Anomálna magnetorezistencia  EuB
This presentation is the property of its rightful owner.
Sponsored Links
1 / 16

Anomálna magnetorezistencia EuB 5.99 C 0.01 ( Zvýšenie magnetorezistnencie PowerPoint PPT Presentation


  • 58 Views
  • Uploaded on
  • Presentation posted in: General

Anomálna magnetorezistencia EuB 5.99 C 0.01 ( Zvýšenie magnetorezistnencie v systémoch s magnetickými polarónmi ). EuB 5.99 C 0.01. Anomálne vysoký zvyškový odpor – väčší ako ρ (300 K) Pod T C helimagnetické domény vo feromagnetickej matrici Veľká magnetorezistencia. T = 4.2 K.

Download Presentation

Anomálna magnetorezistencia EuB 5.99 C 0.01 ( Zvýšenie magnetorezistnencie

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

Presentation Transcript


Anom lna magnetorezistencia eub 5 99 c 0 01 zv enie magnetorezistnencie

Anomálna magnetorezistencia EuB5.99C0.01

(Zvýšenie magnetorezistnencie

v systémoch s magnetickými polarónmi)


Anom lna magnetorezistencia eub 5 99 c 0 01 zv enie magnetorezistnencie

EuB5.99C0.01

  • Anomálne vysoký zvyškový odpor – väčší ako ρ(300 K)

  • Pod TChelimagnetické domény vo feromagnetickej matrici

  • Veľká magnetorezistencia

T = 4.2 K

{JMM, 140-144 (1995) 1177}

{Solid State Comm., 98 (1996) 895}

{Physica status solidi (c) 3 No.1 (2006) 162}


Anom lna magnetorezistencia eub 5 99 c 0 01 zv enie magnetorezistnencie

EuB5.99C0.01

Elektrický odpor v magnetickom poli

  • 0 T

  • 50 mT

  • 0.1 T

  • 0.3 T

  • 0.5 T

  • 1 T

  • 2 T

  • 3 T

  • 6 T

  • 12 T

TRM~ 5 K a Tm= 4.1 K


Anom lna magnetorezistencia eub 5 99 c 0 01 zv enie magnetorezistnencie

EuB5.99C0.01

Magnetorezistencia

{Phys. Rev. B 61, 4174 (2000)}

  • Pod Tc – helimagnetické domény vo FM matrici

  • Rozptyl na hraniciach domén

  • Magnetické pole natáča momenty v doménach

    a znižuje ich celkový objem - negatívna magnetorezistencia


Anom lna magnetorezistencia eub 5 99 c 0 01 zv enie magnetorezistnencie

EuB5.99C0.01

Vplyv magnetického poľa

  • Pod TRM– odpor sa zvyšuje s rastúcim poľom pre (B ≤ 0.3 T)

    – odpor sa znižuje s rastúcim poľom pre (B ≥ 0.3 T)

  • Nad TRM – odpor monotónne klesá s rastúcim poľom


Anom lna magnetorezistencia eub 5 99 c 0 01 zv enie magnetorezistnencie

Nad ~29 K platí Curie-Weissov zákon:

EuB5.99C0.01

Curie-Weissov zákon


Anom lna magnetorezistencia eub 5 99 c 0 01 zv enie magnetorezistnencie

EuB5.99C0.01

Merné teplo a magnetická susceptibilita

TC=5.7 K

Tp=4.3 K

Tm=4.1 K


Anom lna magnetorezistencia eub 5 99 c 0 01 zv enie magnetorezistnencie

Tm

EuB6

Merné teplo v systémoch s magnetickými polarónmi

TC=15.5 K

Tm=12.6 K

Tp=10.5 K

{Phys. Rev. Lett. 79, 5134 (1997)}


Mern teplo v syst moch s magnetick mi polar nmi

Tri charakteristické teploty T*, TC a Tp

TC – magnetický fázový prechod

Zmena koncentrácie nosičov náboja mení TC aj Tp, avšak ich pomer sa zachováva

Merné teplo v systémoch s magnetickými polarónmi

{Phys. Rev. B74, 094413 (2006)}


Anom lna magnetorezistencia eub 5 99 c 0 01 zv enie magnetorezistnencie

EuB5.99C0.01

Magnetické polaróny v EuB5.99C0.01

  • Systém je paramagnetický nad ~29K.

  • MPzačínajú vznikaťpri T*< 29 K

  • Curieho teplota TC = 5.7 K

  • Teplota perkolácie Tp = 4.3 K

  • Pri TCsa začínajú MP spájať a pri Tpdochádza k ich perkolácii.

  • Teplota prudkého nárastu el. vodivosti, Tm = 4.1 K.

  • Tp/TC= 0.75 vo veľmi dobrej zhode s teoretickou hodnotou

    Tp/TC= 0.77.


Anom lna magnetorezistencia eub 5 99 c 0 01 zv enie magnetorezistnencie

EuB5.99C0.01

Magnetické polaróny v EuB5.99C0.01

{Phys. Rev. B 57, 5860 (1980)}

  • MP existujú iba v prostredí s nízkou koncentráciou nosičov náboja

  • Oblasti bohaté na C sú nekompatibilné s existenciou MP

    – „medzerníky“ brániace v spájaní a prekryveMP

  • Systém zostáva slabo vodivý do nižších teplôt

    – dodatočný nárast odporu


Anom lna magnetorezistencia eub 5 99 c 0 01 zv enie magnetorezistnencie

Závery pre systémy s MP

  • Procesy brániace MP v spájaní a perkolácii rozšíria oblasť teplotne aktivovaného transportu do nižších teplôt – vyššia magnetorezistencia.

  • Možná analógia: úloha neferomagnetických „medzerníkov“ pri zvyšovaní magnetorezistencie v systémoch s MP vs

    úloha (nesupravodivých) piningových centier pri zvyšovaní kritického poľa v supravodičoch ?


Publikovan pr ce

I. Baťko, M. Baťková, K. Flachbart, D. Macko, E. S. Konovalova, Y.B. Paderno:Electrical resistivity of doped EuB6 down to 50 mK, Journal Magnetism and Magnetic Materials, 140-144 (1995) 1177-1178

I.Baťko,M.Baťková,K. FLachbart, V.B. Filippov, Yu.B.Paderno, N.Y. Shicevalova, and T. Wagner: Electrical resistivity andsuperconductivity of LaB6 and LuB12, Journal of Alloys and Compounds, 217, 1995, p. L1-L3

I. Baťko, M. Baťková, K. Flachbart, J. Kováč, E. S. Konovalova, Yu. B.Paderno, S. Ramakrishnan: High residual electrical resistivity of carbon doped EuB6, Solid State Communications, 98 (1996), 895-89

I. Baťko, M. Baťková: Calorimetric tunneling spectroscopy as a perspective tool for derivation of energy-spectroscopic information in electrically conductive solids, Czechoslovak Journal of Physics, Vol. 54 (2004), Suppl. D, pp. 619-622.

Publikované práce


Anom lna magnetorezistencia eub 5 99 c 0 01 zv enie magnetorezistnencie

Publikované práce

  • I. Baťko and M. Baťková: Calorimetric tunneling study of heat generation in metal-vacuum-metal tunnel junctions , The European Physical Journal – Applied Physics, 31 (2005) 191-194

  • M. Baťková, I. Baťko, M. Mihalik , E. S. Konovalova, N. Shitsevalova, and Y. Paderno: Electrical properties of carbon doped EuB6 , Physica status solidi c, 3, No.1 (2006) 162-165

  • M. Baťková, I. Baťko, E S. Konovalova, N. Shitsevalova, Y. Paderno: Gap properties of SmB6 and YbB12: Electrical resistivity and tunneling spectroscopy studies, Physica B 378-380 (2006) 618-619

  • M. Baťková, I. Batko, M. Mihalik: Evidence for direct and indirect gap in FeSi from electron tunneling spectroscopy, Solid State Commun. 141, No. 7 (2007) 412-415


Pr ce zaslan na publikovanie

M. Baťková, I. Baťko, E. S. Konovalova, N. Shitsevalova: Tunneling spectroscopy of SmB6 and YbB12 – zaslané

M. Baťková, I. Baťko, K. Flachbart, K. Jurek, E. S. Konovalova, J. Kováč, M. Reiffers, V. Sechovský, N. Shitsevalova, E. Šantavá, and J. Šebek : Anoma- lous magnetoresistance of EuB5.99C0.01: Enhancement of magnetoresistance in systems with magnetic polarons– zaslané (arXiv:0706.0091)

Práce zaslané na publikovanie


Anom lna magnetorezistencia eub 5 99 c 0 01 zv enie magnetorezistnencie

Ďakujem za pozornosť


  • Login