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G. Busatto, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi

INFLUENZA DELLE VARIAZIONI TECNOLOGICHE SULLA ROBUSTEZZA DEI MOSFET DI POTENZA IN AMBIENTE SPAZIALE (A9). G. Busatto, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi. OUTLINE. Introduzione Gli effetti da singolo evento nei MOSFET: il SEB ed il SEGR Il Set-Up sperimentale

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G. Busatto, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi

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Presentation Transcript

  1. INFLUENZA DELLE VARIAZIONI TECNOLOGICHE SULLA ROBUSTEZZA DEI MOSFET DI POTENZA IN AMBIENTE SPAZIALE (A9) G. Busatto, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi

  2. OUTLINE • Introduzione • Gli effetti da singolo evento nei MOSFET: il SEB ed il SEGR • Il Set-Up sperimentale • I risultati sperimentali

  3. INTRODUZIONE J.F. Ziegler – Terrestrial cosmic rays – IBM J. RES. DEVELOP. VOL. 40 NO. 1 JANUARY 1996

  4. SINGLE EVENT BURNOUT (SEB) Inun power MOSFET l’occorrenza di un SEB distruttivo è legata all’attivazione del transistore bipolare parassita nascosto nella struttura

  5. Electric Field SINGLE EVENT GATE RUPTURE (SEGR) Inun power MOSFET l’occorrenza di un SEGR è legata alla contemporanea presenza di un elevato campo elettrico nell’ossido di gate e di un’elevata concentrazione di lacune nella struttura

  6. IL SET-UP SPERIMENTALE

  7. NUOVE GENERAZIONI DI MOSFET DA 200V

  8. I RISULTATI SPERIMENTALI

  9. GRAZIE PER L’ATTENZIONE

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