定义：基区中到达集电结的少子电流 I pC 与从发射结注入基区的少子电流 I pE 之比，称为基区输运系数，记为 β * ，即：

3.2.3 基区传输系数及电流放大系数 定义：基区中到达集电结的少子电流IpC 与从发射结注入基区的少子电流 IpE 之比，称为基区输运系数，记为β*，即：由于空穴在基区的复合，使 JpC < JpE 。

1)用电流密度方程求基区传输系数 用连续性方程求解基区非平衡载流子浓度

这里必须采用薄基区二极管的精确结果，即: pB(x) 近似式，忽略基区复合 pB(0) 精确式，考虑基区复合 x WB 0

根据基区输运系数的定义，得： 再利用近似公式： ( x很小时），得：

pB(x) pB(0) x 0 WB 静态下的空穴电荷控制方程为： 2)利用电荷控制法来求β* 。 JpE JpC E B C 0 WB 另一方面，由薄基区二极管的近似公式：从上式可解出：，代入 Jpr中，得：

上式中， 即代表了少子在基区中的复合引起的电流亏损所占的比例。要减少亏损，应使WB↓，LB↑。 β＊的典型值：WB =1μm，LB =10 μm，β＊= 0. 9950 。

定义：少子在基区内从发射结渡越到集电结所需要的平均时间，称为少子的 基区渡越时间，记为。。因此又可表为： 3）基区渡越时间在期间，注入到基区的少子电荷为：将：代入，得：注意与的区别如下：

代表少子在基区停留的平均 的物理意义：时间，代表少子在单位时间内的复合几率，因而就代表少子在基区停留期间被复合的几率，而则代表未复合掉的比例，也即到达集电结的少子电流与注入基区的少子电流之比。 4、表面复合的影响（自学）

4）电流放大系数与亏损因子 上式中：，称为亏损因子。由，可得：

定义： 基区中到达集电结的少子电流 I pC 与从发射结注入基区的少子电流 I pE 之比， 称为 基区输运系数 ，记为 β * ，即：