§2.2
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§2.2. 半导体器件的开关特性. 2.2 半导体器件的开关特性. 一、半导体二极管的开关特性. V ON : 硅 0.6~0.7V; 锗 0.2~0.3V. 图 2.2.1 二极管开关电路结构及电路示意. 《 数字电子技术 》. 2.2 半导体器件的开关特性. (a). (b). (c). 图 2.2.2 二极管伏安特性的几种近似方法(静态分析) (a)Von 和 r D 均不可忽略 (b) Von 不可忽略 (c) Von 和 rD 均可忽略. 《 数字电子技术 》. V. 2.2 半导体器件的开关特性.

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Presentation Transcript


2 2

§2.2

半导体器件的开关特性

2.2 半导体器件的开关特性

一、半导体二极管的开关特性

VON: 硅0.6~0.7V;

锗0.2~0.3V

图2.2.1 二极管开关电路结构及电路示意

《数字电子技术》


2 2

2.2 半导体器件的开关特性

(a)

(b)

(c)

图2.2.2 二极管伏安特性的几种近似方法(静态分析)

(a)Von和rD均不可忽略 (b) Von不可忽略(c) Von和rD均可忽略

《数字电子技术》


2 2

V

2.2 半导体器件的开关特性

图2.2.3 二极管的动态电流波形

《数字电子技术》


2 2

c

b

e

2.2 半导体器件的开关特性

二、半导体三极管的开关特性

思考:模电和数电的区别?

1、三极管的特点:

图2.2.4 双极型(NPN)三极管的输出特性曲线

《数字电子技术》


2 2

ICEO

2.2 半导体器件的开关特性

2、三极管开关电路分析:

(a)

(b)

图2.2.5 双极型三极管的开关等效电路

(a)截止状态 (b)饱和导通状态

《数字电子技术》


2 2

2.2 半导体器件的开关特性

3、三极管开关电路动态分析:

图2.2.6 双极型三极管的动态开关特性(结电容效应)

《数字电子技术》


2 2

2.2 半导体器件的开关特性

三、MOS管的开关特性

VGS(TH):1~4V

1、MOS管的结构:

图2.2.7 MOS管的结构和符号

《数字电子技术基础》


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2.2 半导体器件的开关特性

2、MOS管的输入特性和输出特性:

恒流区

可变电阻区

截止区

图2.2.8 MOS管共源接法和输出特性曲线

(a)共源接法 (b)输出特性曲线

《数字电子技术》


2 2

2.2 半导体器件的开关特性

3、MOS管的基本开关电路:

图2.2.9 MOS管的基本开关电路及其等效电路

《数字电子技术》


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2.2 半导体器件的开关特性

4、MOS管的四种类型(列表):

《数字电子技术》


2 2

2.2 半导体器件的开关特性

4、MOS管的四种类型(续):

《数字电子技术》


2 2

2.2 半导体器件的开关特性

《数字电子技术》


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