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§2.2

§2.2. 半导体器件的开关特性. 2.2 半导体器件的开关特性. 一、半导体二极管的开关特性. V ON : 硅 0.6~0.7V; 锗 0.2~0.3V. 图 2.2.1 二极管开关电路结构及电路示意. 《 数字电子技术 》. 2.2 半导体器件的开关特性. (a). (b). (c). 图 2.2.2 二极管伏安特性的几种近似方法（静态分析） (a)Von 和 r D 均不可忽略 (b) Von 不可忽略 (c) Von 和 rD 均可忽略. 《 数字电子技术 》. V. 2.2 半导体器件的开关特性.

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  1. §2.2 半导体器件的开关特性 2.2 半导体器件的开关特性 一、半导体二极管的开关特性 VON: 硅0.6~0.7V; 锗0.2~0.3V 图2.2.1 二极管开关电路结构及电路示意 《数字电子技术》

  2. 2.2 半导体器件的开关特性 (a) (b) (c) 图2.2.2 二极管伏安特性的几种近似方法（静态分析） (a)Von和rD均不可忽略 (b) Von不可忽略(c) Von和rD均可忽略 《数字电子技术》

  3. V 2.2 半导体器件的开关特性 图2.2.3 二极管的动态电流波形 《数字电子技术》

  4. c b e 2.2 半导体器件的开关特性 二、半导体三极管的开关特性 思考：模电和数电的区别？ 1、三极管的特点： 图2.2.4 双极型(NPN)三极管的输出特性曲线 《数字电子技术》

  5. ICEO 2.2 半导体器件的开关特性 2、三极管开关电路分析： (a) (b) 图2.2.5 双极型三极管的开关等效电路 (a)截止状态 (b)饱和导通状态 《数字电子技术》

  6. 2.2 半导体器件的开关特性 3、三极管开关电路动态分析： 图2.2.6 双极型三极管的动态开关特性（结电容效应） 《数字电子技术》

  7. 2.2 半导体器件的开关特性 三、MOS管的开关特性 VGS(TH):1~4V 1、MOS管的结构： 图2.2.7 MOS管的结构和符号 《数字电子技术基础》

  8. 2.2 半导体器件的开关特性 2、MOS管的输入特性和输出特性： 恒流区 可变电阻区 截止区 图2.2.8 MOS管共源接法和输出特性曲线 （a）共源接法 （b）输出特性曲线 《数字电子技术》

  9. 2.2 半导体器件的开关特性 3、MOS管的基本开关电路： 图2.2.9 MOS管的基本开关电路及其等效电路 《数字电子技术》

  10. 2.2 半导体器件的开关特性 4、MOS管的四种类型（列表）： 《数字电子技术》

  11. 2.2 半导体器件的开关特性 4、MOS管的四种类型（续）： 《数字电子技术》

  12. 2.2 半导体器件的开关特性 《数字电子技术》

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