第 1 章半导体二极管

第1章半导体二极管 1.2 二极管的特性及主要参数课程引入：课程引入 1.什么是二极管的伏安特性？教学目标 2.二极管的参数有那些？重点难点教学内容思考练习

第1章半导体二极管 1.2 二极管的特性及主要参数教学目标：课程引入 1.了解二极管的结构教学目标 2.掌握二极管的伏安特性重点难点 3.熟悉二极管的主要参数教学内容思考练习

第1章半导体二极管 1.2 二极管的特性及主要参数重点难点：课程引入 1.二极管的伏安特性教学目标 2. 二极管的主要参数重点难点教学内容思考练习

由一个PN结构成 （a）点接触型（b）面接触型第1章半导体二极管 1.2 二极管的特性及主要参数一、二极管的结构 1、结构课程引入教学目标重点难点教学内容思考练习

P N 第1章半导体二极管 1.2 二极管的特性及主要参数一、二极管的结构 2、符号课程引入教学目标阳极 a 阴极 k 重点难点教学内容思考练习

第1章半导体二极管 1.2 二极管的特性及主要参数一、二极管的结构 3、分类课程引入材料：硅二极管和锗二极管用途：整流、稳压、开关、普通二极管结构、工艺：点接触、面接触教学目标重点难点教学内容思考练习

2 A P 9 用数字代表同类器件的不同规格代表器件的类型代表器件的材料 2代表二极管，3代表三极管。第1章半导体二极管 1.2 二极管的特性及主要参数一、二极管的结构 4、型号课程引入教学目标重点难点教学内容思考练习

锗反向饱和电流击穿电压UBR 导通压降死区电压硅：0.5 V 锗：0.1 V 伏安特性曲线第1章半导体二极管 1.2 二极管的特性及主要参数二、二极管的伏安特性课程引入教学目标重点难点教学内容思考练习

第1章半导体二极管 1.2 二极管的特性及主要参数二、二极管的伏安特性 1、正向特性课程引入死区电压：硅：0.5V 锗：0.1V 正常工作时的管压降硅：0.7V 锗：0.3V 教学目标重点难点 2、反向特性教学内容反向电流由少子形成，因此反向电流一般很小。小功率硅管：小于1微安；小功率锗管：几十微安思考练习

第1章半导体二极管 1.2 二极管的特性及主要参数二、二极管的伏安特性课程引入 3、反向击穿特性反向击穿：外加电压达到一定数值时，在PN结中形成强大的电场，强制产生大量的电子和空穴，使反向电流剧增；教学目标重点难点结论：二极管是非线性元件二极管具有单向导电性教学内容思考练习

第1章半导体二极管 1.2 二极管的特性及主要参数三、二极管的主要参数二极管长期运行允许通过的最大正向平均电流课程引入 1、最大整流电流IFM———————— 教学目标允许加在二极管上的反向电压最大值重点难点 2、反向击穿电压UBM—— 教学内容思考练习

第1章半导体二极管 1.2 二极管的特性及主要参数三、二极管的主要参数课程引入在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。反向电流越小，管子单向导电性能越好。 3、反向电流IR——— 教学目标重点难点主要取决于PN结结电容的大小 4、最高工作频率fM—— 教学内容思考练习

第1章半导体二极管 1.2 二极管的特性及主要参数思考练习：课程引入 1.二极管的正向特性有何特点？教学目标 2.温度对二极管的特性有哪些影响？重点难点 3.使用二极管应注意哪些问题？教学内容思考练习

第 1 章 半导体二极管