Ministerul
This presentation is the property of its rightful owner.
Sponsored Links
1 / 16

1.Introducere PowerPoint PPT Presentation


  • 55 Views
  • Uploaded on
  • Presentation posted in: General

Ministerul Educa ţiei Tineretului şi Sportului Universitatea de Stat din Moldova Facultatea de Fizică Catedra de Fizică Aplicată şi Informatică. M orfologia ş i s tructura şi straturilor subţiri de ZnTe obţinute prin metoda volumului c uasiînchis.

Download Presentation

1.Introducere

An Image/Link below is provided (as is) to download presentation

Download Policy: Content on the Website is provided to you AS IS for your information and personal use and may not be sold / licensed / shared on other websites without getting consent from its author.While downloading, if for some reason you are not able to download a presentation, the publisher may have deleted the file from their server.


- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - E N D - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

Presentation Transcript


1 introducere

MinisterulEducaţiei Tineretului şi Sportului Universitatea de Stat din MoldovaFacultatea de FizicăCatedra de Fizică Aplicată şi Informatică

Morfologia şi structura şi straturilor subţiri de ZnTe obţinute prin metoda volumului cuasiînchis.

Elaborat de: Aprobat de:

de studenta gr.21s/c de doctorul în ştiinţe fizico-matematice,

Mîrzac Alexandra conferenţiarul universitar

Potlog Tamara


1 introducere

1.Introducere

Diode luminiscente

Aplicaţii ale straturilor de ZnTe

Dioda laser

Celulă solară

Aplicaţii ale straturilor de ZnTe

Spectroscopia în domeniul Terahertz


1 introducere

2.1 Metode fizice de depunere :

a) metoda evaporării instantanee;

b)metoda evaporãrii cu ajutorul laserului;

c)metoda evaporãrii prin bombardare cu electroni;

d) metoda evaporãrii cu ajutorul undelorelectromagnetice de înaltă frecvenţă e)metoda depunerii prin pulverizare catodică;

f) metoda depunerii din fază gazoasă;

g) metoda volumului cuaziinchis.

2.2. Metode chimice:

a) metoda depunerii prin electroliză(galvanizare).;

b) depunere prin baie chimica.


3 telurura de zinc znte

3. Telurura de zinc - ZnTe

Material semiconductor cu lăţimea benzii interzise de 2,5 eV, conductibilitate de tip p.

ZnTe se cristalizeaza in structură cristalină tipică cubică(sphalerit sau zinc-blendă), dar poate fi obţinută şi într-o configuraţie cristalină hexagonală (structura wurzite).

Iradiat de un puternic fascicul optic arde în prezenţa oxigenului.

Constanta reţelei este de 0,6103 nm.


4 d epunerea straturilor sub iri de znte ptrin metoda volumului quasi nchis

4.Depunerea straturilor subţiri de ZnTe ptrin metoda volumului quasiînchis

Prin volum quasiînchis înţelegem un volum izolat necomplet, în care schimbarea densităţii vaporilor în urma scurgerii în spaţiul exterior timpul condensării este neglijabilă.

Camera de evaporare reprezintă un cilindru cav, baza de sus şi baza de jos a cărora îndeplinesc funcţiile de evporator şi condensator. Pentru confecţionarea camerei pot fi folosite diverse materiale aplicate în tehnica evaporării în vid. Cel mai des se foloseşte grafitul, care prezintă proprietăţi precum, termocapacitatea, inerţia chimică relativă, termoconductibiliatea moderată, necesară pentru obţinerea gradientului termic, capacitatea de evacuare a gazelor reziduale şi prelucrarea mecanică uşoară.

Substraturile de condensare împreună cu şabloanele de camuflare se instalează în ferestrele camerei, asigurate cu umăr de sprijin şi tuburi de grafit de compactare. Materialul de evaporare şi substratul de condensare se încălzesc cu două cuptoare. Temperatura de evaporare şi condensare se controlează şi se reglează conform indicatorilor termocuplurilor instalate pe bazele camerei. La alegerea corectă a dimensiunilor camerei se asigură un gradient constant de-a lungul axei acestea. În interiorul camerei se instalează un ecran, care împiedică obţinerea pe substrat a microparticulelor a substanţei de condensat. În caz contrar condensarea pe suprafaţa ecranului poate introduce denaturări considerabile în distribuţia paramterilor vaporilor şi scăderea vitezei de depunere a peliculeoor pe substrat.

Încălzitorul este confecţionat din fire de Wolfram trecute prin tubur de cuart. Pentru mărirea randamentului încălzitorului, tuburile se plasează în două trei rînduri. Încălzitorul cu asemena construcţie permite ridicarea temperaturii de evaporare pînă la 12000...14000C. eficacitatea încălzitorului poate fi ridicată, folosind ecrane metalice, care reduc pierderile energetice ca urmare a emisiei termice a camerei.


5 instala i a pentru depunerea str a turilor sub iri n volum cuasi nchis

5. Instalaţia pentru depunerea straturilor subţiri în volum cuasiînchis.

Imaginea sistemului de depunere a peliculelor în volum cuasiînchis:


6 morfologia straturilor subtiri de znte in functie de grosime

6.Morfologia straturilor subtiri de ZnTe in functie de grosime


7 studiul structurii straturilor de znte cu d ifrac ia razelor x

7.Studiul structurii straturilor de ZnTe cu difracţia razelor X

Analiza roentgenografică se bazează pe obţinerea figurilor de interferenţă în urma difracţiei razelor X şi interpretarea după ele a strucuturii.

Fig.7.1 Difracţia razelor X pe straturile reţelei cristaline


8 tabloul de difrac ie a razelor x de pe straturile atomare a re eli cristaline

8.Tabloul de difracţie a razelor X de pe straturile atomare a reţeli cristaline

  • În figura 7.1planul YZ cu reţea bidimensională a straturilor atomare formează în direcţia axei X reţea volumică bidimensională cu perioada x. Fasciculul paralel al luminii se distribuie în planul XZsub un unghi faţă de axa Z,totodată şi către straturile atomare YZ, atunci putem obţine un fascicul de lumină,difractat pe reţeau de straturi atomare YZ,situate cu perioada de Λx.

  • Condiţia de formare a fasciculului de lumină difractat stabilită de Wullff şi Bragg independent:

    2ΛxsinΘ = mλ (8.1)

  • undeΘ- unghiul între direcţia fasciculului incident şi stratul de atomi YZ şi acelaşi unghi între direcţia razelor difractate şi acelaşi strat de atomi YZ. Razele de lumină parcă se refelctă de la reţeaua periodică a straturilor atomare YZ, însă amplificarea interferenţială a undelor refelctate nu are loc pentru toate unghiurile şi lungimile de undă, dar pentru acele, care satisfac ecuaţia lui Wullff-Bragg (8.1).

  • Diferenţa mersului undei, reflectat de la straturile vecine, trebuie să fie egală cu lungimea de undă pentru amplificarea interferenţială a acestor unde. Diferenţa de fază pentru aceste unde este egală cu 2 radiani,ceea ce stabileşte defazajul acestor unde şi, respectiv, amplificarea interferenţială a acestora.


9 parametrii structurali

9.Parametrii structurali:

  • Dimensiunea cristalitelor

  • Parametrul retelei cristaline

    zincblendă (Z)

  • Distanţa interplanară


1 introducere

10.Structura straturilor ZnTe obţinute prin metoda volumului cuasiînchis

Parametrii structurali a straturilor de ZnTe


1 introducere

Parametrii structurali a straturilor de ZnTe


1 introducere

Parametrii structurali a straturilor de ZnTe


1 introducere

Parametrii structurali a straturilor de ZnTe


Concluzii

Concluzii


Mul umesc pentru aten ie

Mulţumesc pentru atenţie !!!


  • Login