大系数、放大器的直流工作 点、放大器的工作过程 熟悉:PN结的单向导电特性、半导体二极 管、整流电路、滤波电路、晶体三极 管的结构及电流放大作用、晶体管放 大器的偏置电路、差分放大器、反向 比例运算、加法运算、同相运算、差 动运算 了解:半导体的导电特性、多级放大器
思考题: 1.半导体二极管(PN结)为何具有单向导电 特性? 2.整流、滤波电路起什么作用?分别利用哪 些器件的什么特性? 3.晶体三极管的电流放大作用指的是 什 么? 4.晶体三极管的电流放大系数如何定义? 5.为什么晶体管放大器要设置静态工作点? 6.晶体管放大器是怎样进行信号放大的?
使基本晶体管放大器静态工作点稳定可采 • 用什么措施? • 共模抑制比是何概念? • 9. 理想运算放大器的特点是什么? • 10. 运算放大器的“虚地”是何含义?
§1 半导体的基本知识 一、半导体的导电特性 1. 本征半导体(纯净半导体)
本征半导体 →本征激发 . → 少量电子空穴对 。 → 电子和空穴运动 → 少量电流 特点:导电能力差、电子(载流子)和空穴 (载流子)成对出现。
2. 杂质半导体 P 型半导体 ( 掺3阶元素 B) 特点: 导电性能较强; 空穴为多数载流子, 电子(本征激发) 为少数载流子,故 称空穴型半导体 (P 型半导体)。
N 型半导体 ( 掺5阶元素 P) 特点: 导电性能较强; 电子为多数载流子, 空穴(本征激发) 为少数载流子,故 称电子型半导体 (N 型半导体)。
二、PN 结的单向导电性 1. PN 结的形成过程: 扩散 —自建电场 —动态平衡— PN结
2. PN结单向导电性 PN结加正向电压 ( P加+ 、N加 - ) 较大的电流 - 呈现低阻抗 - PN结导通
PN结加反向电压 ( P加- 、N加 + ) 电流极小 - 呈现高阻抗 - PN结截止
三、半导体二极管 1. 结构和符号 结构: 半导体二极管=1个PN结+2根金属导线 符号: 箭头方向为通流方向
2. 伏安特性 正向 死区电压 非线性曲线 反向 几乎无电流 反向击穿电压
§2 直流稳压电路 一、整流电路 整流——利用二极管的单向导电性,将交 流电转换成直流电
+ 1.工作原理 正半周 1+-D1-A-RL -B-D3- 2 - + 负半周 2 +-D2-A-RL -B-D4- 1 -
2. 波形图 + +
二、滤波电路 滤波——利用电容器对交流电容抗很小、 电感器对交流电感抗很大的性 质,滤去交流成分
三、稳压电路 1. 硅稳压管 特殊工艺的硅二极管 符号 特点 齐纳击穿 击穿电压UZ 电流较大变化 电压几乎不变 雪崩击穿
2. 硅稳压管稳压电路 (1) 电路 电阻R -电压调节 稳压管DZ -电流调节 (2) 工作原理 Ui - Uo - IZ -R(IZ+ IL) - Uo
§3 晶体三极管及放大电路 一、晶体三极管(transistor) 1. 晶体三极管的结构和符号 结构:晶体三极管=2个PN结+3根金属导线 PNP型 NPN型
发射区 基区和集电区 三个区: 发射极e (emitter) 基极b (base) 集电极c (collector) 三个极: 二个结: 发射结 Ube和 集电结Ucb e c e c b b
PNP型 NPN型 符号: c c b b e e
2. 晶体三极管的电流放大作用 发射结加正向电压 集电结加反向电压 (1) 放大条件 2电压Ube、 Uce 3电流Ib、 Ic 、 Ie
(2) 电流分配关系 表6—1 三极管(3DG6) 中电流分配关系 a. Ie= Ib+Ic Ib<< Ic Ie≈ Ic = Ib+ Ib = (1+ ) Ib b. Ib= 0 Ic= Iceo Iceo 穿透电流 c. 电流放大系数
3. 晶体三极管三种工作状态 a. Ib适当,晶体管具有电流放大作用, Ic≈Ib,放大状态 b. Ib=0,Ic≈Iceo(c-e间阻抗很大) , 截止状态 c. Ib很大,Ic不随着Ib的增加而增加, 饱和状态 (c-e间阻抗很小)
4. 三极管的电流放大的微观解释 发射结加正向电压 集电结加反向电压 • ube正向e向b发射电子 c N + • 少量电子在b与空穴复合形成较 • 小的Ib、大量电子继续向c扩散 - b P + - • ucb反向c收集b发射来电子 • 形成较大 Ic e N
一、基本晶体管放大器 (transistor amplifier)
1. 基本放大电路 T —放大元件 Rb —偏置电阻 RC —负载电阻 EC —电源 C1、C2 —耦合电容
2. 放大器的直流工作点(静态工作点) Q(Ib0,Ic0,Uce0) 由Ec、Rc和Rb确定
【例1】一基本晶体管放大器中 Ec=6V,Rb=100kΩ,Rc=2kΩ,=25,求放大器静态工作点。 【解】
【例2】如图基本放大器,求Uce0=5.7V 时,电位器 W 应调多大? 【解】 W 为 285.71-200=85.71K
a. 输入正弦信号经C1耦合到 b b. 与Ib0叠加 (Ib= Ib0 + ib)将被放大 c. Ib 经三极管放大 IC = (Ib0 + ib) = IC0 + iC d. 放大电流 I C经电阻 RC 压降为 放大的电压 Uce= EC - ICRC = EC - (IC0 + iC) RC = EC - IC0 RC - iC RC = Uce0 - iC RC = Uce0 + uce e. 经C2隔直,输出放大交流的电压 uO = - iC RC
4. 单级放大器的电压放大倍数 (1). 电压放大倍数 (2). 输出信号与输入信号反相 uO = - iC RC
【例3】如图放大器,求: ① Q点; ② 输入交流电uim=10mV, 产 生 ibm=10uA, 作Ib、Uce图 ③ Au=? 【解】 ①
icm=βibm =0.5mA ucem= icmRc = 1.5V ③
5. 信号失真 (1).截止失真 (Q点过低) 上削顶
(2). 饱和失真 (Q点过高) 下削底
二、晶体管放大器的偏置电路 偏置电路——决定放大器静态工作点的 电路 1. 固定偏置电路 放大器静态工作 点受温度等因素影 响而不稳定
二、 工作点稳定的偏置电路 ——分压式电流负反馈 (feedback) 偏置电路 1. 电路 R1、R2——偏置电阻 Re——反馈电阻 Ce——旁路电容
2.稳定工作点原理 ∵Ib<<I2 负反馈调节过程: Ic0↑→Ie0↑→Ie0Rc↑→Ube0↓→Ib0↓→Ic0↓
三、多级放大器 1. 级间耦合要求 将前级交流输出信号送到后级 电容耦合 前后级静态工作点相互不影响
2. 放大倍数 n 级放大器的放大倍数: Au=Au1·Au2·Au3 ……Aun
四、差分放大器 (differential amplifier) (一) 直流放大器 直流放大器放大频率 f 0的信号 阻容耦合放大器改用直接耦合放大器
零输入 零输出 直流放大器存在问题 零点漂移 0.01v 25v 0.5v Ku=50 Ku=50 Ku=50
(二) 差分放大器 - 抑制零点漂移 1.电路结构 镜像对称两基本 放大器 3 4 两输入端 ui1 、 ui2 1 uo1 uo2 ui1 ui2 输出端 uo = u02 –uo1 2
2.工作原理 (1) 抑制共模信号 共模信号 (大小相等、位相相同) + 5.8v 5.8v Ku=10 (干扰信号) 0.02v 0.02v + ui1 = ui2 → uo =uo2 –uo1=0 uo1 = uo2
差模信号 (大小相等、位相相反) (2)放大差模信号 5.8v 6.2v (有用信号) + Ku=10 0.02v →Usc _ 0.02v ui1 = - ui2 uo1 = - uo2 uo =uo2 –uo1 = uo2- (-uo2 )=2uo2
3.共模抑制比CMRR (Common mode rejection ratio) (相对) —差分放大器对共模信号的抑制能力 医用仪器差分放大电路的CMRR大于104,即80dB
五、放大器的主要指标 1. 放大倍数 电压 电流 功率