Download
1 / 10
100 likes | 348 Views
Разработка приборов широкого Ñпектра дейÑÑ‚Ð²Ð¸Ñ Ð½Ð° оÑнове полупроводниковых ÑенÑоров из CdTe, CdZnTe Ð´Ð»Ñ Ñ€Ð°Ð´Ð¸Ð°Ñ†Ð¸Ð¾Ð½Ð½Ð¾Ð³Ð¾ и Ñдерного технологичеÑкого ÐºÐ¾Ð½Ñ‚Ñ€Ð¾Ð»Ñ Ð² ÑиÑтемах ÐÐС. ÐО «Парк Ñдерных технологий» Ðациональный Ðаучный Центр «ХарьковÑкий Физико-техничеÑкий инÑтитут». ÐÑтана, 2010.
E N D
Разработка приборов широкого спектра действия на основе полупроводниковых сенсоров из CdTe, CdZnTe для радиационного и ядерного технологического контроля в системах АЭС АО «Парк ядерных технологий» Национальный Научный Центр «Харьковский Физико-технический институт» Астана, 2010 KazAtomExpo 2010
Детекторы ионизирующих излучений На сегодняшний день для измерения и регистрации радиоактивного излучения на АЭС во всем мире применяют три типа детекторов – газовые, сцинтилляционные и полупроводниковые. KazAtomExpo 2010
Преимущества полупроводниковых детекторов в большой плотности, что позволяет резко снизить объём ППД, в котором происходит ионизация. Меньшая, чем в газах, энергия образования электронно-дырочной пары. Ионизационный эффект в ППД на несколько порядков выше, чем в газовой камере. За счет прямого преобразования энергии ионизирующего излучения в электрический сигнал у ППД примерно десятикратное преимущество по чувствительности перед системами с двухступенчатым преобразованием энергии (сцинтиллятор-фотодиод). Полупроводниковые детекторы (ППД) из CdTe и CdZnTe Главное достоинство ППД - высокая чувствительность при малых размерах. Одним из типов полупроводниковых сенсоров является CdTe и CdZnTe, работающие без охлаждения. KazAtomExpo 2010
Полупроводниковые детекторы (ППД) из CdTe и CdZnTe В Харьковском физико-техническом институте разработали собственную технологию создания полупроводниковых детекторов из CdTe и CdZnTe. KazAtomExpo 2010
Полупроводниковые детекторы (ППД) из CdTe и CdZnTe Вольт-амперные характеристики CdZnTe сенсора при различных температурах Зависимость электросопротивления CdZnTe сенсора от температуры Учеными из Харьковского института были изучены основные характеристики и зависимости кристаллов из CdTe и CdZnTe. Также исследована радиационная стойкости и определен радиационный ресурс сенсоров в радиоактивном поле. KazAtomExpo 2010
Блоки детектирования на основе кристаллов изCdTe и CdZnTe Блоки детектирования для контроля мощности дозы гамма-излучения Сенсор из CdZnTe с предусилителем (опытный образец) Полученные кристаллы из CdTe и CdZnTe могут применяться в блоках детектирования гамма-излучения на АЭС для измерения и регистрации в различных зонах радиоактивной опасности. KazAtomExpo 2010
Макеты устройств детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe KazAtomExpo 2010
В настоящее время АО «Парк ядерных технологий» совместно с Харьковским институтом и ООО «Позитрон GmbH» проводит работы по созданию производства приборов на основе полупроводниковых детекторов из CdTe и CdZnTe. KazAtomExpo 2010
Производство приборов на основе детекторов из CdTe и CdZnTe На сегодняшний момент проводится работа по адаптации систем ООО «Позитрон» под детекторы Харьковского института. Производство новых систем будет создано на производственных площадях технопарка «Парк ядерных технологий» в г.Курчатов. KazAtomExpo 2010
СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ! Контактная информация: Управляющая компания АО «Парк ядерных технологий» Республика Казахстан 071100, ВКО, г. Курчатов, ул. Курчатова, 18/1 Тел.: +7 (722-51) 2-58-89 Факс: +7 (722-51) 2-57-91 E-mail: park@pnt.kz www.pnt.kz KazAtomExpo 2010
