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第三章 静态场

第三章 静态场. 静电场理论. 静电场的计算. 恒定电场理论与计算. 恒定磁场理论. 似稳电磁场. 静电场. 恒定电场. 静态场. 恒定场. 静磁场. 方程: ▽ ×E = 0. ▽ ·D = ρ v. ∮ E· dl = 0. ∮ D· dS = Q. 本构关系: D= ε E. D 1n - D 2n = ρ s e n · ( D 1 - D 2 ) = ρ s E 1t - E 2t = 0 e n ×( E 1 - E 2 ) = 0.

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  1. 第三章 静态场 静电场理论 静电场的计算 恒定电场理论与计算 恒定磁场理论 似稳电磁场 静电场 恒定电场 静态场 恒定场 静磁场

  2. 方程:▽×E = 0 ▽·D= ρv ∮E·dl= 0 ∮D·dS = Q 本构关系:D=εE D1n- D2n= ρs en·(D1- D2)= ρs E1t- E2t= 0 en ×(E1- E2)= 0 边值条件: φ2φ1 n n e2——-e1 —— =ρs 场位关系:E=-▽φ 方程: ρv e ▽2φ=-—— φ1 = φ2 边值条件: en 电能:We=∫wedv =∫E 2dv =∫ρφdv ε — 2 1 — 2 1 电能密度:we= εE2/2 2 3.1静电场理论 即:dq/dt =0 (v=0) ∴J=H=p=0 一、场 二、位 三、能(与力﹡) 关于场前面以作了解释,下面对位、能作讨论

  3. 因而,在某点a处的电位φa的定义: φa=∫ E·dl ∞ a 两点间的电位差称电压φab:φab= φa-φb =∫ E·dl b a 若按如图示的方向,则有φb>φa即:φb-φa=∫ ▽φ·dl b a ρv e ▽2φ=-—— E ρv — = e ▽·E=-▽·▽φ =-▽2φ 位方程: 整理得: 电位 • 电位φ:是一标量,与场强E一样是静电场的一种固有属性。 • ∵▽×E= 0 ∴静电场E是一个梯度场,它的标量位就是电位φ。 ① 比较上两式得:场位关系:E=-▽φ ▽φ φb ② 由场位关系,对场强E求散度: dl φa

  4. En= - φ — n φ2φ1 n n e2——-e1 —— =ρs φ1φ2 n n -e1—— + e2 —— =ρs ③ 求证:φ1 -φ2 = 0 如图所示,在紧靠边界的两边取二点1和2即线段⊿Z, φ12=∫E·dz=∫Endz =Ēn ⊿z 则有: 对于边界:⊿z→0 ∴ φ12= 0 整理得: 边值条件: ∴φ1 -φ2 = 0 ④ 将场强E分解到法向和切向,如图示: E = En +Et= -( en + et) φ — n φ — t 又∵D1n- D2n= ρs 则有: en Z,n · · ∴ 1 En τ 2 整理得: 边值条件: E Et 证毕

  5. 因而,在某源点a处的电位能W1的定义: W1=∫ q1E·dl ∞ a 其中,E为所有源在点a处总场强:E= E1 +E2 +E3+…+En W1=W11+W12+W13+…+W1n Wij表示:qj 产生的电场将作用于 qi,使qi从无穷远处(0电位)移入 点a时所具有的能量,称互能。 同 理 W2=W21+W22+W23+…+W2n W3=W31+W32+W33+…+W3n Wii表示:称自能,由带电体内的电荷相互作用产生,原理与互能相同。 ∵ 产生WijWji的力是一对作用力和反作用力∴ Wij=Wji ∵ 这对力做的是同一功 ∴对系统贡献的能W是Wij或Wji 即 : W =Wij=Wji=(Wij +Wji) /2 · · 2′ · · · 因此,We ≠ (W1+W2 + …+Wn ) · · 1′ a 系统总电能We :We = (W1+W2 + …+Wn )/ 2 电位能 • 电位能We:指电场力作功的能力,量值上与功相等 。

  6. n i=2 n i=2 qi ——— 4peR1i W1=q1∫ E·dl =q1φa=q1( )=q1∑ =q1∑ φi q2 qn ———+… +———4peR12 4peR1n ∞ a n i=2 n i=1 n i=1 n i=1 1 2 1 2 We =-(q1∑ φi+ q2∑ φi+…+ qn∑ φi )=∑-qi φi We=∫wedv =∫ E 2dv =∫ ρφdv ε — 2 1 — 2 · · 2′ · =∫ wedv =∫ E2dv ε — 2 · · v · v · 1′ a v v v ② 系统总电能We :We = (W1+W2 + …+Wn )/ 2 当源为点电荷时: (Wii = 0∵点电荷为最基本点,无互作用) ⑴ φi ——除qi 外,所有其它点电荷在点i 处产生的总电位。 当源为体电荷时:(q→⊿q = ρ⊿v i→∞ Wii ≠0 ) ∞ i=1 We = lim ∑-ρ(r i)⊿vφi(r) = ∫ ρφdv 1 2 对式⑴求积分: 1 - 2 ⊿v′→0 v v 经数学推导: v→∞

  7. We=∫wedv =∫E 2dv =∫ρφdv ε — 2 1 — 2 n i=1 n j=1 n i=1 n i=1 n j=1 qiqj ———— 4πεrij We =∑qi φi = ∑ ∑qiqj aij 1 - 2 1 - 2 1 - 2 = ∑ ∑ 系统总电能 We:We = (W1+W2 + ……+Wn )/ 2 当源为体电荷时: ③ 导体,设:导体上的电量为q 当体电荷为单个导体时: ∵ 导体是一等位体, ∴在导体上电位φii是一常数。 We=∫ρφiidv =φii∫ρdv =φiiq 故: 1 — 2 1 — 2 1 — 2 自能 当体电荷为n个导体时: n i=1 n i=1 n j=1 We =∑qi φi = ∑ ∑qiqj aij 1 - 2 1 - 2 φi ——所有体电荷(包括qi在内)在点i 处产生的总电位。 当体电荷为n个球导体时: 当 rij 》r

  8. +q E d 无 例1:求平板电容器的总电能。 解:设平板面积为s,间距为d(s》d),如图所示。 ∵ s》d,若再略去边缘效应,可认为板间的场强均匀, 场强方向与平板面垂直,如图示。 方法一: 由总电能: We=∫ E2dv =E2∫dv =E2 sd ε — 2 ε — 2 ε — 2 v vr =q2 d —— 2εs 由高斯定理:q =∮εE·ds= εEs εs — 2d =u2 ∵∫E·dl= u ∴E = u/d -q ∵q = εsE= εsu/d = cu 1 — 2 = cu2 =qu 1 — 2 方法二: n i=1 We =∑qi φ = q φ+- qφ- =qu 1 - 2 1 - 2 1 - 2 1 - 2 讨论:φ+ (或φ- )有无自电位

  9. 解:∵是导体球系统 ,且d》a和b ∴可由应用以下公式: q1q1 ———— 4πεa q1q2 ———— 4πεd q2q2 ———— 4πεb q2q1 ———— 4πεd 由题意: We = 1 -( + + + ) 2 q12 ——— a q22 ——— b 2q1q2 ———— d ∴ 1 = ——( + + ) 8πε n i=1 n j=1 n i=1 n i=1 n j=1 qiqj ———— 4πεrij We =∑qi φi = ∑ ∑qiqj aij 1 - 2 1 - 2 1 - 2 = ∑ ∑ 解毕 例2:设有两带电导体球,球A半径为a电量为q1、球B半 径为b电量为q2、两球间距为d、d》a与b,如图所示。 求两带电导体球系统的总电能。 a b d 35

  10. 3.2 静电场分析 媒质大体可分为导体和介质两大类 导体: 导体内: E=0,即导体是一等位体, 无电荷分布。 静电平衡 0+ E= E+≠0方向与导体面垂直, 仍等位是一等位面,有电荷分布。 导体面: 介质: 有极分子: 不重合 转向 无极分子: 重合 位移 正负电荷中心 极化 效果:产生附加电场E′ D=εE = εoεrE = εo(1+xe)E = εoE + εoxeE = εoE + P ▽·D= εo▽·E + ▽·P= εo▽·E - ρvp = ρv ▽·P=-ρvp en ·P = ρsp εo▽·E =ρv + ρvp 无论是导体还是介质,在外电场的感应下表面形成电荷 分布,它对内对外都可能发生作用,即改变原电场的分布。

  11. 例1:半径为a、带电量为q的导体球,其外套有外半径为b、例1:半径为a、带电量为q的导体球,其外套有外半径为b、 介电常数为的介质球壳,如图所示,求空间任意一点 的D和E,介质中的极化电荷体密度ρvp和介质球壳表面 的极化电荷面密度ρsp 。 解:选球坐标系;在球a外作一球面,由高斯定理: ∵球对称性,同一半径面上的场强大小相等,方向为er ∴ ∮D·dS =∮D·dS= D·∮dS= 4πr2D=q r≥a ∮D·dS =q 故:D= erq/4πr2 r≥a ; D=0 r<a 又∵ D=εE 则: E = D/ε 故:E=erq/4πεr2 b>r≥a ; E=erq/4πεor2 r≥b; E=0 r<a 又∵▽·P = ▽·D-εo▽·E = ▽·D (1-εo/ε)=-ρvp b 故: ρvp =-ρv (1-εo/ε) 又∵ρsp=en ·P = en ·D(1-εo/ε)  a q -D(1-εo/ε) =-q(1-εo/ε)/4πa2 故:ρsp= D(1-εo/ε) =q(1-εo/ε)/4πb2

  12. ρ dv′ 4pe r- r′ φ=∫————— v 高斯法:Φd =∮D·dS = Qo 求和法(点电荷):E= E1+ E2+… + En =∑————Rn 间接法:E=-▽φ 积分法(体电荷) : qn 4peRn qn 4pe(Rn)3 ∞ n=1 ∞ n=1 求E ρ dv′ 4peR3 ρ dv ( r- r′) 4pe r- r′3 ′ q1 E=∫———R =∫—————— v v ρv e 位方程:▽2φ=-—— 求和法(点电荷): 积分法(体电荷): 间接法: P φ= φ1+φ2+…+φn =∑——— R 求φ S r r ' S qn ∞ p O φ=∫ E·dl 3.3静电场的计算(分布型,除位方程外) ① 已知电荷的分布ρ求电场E和电位φ Rn= r- rn′ 当带电体为无穷时,积分上限可另定。

  13. 3·3 静电场的计算 已知 电场E 电位φ 求 电荷体密度ρv ▽·D= ρv φ2φ1 n n e2——-e1 —— =ρs D1n- D2n= ρs 电荷面密度ρs en·(D1- D2)=ρs ρv e ▽2φ=-—— en z E1 H1t- H2t= Js θ1 1 en×(H1- H2 )= Js ⊿z × × × ⊿l 2 Io θ2 E2 ② 已知电场E和电位φ求电荷的分布ρ 附加: 已知磁场H求电流面密度Js

  14. 作 业 • P121~127 • 5、8、13、16、21、23、24、25、 30、34、37、39

  15. 力* 作用在导体上的电场力 作用在电介质上的电场力 ③电场力密度f : f =dF/dV′=ρE dF = dq E F =qE

  16. 方程:▽×E= 0 ▽·D= ρv ∮E·dl= 0 ∮D·dS = Q 本构关系:D=εE,Jc=σE D1n- D2n= ρs en·(D1- D2)= ρs E1t- E2t= 0 en ×(E1- E2)= 0 边值条件: φ2φ1 n n e2——-e1 —— =ρs 场位关系:E=-▽φ 方程: ρv e ▽2φ=-—— φ1 = φ2 边值条件: en 电能:We=∫wedv =∫E 2dv =∫ρφdv ε — 2 1 — 2 1 电能密度:we= εE2/2 2 3.4恒定电场理论 即:dq/dt =I (常数) 一、场 二、位 三、能 因而:B、H不随时间变化 可见,恒定电场仍然是一梯度场

  17. 3.3恒定电场理论 即:dq/dt =I (常数) φ2φ1 n n e2——-e1 —— =ρs 场位关系:E=-▽φ 方程: ρv e ▽2φ=-—— φ1 = φ2 边值条件: en 电能:We=∫wedv =∫E 2dv =∫ρφdv ε — 2 1 — 2 1 电能密度:we= εE2/2 2 一、场 二、位 三、能 方程:▽×E= 0 ▽·D= ρv ∮E·dl= 0 ∮D·dS = Q 本构关系:D=εE,Jc=σE D1n- D2n= ρs en·(D1- D2)= ρs E1t- E2t= 0 en ×(E1- E2)= 0 边值条件: 可见,恒定电场仍然是一梯度场

  18. 方程:▽×H= Jo ▽·B= 0 ∮H·dl= Io ∮B·dS = 0 本构关系:B=μH,Jc=σE B1n- B2n= 0en·(B1- B2)= 0 H1t- H2t= Jsen ×(H1- H2)=Jc 边值条件: ▽2A=-μJ en 磁能:Wm=∫wmdv=∫H 2dv=∫A·Jodv μ — 2 1 — 2 1 磁能密度:we= μH2/2 2 3.5恒定磁场理论 即:dq/dt =I (常数) 一、场 二、位 三、能 因而:B、H不随时间变化 方程: 场位关系:B=▽×A A1 = A2 1 — μ1 (▽×A1 )t- (▽×A2 )t= Js 边值条件: 1 — μ2 可见,恒定磁场是一静旋度场

  19. ▽2A=-μJ en 磁能:Wm=∫wmdv=∫H 2dv=∫A·Jodv μ — 2 1 — 2 1 磁能密度:we= μH2/2 2 位 方程: 场位关系:B=▽×A A1 = A2 1 — μ1 (▽×A1 )t- (▽×A2 )t= Js 边值条件: 1 — μ2 可见,恒定磁场是一静旋度场

  20. 真空中,N个点电荷: 电荷量: 电荷位置: 式中: 三、点电荷系统和分布电荷产生的电场 1、多点电荷系统产生的电场 由矢量叠加原理:

  21. 设体电荷密度为 ,图中dV在P点产生的电场为: 则整个体积V内电荷在P点处产生的电场为: 2、分布电荷系统产生的电场,矢量积分公式 a)体分布电荷系统 • 处理思路: 1) 无限细分区域 2)考查每个区域 3)矢量叠加原理

  22. 类似地,面电荷在空间某点处产生的电场强度 类似地,线电荷在空间某点处产生的电场强度 b)面分布电荷系统 c)线分布电荷系统

  23. 1)密度为 的无限长线电荷在空间中产生电场强度 2)密度为 的无限大均匀带电面外任意一点电场强度为: 讨论: 四、例题 例题一 五、作业

  24. 解:在球面上取面元ds,该面元在P点处产生的电场径向分量为:解:在球面上取面元ds,该面元在P点处产生的电场径向分量为: 式中: 例题一 求真空中半径为a,带电量为Q的导体球在球外空间中产生E。 分析可知: • 电场方向沿半径方向: • 电场大小只与场点距离球心的距离相关。

  25. 说明:与位于球心的点电荷Q在空间中产生的电场等效。说明:与位于球心的点电荷Q在空间中产生的电场等效。

  26. 安培力定律内容:真空中,两电流回路C1,C2,载流分别为I1,I2,则:安培力定律内容:真空中,两电流回路C1,C2,载流分别为I1,I2,则: C1上电流元 对C2上电流元 磁场力为: 式中: 为真空中介电常数。 第三节 安培力定律 磁感应强度 一、安培力定律 • 安培力定律描述了真空中两个电流回路间相互作用力的规律。

  27. 二、磁感应强度矢量 • 磁感应强度矢量 :描述空间磁场分布。 • 在磁场 空间中,若电荷q0以速度 运动: 说明: 的方向与电荷受磁场力为零时的运动方向相同。 • 磁场:在电流周围形成的一种物质。 • 磁场的重要特性:会对处于其中的运动电荷(电流)产生力的作用,称为磁场力。

  28. 则,电流元 在磁场 中受到的磁场力为: 若 由电流元 产生,则由安培力定律 可知,电流元 产生的磁感应强度为: 毕奥-萨伐尔定律 说明: 、 、 三者满足右手螺旋关系。

  29. 真空中任意电流回路产生的磁感应强度 三、磁感应强度矢量积分公式 1、体电流

  30. 2、面电流 3、载流为I的无限长线电流在空间中产生磁场 四、例题 例题一

  31. 分析:在轴线上,磁场方向沿z向。 电流分布呈轴对称。 在电流环上任取电流元 ,令其坐标位置矢量为 。 易知: 例题一 求半径为a的电流环在其轴线上产生的磁场。 解:建立如图柱面坐标系。

  32. 如图:在垂直于电流方向取线元 。很明显,在 时间内, 距离内的电荷都将流过 。 由电流定义,通过 的电流 为: 由电流密度定义,有:

  33. 流过任意 的电流 而 所以 流过曲线l的电流为:

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